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Isolatoren (2050)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Eingabetyp Technologie Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgabetyp Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Strom – Ausgang hoch, niedrig Strom – Ausgang/Kanal Datenrate Strom – Spitzenleistung Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) Spannung – Ausgang (max.) Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) Strom – DC-Vorwärtsstrom (fällt) (max.) Spannung – Isolation Spannung – Aus-Zustand Strom – Einschaltzustand (It (RMS)) (Max) Aktuell – Halten (Ih) Eingänge – Seite 1/Seite 2 Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.) Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) Impulsbreitenverzerrung (max.) Spannung – Ausgangsversorgung Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) Ein-/Ausschaltzeit (Typ) VCE-Sättigung (Max) Nulldurchgangsschaltung Statischer dV/dt (Min) Strom – LED-Trigger (Ift) (Max) Einschaltzeit
TLP250(D4INV-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(D4INV-TP5,F -
Anfrage
 ECAD 1059 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP250 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP250(D4INV-TP5FTR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP785(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-GB,F -
Anfrage
 ECAD 1379 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785(D4-GBF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP385(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GR-TPL,E 0,5600
Anfrage
 ECAD 1320 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP385 Gleichstrom 1 Transistor 6-SO, 4 Blei herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP701A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701A(F) -
Anfrage
 ECAD 7993 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,268", 6,80 mm Breite) TLP701 Optische Kopplung cUL, UL 1 6-SDIP Möwenflügel herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP701AF EAR99 8541.49.8000 100 400mA, 400mA 600mA 50ns, 50ns 1,57 V 25mA 5000 Vrms 20kV/µs 500ns, 500ns 350ns 10V ~ 30V
TLP715(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715(D4-TP,F) -
Anfrage
 ECAD 6489 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,268", 6,80 mm Breite) TLP715 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 4,5 V ~ 20 V 6-SDIP Möwenflügel herunterladen 264-TLP715(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 5 Mbit/s 30ns, 30ns 1,6V 20mA 5000 Vrms 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP3083F(D4,TP4F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F(D4,TP4F 1.7800
Anfrage
 ECAD 8946 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SMD, Gull Wing, 5 Anschlüsse TLP3083 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 50mA 5000 Vrms 800 V 100mA 600µA Ja 2kV/µs (typisch) 5mA -
TLP512(TOJS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(TOJS,F) -
Anfrage
 ECAD 5010 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP512 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP512(TOJSF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP632(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(GB-LF2,F) -
Anfrage
 ECAD 1145 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP632 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP632(GB-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781(DLT-HR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(DLT-HR,F) -
Anfrage
 ECAD 9568 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781(DLT-HRF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP2955(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955(D4-TP1,F) -
Anfrage
 ECAD 6345 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 8-SMD, Gull Wing Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 3V ~ 20V 8-SMD herunterladen 264-TLP2955(D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 5 Mbit/s 1,55 V 25mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP127(TEE-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(TEE-TPR,F) -
Anfrage
 ECAD 8429 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP127 Gleichstrom 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Leitungen - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP127(TEE-TPRF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 50mA 2500 Vrms 1000 % bei 1 mA - 50µs, 15µs 1,2V
TLP701H(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701H(TP,F) 0,5373
Anfrage
 ECAD 4868 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Letzter Kauf -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,268", 6,80 mm Breite) TLP701 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 10V ~ 30V 6-SDIP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP701H(TPF) EAR99 8541.49.8000 1.500 600 mA - 50ns, 50ns 1,57 V 25mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 700ns, 700ns
TLP732(D4COS-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4COS-LF2,F -
Anfrage
 ECAD 9163 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP732 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP732(D4COS-LF2F EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GR,F 0,7200
Anfrage
 ECAD 100 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen RoHS-konform Nicht zutreffend TLP785F(GRF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP785F(D4TEET7F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4TEET7F -
Anfrage
 ECAD 5501 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785F(D4TEET7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP185(GRH-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GRH-TL,SE 0,6000
Anfrage
 ECAD 16 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP185 Gleichstrom 1 Transistor 6-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 150 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP531(GR-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(GR-LF1,F) -
Anfrage
 ECAD 7867 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP531 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP531(GR-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP121(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GB,F) -
Anfrage
 ECAD 3007 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP121 Gleichstrom 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Leitungen - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP121(GBF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP781F(D4-Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-Y-LF7,F -
Anfrage
 ECAD 9772 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4-Y-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP292(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(TPL,E 0,5700
Anfrage
 ECAD 14 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179 Zoll, 4,55 mm Breite) TLP292 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP700AF(D4-TP,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700AF(D4-TP,S) -
Anfrage
 ECAD 3045 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP700 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP700AF(D4-TPS)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP781(D4GRT6-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRT6-SD,F -
Anfrage
 ECAD 6920 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781(D4GRT6-SDFTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP291(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BL-TP,SE 0,6100
Anfrage
 ECAD 7938 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179 Zoll, 4,55 mm Breite) TLP291 Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 200 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
4N35(SHORT-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35(KURZ-LF1,F) -
Anfrage
 ECAD 6362 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet 4N35 - 1 (Unbegrenzt) 264-4N35(KURZ-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5702H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(E 1.7100
Anfrage
 ECAD 9055 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP5702 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 10V ~ 30V 6-SO herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP5702H(E EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1,65 V 20mA 5000 Vrms 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP2105(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2105(TP,F) 1.5759
Anfrage
 ECAD 6457 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) TLP2105 Gleichstrom 2 Push-Pull, Totempfahl 4,5 V ~ 20 V 8-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP2105(TPF) EAR99 8541.49.8000 2.500 25mA 5 Mbit/s 30ns, 30ns 1,65 V 20mA 2500 Vrms 2/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP127(TOKUD-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(TOKUD-TPL,F -
Anfrage
 ECAD 2831 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP127 Gleichstrom 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Leitungen - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP127(TOKUD-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 50mA 2500 Vrms 1000 % bei 1 mA - 50µs, 15µs 1,2V
TLP781F(D4DLTGRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4DLTGRL,F -
Anfrage
 ECAD 4669 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4DLTGRLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 200 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP512(NEMIC-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(NEMIC-TP1,F -
Anfrage
 ECAD 8791 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP512 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP512(NEMIC-TP1FTR EAR99 8541.49.8000 1.500
4N35(SHORT-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35(SHORT-TP1,F) -
Anfrage
 ECAD 9664 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet 4N35 - 1 (Unbegrenzt) 264-4N35(SHORT-TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
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