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Isolatoren (2050)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Eingabetyp Anzahl der Kanäle Ausgabetyp Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Strom – Ausgang/Kanal Datenrate Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) Spannung – Ausgang (max.) Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) Strom – DC-Vorwärtsstrom (fällt) (max.) Spannung – Isolation Eingänge – Seite 1/Seite 2 Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.) Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) Ein-/Ausschaltzeit (Typ) VCE-Sättigung (Max)
TLP2270(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270(LF4,E 3.0900
Anfrage
 ECAD 8042 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 8-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP2270 Wechselstrom, Gleichstrom 2 Push-Pull, Totempfahl 2,7 V ~ 5,5 V 8-SO herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 75 10mA 20 MBd 1,3 ns, 1 ns 1,5V 8mA 5000 Vrms 2/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP781(D4-GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GR-TP6,F -
Anfrage
 ECAD 8326 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP781 Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781(D4-GR-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP628M(GB-TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(GB-TP1,E 0,9100
Anfrage
 ECAD 4514 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP628 Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 5,5µs, 10µs 350V 1,25 V 50mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 10µs, 10µs 400 mV
TLP291(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GR-TP,E) -
Anfrage
 ECAD 7257 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179 Zoll, 4,55 mm Breite) TLP291 Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 4µs, 7µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 7µs, 7µs 300 mV
TLP718F(D4-FA-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F(D4-FA-TP,F -
Anfrage
 ECAD 5186 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,268", 6,80 mm Breite) Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 4,5 V ~ 20 V 6-SDIP Möwenflügel herunterladen 264-TLP718F(D4-FA-TPF EAR99 8541.49.8000 1 5 Mbit/s - - - 5000 Vrms 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP550(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(FANUC,F) -
Anfrage
 ECAD 6079 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP550 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP550(FANUCF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP733F(GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(GB,M,F) -
Anfrage
 ECAD 2930 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP733 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP733F(GBMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2368(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2368(TPR,E 0,6028
Anfrage
 ECAD 2105 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,179 Zoll, 4,55 mm Breite), 5 Anschlüsse TLP2368 Gleichstrom 1 Open Collector 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 Blei herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP2368(TPRE EAR99 8541.49.8000 3.000 25mA 20 MBd 30ns, 30ns 1,55 V 25mA 3750 Vrms 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP731(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(GR,F) -
Anfrage
 ECAD 7253 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP731 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP731(GRF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP9104A(ND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(ND-TL,F) -
Anfrage
 ECAD 9141 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Schüttgut Veraltet - 264-TLP9104A(ND-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP5772(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772(D4,E 2.4500
Anfrage
 ECAD 4839 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40°C ~ 110°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP5772 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 10V ~ 30V 6-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP5772(D4E EAR99 8541.49.8000 125 - 15ns, 8ns 1,65 V 8mA 5000 Vrms 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP750(D4-O-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-O-TP1,F) -
Anfrage
 ECAD 5978 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP750 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP750(D4-O-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP624-2(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2(LF5,F) -
Anfrage
 ECAD 2717 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP624 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP624-2(LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2768(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768(TP,F) -
Anfrage
 ECAD 6523 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,268", 6,80 mm Breite) TLP2768 Gleichstrom 1 Offener Kollektor, Schottky-Klemme 2,7 V ~ 5,5 V 6-SDIP Möwenflügel herunterladen 264-TLP2768(TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 20 MBd 30ns, 30ns 1,55 V 25mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP759(D4MBIMT1J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4MBIMT1J,F -
Anfrage
 ECAD 3454 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP759 Gleichstrom 1 Transistor mit Sockel 8-DIP herunterladen 264-TLP759(D4MBIMT1JF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - - 1,65 V 25mA 5000 Vrms 20 % bei 16 mA - - -
TLP2200(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200(LF1,F) -
Anfrage
 ECAD 4746 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP2200 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP2200(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2451(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2451(F) -
Anfrage
 ECAD 9513 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP2451 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP2451(F) EAR99 8541.49.8000 100
TLP250HF(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF(D4-LF4,F) -
Anfrage
 ECAD 2051 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 8-SMD, Gull Wing TLP250 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 10V ~ 30V 8-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP250HF(D4-LF4F) EAR99 8541.49.8000 50 2 A - 50ns, 50ns 1,57 V 5mA 3750 Vrms 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP358(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358(TP5,F) -
Anfrage
 ECAD 9877 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 8-SMD, Gull Wing TLP358 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 15V ~ 30V 8-SMD herunterladen 264-TLP358(TP5F) EAR99 8541.49.8000 1 5,5 A - 17ns, 17ns 1,57 V 20mA 3750 Vrms 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
TLP532(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(GR-LF2,F) -
Anfrage
 ECAD 1206 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP532 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP532(GR-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-TELS,F) -
Anfrage
 ECAD 1749 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781(D4-TELSF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLX9185(PEDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(PEDGBTLF(O -
Anfrage
 ECAD 2766 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Schüttgut Veraltet - 264-TLX9185(PEDGBTLF(O EAR99 8541.49.8000 1
TLP160J(V4T7TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4T7TRUC,F -
Anfrage
 ECAD 5602 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP160J - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP160J(V4T7TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP5702H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(LF4,E 1.8500
Anfrage
 ECAD 6302 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP5702 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 10V ~ 30V 6-SO herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1,65 V 20mA 5000 Vrms 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP185(GRH-TR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GRH-TR,SE -
Anfrage
 ECAD 1163 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP185 Gleichstrom 1 Transistor mit Sockel 6-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP185(GRH-TRSE EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 150 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP785F(LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(LF7,F -
Anfrage
 ECAD 9999 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785F(LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP550(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(PP,F) -
Anfrage
 ECAD 9422 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP550 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP550(PPF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(Y-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(Y-TP7,F) -
Anfrage
 ECAD 1764 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(Y-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP9114B(PED-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(PED-TL,F) -
Anfrage
 ECAD 8768 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Schüttgut Veraltet - 264-TLP9114B(PED-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP627M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(E 0,9000
Anfrage
 ECAD 8368 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP627 Gleichstrom 1 Darlington 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP627M(E EAR99 8541.49.8000 100 150mA 60µs, 30µs 300V 1,25 V 50mA 5000 Vrms - 1000 % bei 1 mA 110µs, 30µs 1,2V
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    Standardprodukteinheit

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