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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RGP10K | 0,4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP10 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | By228tap | 1.1300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | SOD-64, axial | By228 | Lawine | SOD-64 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1500 V | 1,5 V @ 5 a | 20 µs | 5 µa @ 1500 V | 140 ° C (max) | 3a | - - - | ||||
![]() | CPD16-CMR1U06M-CT20 | 150.0000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Aktiv | Oberflächenhalterung | Sterben | CPD16 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | CPD16-CMR1U06M-CT20 PBFREE | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,4 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||
![]() | MUR2X120A02 | 50.2485 | ![]() | 2903 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Mur2x120 | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 200 v | 120a | 1 V @ 120 a | 25 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||
![]() | MSASC150W100LS | - - - | ![]() | 5607 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 100 | |||||||||||||||||||
![]() | RB521ZS-3AZT2R | - - - | ![]() | 8384 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB521 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB521ZS-3AZT2RTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | ||||||||||||||||
![]() | RB520VM-30TE-17 | 0,4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | RB520 | Schottky | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB520VM-30TE-17CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 580 MV @ 200 Ma | 1 µa @ 10 V | 150 ° C. | 200 ma | - - - | ||||
![]() | MMBD452_R1_00001 | 0,0270 | ![]() | 1078 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD452 | Schottky | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.252.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 30 v | 200 Ma (DC) | 600 mv @ 10 mA | 200 Na @ 25 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||
![]() | DHG20C600PB | 3.1500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | DHG20 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 10a | 2,37 V @ 10 a | 35 ns | 15 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||
![]() | JantX1N5551/Tr | 6.5700 | ![]() | 8247 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/420 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5551/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 9 a | 2 µs | 1 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | |||||
![]() | FMET-24010 | - - - | ![]() | 5534 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FMET-24 | Schottky | To-220f | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1261-fmet-24010 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 40a | 850 mV @ 20 a | 150 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
![]() | RJU6052TDPP-AJ#T2 | - - - | ![]() | 6147 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | RJU6052 | Standard | To-220FP-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3 V @ 10 a | 25 ns | 1 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 10a | - - - | |||||
![]() | SK510C R6 | - - - | ![]() | 3863 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-sk510cr6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 300 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||
![]() | MBR0580S1-7 | 0,2900 | ![]() | 299 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MBR0580 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 800 MV @ 500 mA | 5 µa @ 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | 15pf @ 5v, 1 MHz | |||||
![]() | 1N5391G B0G | - - - | ![]() | 2906 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 1N5391 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||
![]() | V10K60C-M3/i | 0,3368 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10K60C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 4.6a | 590 mv @ 5 a | 900 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||
SD101CW RHG | 0,0573 | ![]() | 9295 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SD101 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 900 mv @ 15 mA | 1 ns | 200 Na @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 15 Ma | 2.2pf @ 0v, 1 MHz | |||||
![]() | SS33-E3/9AT | 0,6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SS33 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||||
![]() | MBR790 C0G | - - - | ![]() | 7322 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | MBR790 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 920 MV @ 7,5 a | 100 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - - - | |||||
![]() | JantX1N6642UB | - - - | ![]() | 1759 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/578 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | Standard | UB | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 75 V | 1,2 V @ 100 mA | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300 ma | - - - | |||||
![]() | 1n2134r | 74.5200 | ![]() | 8032 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2134r | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 350 V | 1,25 V @ 200 a | 25 µA @ 350 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - | |||||||
![]() | SS315A | 0,3700 | ![]() | 3702 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 900 mv @ 3 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||
![]() | VS-C5PH3012L-N3 | 3.2500 | ![]() | 713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | C5PH3012 | Standard | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-C5PH3012L-N3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 2,5 V @ 15 a | 95 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||
![]() | SK59C R7G | 0,7800 | ![]() | 78 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SK59 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 850 mv @ 5 a | 300 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||
![]() | NRVB860MFST1G | 0,9400 | ![]() | 6400 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NRVB860 | Schottky | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 800 mv @ 8 a | 150 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||||
![]() | Jan1N6942UTK3 | - - - | ![]() | 2227 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 460 mv @ 50 a | 5 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150a | 7000pf @ 5v, 1 MHz | |||||||
![]() | MBRD320 | - - - | ![]() | 2507 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MBRD320 | Schottky | Dpak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 600 mv @ 3 a | 200 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||
![]() | 1SR139-600T-31 | - - - | ![]() | 8843 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-41 Mini, axial | 1SR139 | Standard | Msr | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1SR139600T31 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 1a | - - - | ||||
![]() | SBR8045R | 138.6150 | ![]() | 9386 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 740 mv @ 80 a | -65 ° C ~ 175 ° C. | 80a | - - - | ||||||||
![]() | R6101030xxyz | - - - | ![]() | 9111 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis, Stollenberg | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 7 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,4 V @ 800 a | 13 µs | 50 mA @ 1000 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 300a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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