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Einzeldioden (57622)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sba130as_r1_00001 | 0,2900 |  | 13 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Sba130 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-SBA130AS_R1_00001TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 470 mv @ 1 a | 100 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||
 | 1N4148WXHE3-TP | 0,2100 | | 1 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 1N4148 | Standard | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 25 Na @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||
 | Es1dvh | 0,0984 | | 2343 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1d | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 920 mv @ 1 a | 15 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | VS-305U250P4 | - - - | | 8509 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | 305U250 | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS305U250P4 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2500 V | 1,46 V @ 942 a | -40 ° C ~ 180 ° C. | 300a | - - - | |||
 | BAS16W-7 | 0,3900 | | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Bas16 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||
 | STPS3150RL | 0,6600 | | 16 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | STPS3150 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.900 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 820 MV @ 3 a | 2 µa @ 150 V | 175 ° C (max) | 3a | - - - | |||
 | SD103N10S10PV | - - - | | 2137 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Bolzenhalterung | Do-205AC, Do-30, Stud | SD103 | Standard | DO-205AC (DO-30) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *SD103N10S10PV | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 2,23 V @ 345 a | 1 µs | 35 mA @ 1000 v | -40 ° C ~ 125 ° C. | 110a | - - - | |
 | 20ETS08strr | - - - | | 5022 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 20ets08 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 20 a | 100 µa @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | |||
 | SD101A-tr | 0,3700 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | SD101 | Schottky | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 60 v | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | 125 ° C (max) | 30 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||
 | S1glw RVG | 0,4000 | | 2 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | S1g | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||
 | S4pbhm3_a/i | 0,1980 | | 1946 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | S4p | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 4 a | 2,5 µs | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||
| ES2BA M2G | - - - | | 2095 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | ES2B | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | SE10DG-M3/i | 0,8900 | | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | SE10 | Standard | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,15 V @ 10 a | 3 µs | 15 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 67PF @ 4V, 1 MHz | ||
 | JantX1N5822.tr | - - - | | 4623 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Do-201ad, axial | Schottky, Umgekehrte Polarität | Do-201ad | Herunterladen | 600-Jantx1n5822.tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 525 mv @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | ||||||
 | V7nm103-m3/i | 0,5600 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 2-vdfn | V7nm103 | Schottky | DFN3820A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 720 mv @ 7 a | 160 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2.3a | 770pf @ 4V, 1 MHz | |||||
 | SK15H45 B0G | - - - | | 1647 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | R-6, axial | SK15 | Schottky | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 560 mv @ 15 a | 150 µa @ 45 V | 200 ° C (max) | 15a | - - - | |||
 | UFS340JE3/TR13 | 1.3050 | | 6016 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | UFS340 | Standard | Do-214AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||
 | SR5150H-AP | 0,1667 | | 6827 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | SR5150 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | 353-SR5150H-AP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 850 mv @ 5 a | 500 NA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | |||||
 | 1N457A_T50R | - - - | | 9376 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N457 | Standard | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 30.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1 V @ 100 mA | 25 na @ 60 v | 175 ° C (max) | 200 ma | 8PF @ 0V, 1 MHz | ||||
 | 1N5554 | - - - | | 4819 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Axial | 1N5554 | Standard | Axial | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1n5554s | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1 V @ 3 a | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | - - - | 5a | 92pf @ 5v, 1 MHz | |||
 | RSX205lam30tr | 0,4700 | | 17 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RSX205 | Schottky | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 490 mv @ 2 a | 200 µA @ 30 V. | 150 ° C (max) | 2a | - - - | |||
 | S1MLHMQG | - - - | | 2712 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1ml | Standard | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4v, 1 MHz | ||
 | HT13G A1G | - - - | | 6134 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | T-18, axial | HT13 | Standard | TS-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||
 | SSA23L-M3/61T | 0,1041 | | 7362 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SSA23 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 450 mV @ 2 a | 200 µA @ 30 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||
 | D1481N65TVFXPSA1 | 969.6225 | | 9103 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | Chassis -berg | Do-200AC, K-Puk | D1481N65 | Standard | BG-D7626K-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 6800 v | 1,8 V @ 2500 a | 50 mA @ 6800 V | 160 ° C (max) | 2200a | - - - | |||
 | SK52BH | - - - | | 2616 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 5 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||
 | VS-ETL1506-1-M3 | 0,7542 | | 2256 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | ETL1506 | Standard | To-262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSETL15061M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,07 V @ 15 a | 210 ns | 15 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | |
 | RGP15DHE3/54 | - - - | | 5211 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | RGP15 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | - - - | ||
| Fesb8bt-e3/45 | 0,6141 | | 3007 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fesb8 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||
 | FR153-AP | - - - | | 8270 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | FR153 | Standard | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz |
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