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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N6661US/Tr | 16.1400 | ![]() | 9177 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/587 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | A, SQ-Melf | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6661us/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 225 v | 1 V @ 400 mA | 50 na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | - - - | ||||||||
![]() | EGP10BHM3/54 | - - - | ![]() | 2596 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | EGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 22PF @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | Hera803g | - - - | ![]() | 4539 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Standard | To-220ac | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-Hera803g | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 65PF @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | DSEC29-02A | - - - | ![]() | 4635 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfred ™ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | DSEC29 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 15a | 1,06 V @ 15 a | 25 ns | 100 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | R714XE | 55.6500 | ![]() | 6613 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-204aa, to-3 | Standard | To-204aa (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-R714XE | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 15 a | 200 ns | 1 mA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | ||||||
![]() | SK810Chm6g | - - - | ![]() | 5591 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SK810 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 900 mv @ 8 a | 500 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||
Mur480erl | - - - | ![]() | 1599 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | Mur48 | Standard | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,85 V @ 4 a | 100 ns | 25 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | |||||
![]() | UF806F_T0_00001 | 0,7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | UF806 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 3757-UF806F_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 8 a | 100 ns | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||
![]() | UG1DPL-TP | 0,0639 | ![]() | 3376 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | Ug1d | Standard | SOD-123FL | Herunterladen | 353-ug1dpl-tp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||
![]() | Mur1040fct | 0,3870 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-MUR1040FCT | Ear99 | 1.000 | ||||||||||||||||||
![]() | SF61GHR0G | - - - | ![]() | 5878 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Do-201ad, axial | SF61 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 975 mv @ 6 a | 35 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 100pf @ 4v, 1 MHz | ||||
![]() | 1N3173 | - - - | ![]() | 9902 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 1N3173 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | RS3G | 0,1648 | ![]() | 6348 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | RS3G | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 150 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||
![]() | FR16JR05 | 8.5020 | ![]() | 3366 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | FR16JR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 16 a | 500 ns | 25 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | |||||
![]() | PMEG4010EGW, 118 | 1.0000 | ![]() | 7294 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | SRA10100 | - - - | ![]() | 7679 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Schottky | To-220ac | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-SRA10100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mV @ 10 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||
![]() | 2A05-TP | - - - | ![]() | 2127 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 2A05 | Standard | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||
![]() | SIDC53D120H6X1SA3 | - - - | ![]() | 5456 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | Sidc53d | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 100 a | 27 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 100a | - - - | |||||
![]() | MBRB30H90CT-E3/81 | - - - | ![]() | 7305 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB30 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 90 v | 15a | 820 MV @ 15 a | 5 µa @ 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||
MBRL20100FCT-BP | 1.4600 | ![]() | 1640 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 isolierte RegisterKarte | MBRL20100 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 720 mv @ 10 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
BZT52B5V6Q | 0,0260 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZT52B5v6qtr | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4004gpehe3/91 | - - - | ![]() | 4552 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4004 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||
UH10ft-e3/4W | - - - | ![]() | 2125 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | UH10 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,2 V @ 10 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||||
![]() | DFLS1200Q-7-52 | 0,1412 | ![]() | 9152 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | DFLS1200 | Schottky | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | 31-DFLS1200Q-7-52 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 850 mV @ 1 a | 2 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 23pf @ 5v, 1 MHz | |||||||
![]() | B130LB-13-F-2477 | - - - | ![]() | 5956 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Schottky | SMB | - - - | 31-B130LB-13-F-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 445 mv @ 2 a | 1 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 90pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | NRVTSS3100ET3G-GA01 | - - - | ![]() | 1092 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NRVTSS3100ET3G-GA01TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 995 mv @ 3 a | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 14.4PF @ 100V, 1 MHz | |||||
![]() | JantX1N5551 | - - - | ![]() | 2154 | 0.00000000 | Semtech Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/420 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Axial | 1N5551 | Standard | Axial | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 3 a | 2 µs | 1 µa @ 400 V | - - - | 5a | 92pf @ 5v, 1 MHz | |||||||
![]() | SK510AQ-LTP | 0,5700 | ![]() | 5904 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 800 mV @ 5 a | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 150pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N4002-N-0-3-AP | - - - | ![]() | 2787 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4002 | Standard | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1N4002-N-0-3-APMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 100 V. | - - - | 1a | - - - | |||||
![]() | BY1800 | 0,2499 | ![]() | 13 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | Standard | Do-201 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2796-MAL 1800TR | 8541.10.0000 | 1.700 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1800 v | 1,1 V @ 3 a | 1,5 µs | 5 µa @ 1800 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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