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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Eingabetyp | Anzahl der Kanäle | Ausgabetyp | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Strom – Ausgang/Kanal | Datenrate | Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) | Spannung – Ausgang (max.) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) | Strom – DC-Vorwärtsstrom (fällt) (max.) | Spannung – Isolation | Eingänge – Seite 1/Seite 2 | Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.) | Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) | Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | Ein-/Ausschaltzeit (Typ) | VCE-Sättigung (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP2270(LF4,E | 3.0900 | ![]() | 8042 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -40 °C ~ 125 °C | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | TLP2270 | Wechselstrom, Gleichstrom | 2 | Push-Pull, Totempfahl | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SO | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.49.8000 | 75 | 10mA | 20 MBd | 1,3 ns, 1 ns | 1,5V | 8mA | 5000 Vrms | 2/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||
![]() | TLP781(D4-GR-TP6,F | - | ![]() | 8326 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55 °C ~ 110 °C | Oberflächenmontage | 4-SMD, Gull Wing | TLP781 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-SMD | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP781(D4-GR-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60mA | 5000 Vrms | 100 % bei 5 mA | 300 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | |||||||
![]() | TLP628M(GB-TP1,E | 0,9100 | ![]() | 4514 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55 °C ~ 125 °C | Oberflächenmontage | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP628 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-SMD | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 5,5µs, 10µs | 350V | 1,25 V | 50mA | 5000 Vrms | 100 % bei 5 mA | 600 % bei 5 mA | 10µs, 10µs | 400 mV | ||||||||
![]() | TLP291(GR-TP,E) | - | ![]() | 7257 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Oberflächenmontage | 4-SOIC (0,179 Zoll, 4,55 mm Breite) | TLP291 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-SO | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 4µs, 7µs | 80V | 1,25 V | 50mA | 3750 Vrms | 100 % bei 5 mA | 300 % bei 5 mA | 7µs, 7µs | 300 mV | |||||||
![]() | TLP718F(D4-FA-TP,F | - | ![]() | 5186 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 100°C | Oberflächenmontage | 6-SOIC (0,268", 6,80 mm Breite) | Gleichstrom | 1 | Push-Pull, Totempfahl | 4,5 V ~ 20 V | 6-SDIP Möwenflügel | herunterladen | 264-TLP718F(D4-FA-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5 Mbit/s | - | - | - | 5000 Vrms | 1/0 | 10kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||
![]() | TLP550(FANUC,F) | - | ![]() | 6079 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Rohr | Veraltet | TLP550 | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP550(FANUCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP733F(GB,M,F) | - | ![]() | 2930 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Rohr | Veraltet | TLP733 | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP733F(GBMF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP2368(TPR,E | 0,6028 | ![]() | 2105 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40 °C ~ 125 °C | Oberflächenmontage | 6-SOIC (0,179 Zoll, 4,55 mm Breite), 5 Anschlüsse | TLP2368 | Gleichstrom | 1 | Open Collector | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Blei | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | TLP2368(TPRE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25mA | 20 MBd | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25mA | 3750 Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | |||||||
![]() | TLP731(GR,F) | - | ![]() | 7253 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Rohr | Veraltet | TLP731 | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP731(GRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP9104A(ND-TL,F) | - | ![]() | 9141 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Schüttgut | Veraltet | - | 264-TLP9104A(ND-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| TLP5772(D4,E | 2.4500 | ![]() | 4839 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 110°C | Oberflächenmontage | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | TLP5772 | Gleichstrom | 1 | Push-Pull, Totempfahl | 10V ~ 30V | 6-SO | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | TLP5772(D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 15ns, 8ns | 1,65 V | 8mA | 5000 Vrms | 1/0 | 35kV/µs | 150ns, 150ns | ||||||||
![]() | TLP750(D4-O-TP1,F) | - | ![]() | 5978 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Rohr | Veraltet | TLP750 | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP750(D4-O-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP624-2(LF5,F) | - | ![]() | 2717 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Rohr | Veraltet | TLP624 | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP624-2(LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2768(TP,F) | - | ![]() | 6523 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -40 °C ~ 125 °C | Oberflächenmontage | 6-SOIC (0,268", 6,80 mm Breite) | TLP2768 | Gleichstrom | 1 | Offener Kollektor, Schottky-Klemme | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SDIP Möwenflügel | herunterladen | 264-TLP2768(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25mA | 20 MBd | 30ns, 30ns | 1,55 V | 25mA | 5000 Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||
