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Gleichrichter (74344)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | R7003403xxua | - - - |  | 4380 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-200AA, A-Puk | R7003403 | Standard | DO-200AA, R62 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 4400 v | 2,15 V @ 1500 a | 9 µs | 50 mA @ 4400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300a | - - - | |||||
 | Bas16,235 | 0,1300 | | 79 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101, BAS16 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas16 | Standard | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | 215 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | ||||
| MUR1620-BP | 0,4200 | | 1676 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Mur1620 | Standard | To-220ac | Herunterladen | 353-MUR1620-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 975 mv @ 16 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 65PF @ 4V, 1 MHz | ||||||
| S307020f | 49.0050 | | 9762 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S307020f | 1 | ||||||||||||||||||||
| JantX1N6875UTK2/Tr | 413.4000 | | 1798 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JantX1N6875UTK2/Tr | 100 | ||||||||||||||||||||
 | BAS70WT-06 | 0,0200 | | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas70 | Schottky | SOT-323 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BAS70WT-06TR | Ear99 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 70 V | 70 Ma | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||
 | SS24LHR3G | 0,3210 | | 5019 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS24 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 400 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||
 | SARS01V0 | 0,8000 | | 2 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Axial | SARS01 | Standard | Axial | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 920 MV @ 1,2 a | 18 µs | 10 µa @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - - - | |||||
| JantX1N3646 | 19.0050 | | 8216 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/279 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | S, axial | 1N3646 | Standard | S, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1750 v | 5 V @ 250 mA | 5 µa @ 1750 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 250 Ma | - - - | |||||
 | SBL1040CThe3/45 | - - - | | 8143 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | SBL1040 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 5a | 550 mV @ 5 a | 500 µa @ 40 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | |||||
 | V3P22HM3/h | 0,4900 | | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | V3P22 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 940 mv @ 3 a | 50 µa @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | 1.7a | 120pf @ 4V, 1 MHz | |||||
 | RFUH20TB4S | 0,7725 | | 7255 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RFUH20 | Standard | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 430 v | 1,7 V @ 20 a | 25 ns | 10 µa @ 430 V | 150 ° C (max) | 20a | - - - | ||||
| V10150S-M3/4W | 0,5914 | | 5499 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | V10150 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,2 V @ 10 a | 150 µa @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||
 | CDBB5200-HF | 0,2828 | | 8035 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | CDBB5200 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 5 a | 500 µA @ 200 V. | -50 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 380PF @ 4V, 1 MHz | |||||
 | B340A-M3/61T | 0,4200 | | 17 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B340 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||
 | RL251GP-TP | 0,0986 | | 3742 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | R-3, axial | RL251 | Standard | R-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 2,5 a | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2.5a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||
| S3J R7 | - - - | | 6863 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-s3jr7tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,15 V @ 3 a | 1,5 µs | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | S26F | 0,2400 | | 9917 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | Schottky | Smaf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||||||
 | Bat760/6z | - - - | | 4163 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 1 a | 50 µa @ 15 V | 125 ° C. | 1a | 19PF @ 5V, 1 MHz | ||||||
| R6020435esya | - - - | | 4398 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | Do-205AB, Do-9, Stud | R6020435 | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,5 V @ 800 a | 2 µs | 50 mA @ 400 V | -45 ° C ~ 150 ° C. | 350a | - - - | |||||
 | Fmka140 | 0,3700 | | 62 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 mv @ 1 a | 1 ma @ 40 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||
| ES1BLHMQG | - - - | | 3727 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Es1b | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||
 | 85HFR40 | 3.9330 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-85HFR40 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 85 a | 200 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 85a | - - - | |||||
 | 20sq045-s | 0,6500 | | 2 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | R-6, axial | 20sq045 | Schottky | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 550 mV @ 20 a | 500 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | |||||
 | BAT54GWX | 0,1900 | | 5660 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Bat54 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 400 mv @ 10 mA | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||||
 | SB170-T | - - - | | 4787 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Schottky | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 70 V | 800 mV @ 1 a | 500 µA @ 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||
 | ERT1EAFC_R1_00001 | 0,0840 | | 6947 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | ERT1EAFC | Standard | Smaf-C | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 120.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 16PF @ 4V, 1 MHz | ||||
| PN412611 | - - - | | 9314 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | POW-R-BLOK ™ -MODUL | Standard | POW-R-BLOK ™ -MODUL | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 2600 v | 1200a | 1,25 V @ 3000 a | 22 µs | 200 mA @ 2600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||
 | NTSB40120CTT4G | 0,7700 | | 55 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | RL 10zv1 | - - - | | 1933 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | K. Loch | Axial | Standard | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 980 mv @ 2 a | 50 ns | 50 µa @ 200 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - |
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