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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Mur460im_ay_00001 | 0,5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Mur460 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,28 V @ 4 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | |||
![]() | UGB5HT-E3/81 | - - - | ![]() | 9165 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | UGB5 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,75 V @ 5 a | 50 ns | 30 µa @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||
![]() | PMEG6002EBF | 0,4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | PMEG6002 | Schottky | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 60 v | 600 MV @ 200 Ma | 100 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | 200 ma | 14PF @ 1V, 1 MHz | |||
HER602-AP | - - - | ![]() | 6856 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | R-6, axial | HER602 | Standard | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 6 a | 50 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 100pf @ 4v, 1 MHz | ||||
![]() | SMBD1015LT1 | 0,0200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | Rs1afa | - - - | ![]() | 4282 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | Standard | SOD-123FA | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||
![]() | SS86C-HF | 0,2190 | ![]() | 5565 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SS86 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 8 a | 1 ma @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 400PF @ 4V, 1 MHz | ||||
![]() | EGP10A-M3/54 | - - - | ![]() | 5485 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | EGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 22PF @ 4V, 1 MHz | ||
![]() | MUR460S R7G | - - - | ![]() | 2889 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Mur460 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 4 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65PF @ 4V, 1 MHz | ||
![]() | RHRD460S9A | 0,4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Lawine | To-252-3 (dpak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2.1 V @ 4 a | 35 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | |||
![]() | VS-MBRB735TRL-M3 | 0,5595 | ![]() | 9377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB735 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 570 mv @ 7,5 a | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | 400PF @ 5V, 1 MHz | |||
![]() | 1SS401 (TE85L, F) | 0,2700 | ![]() | 635 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 1SSSS401 | Schottky | SC-70 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 450 MV @ 300 mA | 50 µa @ 20 V | 125 ° C (max) | 300 ma | 46PF @ 0V, 1 MHz | ||||
RS1GH | 0,0712 | ![]() | 3092 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RS1G | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||
Es1fh | 0,0930 | ![]() | 5936 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1f | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 16PF @ 4V, 1 MHz | |||
![]() | JANS1N6391 | - - - | ![]() | 2377 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/553 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Schottky | DO-203AA (DO-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 680 mv @ 50 a | 1,5 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 22.5a | 2000pf @ 5v, 1 MHz | |||||
![]() | DST5100S | 0,8300 | ![]() | 7790 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | DST5100 | Schottky | To-277b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 750 mv @ 5 a | 120 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 245PF @ 5V, 1 MHz | |||
CDBU0320 | 0,0680 | ![]() | 5770 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | Schottky | 0603 (1608 Metrik) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 600 MV @ 200 Ma | 6.4 ns | 5 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | 350 Ma | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||
![]() | SB350-B | - - - | ![]() | 2872 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 740 mv @ 3 a | 500 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||
![]() | SCSPF2L | - - - | ![]() | 1774 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | - - - | Modul | SCSPF2 | Standard | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,4 V @ 50 a | 200 ns | 13 µa @ 200 V. | 150 ° C (max) | 50a | - - - | |||
![]() | BAV19W-HF | 0,2500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 120 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||
![]() | SS26 | 0,0990 | ![]() | 9018 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SS26 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 400 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | |||
![]() | Jan1N5615/Tr | 4.6800 | ![]() | 6623 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/429 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5615/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,6 V @ 3 a | 150 ns | 500 NA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||
![]() | SIDC30D120H6X1SA4 | - - - | ![]() | 8048 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Sterben | SIDC30D | Standard | Sägen auf Folie | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 50 a | 27 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - - - | |||
![]() | PR3002-T | - - - | ![]() | 7144 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,2 V @ 3 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||
![]() | BAS16HYFHT116 | 0,4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas16 | Standard | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C. | 215 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||
![]() | MUR360S R7 | - - - | ![]() | 2873 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MUR360SR7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||
![]() | D841S45TXPSA1 | - - - | ![]() | 5469 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | D841S45 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 6 | ||||||||||||||
![]() | NSB8KT-E3/45 | 0,5059 | ![]() | 9111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NSB8 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 8 a | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 55PF @ 4V, 1 MHz | |||
![]() | Bar43 | - - - | ![]() | 7375 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bar4 | Schottky | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 810 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 500 NA @ 25 V. | 150 ° C (max) | 200 ma | - - - | ||
![]() | Cs3d-e3/i | - - - | ![]() | 1320 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | CS3 | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,15 V @ 3 a | 2,8 µs | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 26pf @ 4v, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus