- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Einzeldioden (57622)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RGF1B | 0,4400 |  | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RGF1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8.5PF @ 4V, 1 MHz | ||
 | GL41M-E3/97 | 0,4500 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | GL41 | Standard | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,2 V @ 1 a | 10 µa @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | |||
 | 1N5408RL | - - - | | 8361 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | 1N5408 | Standard | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 1000 V | -65 ° C ~ 170 ° C. | 3a | - - - | |||
 | SS24F-HF | 0,0608 | | 7424 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS24 | Schottky | Smaf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 160pf @ 4V, 1 MHz | ||||
 | SD103AW-7-F | 0,4000 | | 172 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SD103 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 350 Ma | 28PF @ 0V, 1MHz | ||
 | Gas06520h | - - - | | 9313 | 0.00000000 | Global Power Technology Co. Ltd. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220f | - - - | Verkäfer undefiniert | 4436-gas06520h | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 1390pf @ 0v, 1 MHz | ||||||
 | UGF10J | - - - | | 8955 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Standard | ITO-220AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-ugf10j | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2 V @ 10 a | 25 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||
 | VS-5EWX06FNTRRRR-M3 | 0,3652 | | 6898 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 5EWX06 | Standard | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS5EWX06FNTRRM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,9 V @ 5 a | 18 ns | 20 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | |
 | 1N4743CRL | 0,0600 | | 42 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | |||||||||||||||
 | SR103HB0G | - - - | | 7897 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SR103 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 500 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | |||
| SJPE-H4 | - - - | | 5501 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, j-Lead | Schottky | SJP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | SJPE-H4 DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 mv @ 2 a | 50 µa @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||
 | VS-MBR1100 | - - - | | 5679 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | MBR1 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mV @ 1 a | 500 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 35PF @ 5V, 1 MHz | |||
| GP10G-013M3/54 | - - - | | 1072 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||
| MUR310S M6 | - - - | | 7388 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MUR310SM6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 875 mv @ 3 a | 25 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||
| KYZ35K4 | 1.8995 | | 500 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Kasten | Aktiv | K. Loch | Do-208aa | Standard | Do-208 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2796-kyz35k4 | 8541.10.0000 | 500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 35 a | 1,5 µs | 100 µa @ 400 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - - - | ||||
 | 1N4936GP-TP | 0,0418 | | 4454 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4936 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||
 | SS2P4HM3/84A | 0,4900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS2P4 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 2 a | 150 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||
| Rurd420s | - - - | | 5297 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Standard | D-Pak (to-252) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 44 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 4 a | 35 ns | 100 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | |||
 | BD845YS_L2_00001 | 0,3456 | | 9087 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | BD845 | Schottky | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 75.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 700 mv @ 8 a | 50 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||
 | SS310A | 0,0460 | | 500 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-SS310ATR | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||
 | SBRT15U100SP5-13 | 0,8900 | | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBRT15 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 700 mv @ 15 a | 200 µA @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | |||
 | 1N914ATR | 0,3600 | | 123 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N914a | Standard | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1 V @ 20 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||
 | SM5063-CT | 0,3070 | | 1867 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Streiflen | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | SM5063 | Standard | Melf Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2721-SM5063-CT | 8541.10.0000 | 30 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 2 a | 1,5 µs | 5 µa @ 1 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||
 | SS26 | - - - | | 4225 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SS26 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 400 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - - - | |||
| 1N4004e-e3/73 | - - - | | 5397 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4004 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||
| MBR4060PTE3/TU | - - - | | 1258 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Rohr | Aktiv | MBR4060 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | ||||||||||||||
 | Es2jal | 0,4200 | | 425 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | Es2j | Standard | Dünner SMA | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 2 a | 35 ns | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||
 | EAL1B | 0,0799 | | 2 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Lawine | Do-213aa, Mini-Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-EL1BTR | 8541.10.0000 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 3 µa @ 100 V. | -50 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||
| OB2052V | - - - | | 2423 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | * | Rohr | Veraltet | OB2052 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 934070134005 | Veraltet | 0000.00.0000 | 63.243 | |||||||||||||||
 | Es3d | - - - | | 7304 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Es3 | Standard | SMC (Do-214AB) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Es3dsmc | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)