![]() | TLP759(D4MBIMT1J,F | - | ![]() | 3454 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -55 °C ~ 100 °C | Durchgangsloch | 8-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP759 | Gleichstrom | 1 | Transistor mit Sockel | 8-DIP | herunterladen | 264-TLP759(D4MBIMT1JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | - | 1,65 V | 25mA | 5000 Vrms | 20 % bei 16 mA | - | - | - | ||||||||
![]() | TLP2200(LF1,F) | - | ![]() | 4746 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Rohr | Veraltet | TLP2200 | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP2200(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2451(F) | - | ![]() | 9513 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Rohr | Veraltet | TLP2451 | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP2451(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP250HF(D4-LF4,F) | - | ![]() | 2051 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -40 °C ~ 125 °C | Oberflächenmontage | 8-SMD, Gull Wing | TLP250 | Gleichstrom | 1 | Push-Pull, Totempfahl | 10V ~ 30V | 8-SMD | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP250HF(D4-LF4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2 A | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 5mA | 3750 Vrms | 1/0 | 40kV/µs | 500ns, 500ns | |||||||
![]() | TLP358(TP5,F) | - | ![]() | 9877 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 100°C | Oberflächenmontage | 8-SMD, Gull Wing | TLP358 | Gleichstrom | 1 | Push-Pull, Totempfahl | 15V ~ 30V | 8-SMD | herunterladen | 264-TLP358(TP5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 5,5 A | - | 17ns, 17ns | 1,57 V | 20mA | 3750 Vrms | 1/0 | 20kV/µs | 500ns, 500ns | ||||||||
![]() | TLP532(GR-LF2,F) | - | ![]() | 1206 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Rohr | Veraltet | TLP532 | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP532(GR-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP781(D4-TELS,F) | - | ![]() | 1749 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Veraltet | -55 °C ~ 110 °C | Durchgangsloch | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-DIP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP781(D4-TELSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60mA | 5000 Vrms | 50 % bei 5 mA | 600 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | |||||||
![]() | TLX9185(PEDGBTLF(O | - | ![]() | 2766 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Schüttgut | Veraltet | - | 264-TLX9185(PEDGBTLF(O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP160J(V4T7TRUC,F | - | ![]() | 5602 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Tape & Reel (TR) | Veraltet | TLP160J | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP160J(V4T7TRUCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP5702H(LF4,E | 1.8500 | ![]() | 6302 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -40 °C ~ 125 °C | Oberflächenmontage | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | TLP5702 | Gleichstrom | 1 | Push-Pull, Totempfahl | 10V ~ 30V | 6-SO | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns, 50ns | 1,65 V | 20mA | 5000 Vrms | 1/0 | 50kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||
![]() | TLP185(GRH-TR,SE | - | ![]() | 1163 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Oberflächenmontage | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse | TLP185 | Gleichstrom | 1 | Transistor mit Sockel | 6-SOP | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | TLP185(GRH-TRSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50mA | 3750 Vrms | 150 % bei 5 mA | 300 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 300 mV | ||||||
![]() | TLP785F(LF7,F | - | ![]() | 9999 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Oberflächenmontage | 4-SMD, Gull Wing | TLP785 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-SMD | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP785F(LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60mA | 5000 Vrms | 50 % bei 5 mA | 600 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | |||||||
![]() | TLP550(PP,F) | - | ![]() | 9422 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Rohr | Veraltet | TLP550 | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP550(PPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP781F(Y-TP7,F) | - | ![]() | 1764 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55 °C ~ 110 °C | Oberflächenmontage | 4-SMD, Gull Wing | TLP781F | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-SMD | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP781F(Y-TP7F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60mA | 5000 Vrms | 50 % bei 5 mA | 150 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | |||||||
![]() | TLP9114B(PED-TL,F) | - | ![]() | 8768 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Schüttgut | Veraltet | - | 264-TLP9114B(PED-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP627M(E | 0,9000 | ![]() | 8368 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Durchgangsloch | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP627 | Gleichstrom | 1 | Darlington | 4-DIP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP627M(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150mA | 60µs, 30µs | 300V | 1,25 V | 50mA | 5000 Vrms | - | 1000 % bei 1 mA | 110µs, 30µs | 1,2V |

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