Alliance Memory, Inc.

Alliance Memory ist ein weltweiter Fabless-Hersteller von Speicherprodukten älterer und neuer Technologie, die Pin-für-Pin-Drop-in-Ersatz für SRAM-, DRAM- und NOR-FLASH-ICs von Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix und anderen sind. Ihr Produktportfolio umfasst eine vollständige Palette asynchroner 3,3-V- und 5-V-SRAMs, die mit gängigen digitalen Signalprozessoren (DSPs) und Mikrocontrollern verwendet werden; und synchrone SRAMs, Low-Power-SRAMs, Pseudo-SRAMs, 3,3 V synchrone DRAMs (SDR), mobile DDRs, 2,5 V Single (DDR1), 1,8 V Double (DDR2) und 1,5 V und 1,35 V Triple Rate (DDR3) 1,2 V Quadruple Rate (DDR4) synchrone DRAMs sowie 5 V Parallel NOR Flash-Geräte. Eine hohe Investition in Wafer-Chips bedeutet, dass sie die Chip-Schrumpfung minimieren oder eliminieren und gleichzeitig eine stabile Preisgestaltung gewährleisten können. Ihr Ziel ist es, langfristige Beziehungen zu Kunden aufzubauen und einen langfristigen Support für die von ihnen hergestellten Teile zu bieten. Alliance Memory liefert die meisten seiner SRAM-, DRAM- und FLASH-Produkte direkt ab Lager, wobei die Bestände in den USA, Shanghai und Taiwan gelagert werden. Ihre wettbewerbsfähigen Preise, die schnelle Musterbearbeitung sowie der erstklassige Kundendienst und Support haben Alliance Memory zu einer vertrauenswürdigen Ressource für eine wachsende Auswahl unverzichtbarer Speicher-ICs für die Kommunikations-, Computer-, Embedded-, IoT-, Industrie- und Verbrauchermärkte gemacht. Alliance Memory, Inc. ist ein privat geführtes Unternehmen mit Hauptsitz in Kirkland, Washington.