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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP2363 (TPR, e | 1.0200 | ![]() | 7215 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2363 | DC | 1 | Offener Sammler | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 ma | 10 mbit / s | 23ns, 7ns | 1,5 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||
![]() | TLP350 (f) | - - - | ![]() | 1716 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP350 | Optische Kopplung | Ur | 1 | 8-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Tlp350f | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 2a, 2a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1,6 v | 20 ma | 3750 VRMs | 15kV/µs | 500 ns, 500 ns | - - - | 15 V ~ 30 V | ||||||||||||
![]() | TLP351 (TP5, Z, F) | - - - | ![]() | 2626 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP351 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP351 (TP5ZF) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tlp160g (siemtpls, f | - - - | ![]() | 8564 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP160 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP160G (siemtplsftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP5752 (D4-LF4, e | 2.5900 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5752 | Optische Kopplung | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 2,5a, 2,5a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | ||||||||||||||
TLP5774H (D4, e | 2.5100 | ![]() | 5366 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5774 | Kapazitive Koppung | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 4a, 4a | 4a | 56ns, 25ns | 1,65 v | 8 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V ~ 30 V | |||||||||||||||
![]() | TLP620-2 (Yask, F) | - - - | ![]() | 8282 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | AC, DC | 2 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP620-2 (Yaskf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | Tlp351 (f) | 1.9200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP351 | Optische Kopplung | - - - | 1 | 8-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 400 mA, 400 mA | 600 mA | 50ns, 50 ns | 1,55 v | 20 ma | 3750 VRMs | 10kV/µs | 700 ns, 700 ns | - - - | 10 V ~ 30 V | |||||||||||||
![]() | TLP620-2 (LF1, F) | - - - | ![]() | 5900 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP620 | AC, DC | 2 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | 264-TLP620-2 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||
![]() | TLP550 (LF5, F) | - - - | ![]() | 9974 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP550 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP550 (LF5F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP523 (f) | - - - | ![]() | 6046 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP523 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP523 (f) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP385 (GRH-TPL, e | 0,5600 | ![]() | 8469 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||
![]() | TLP531 (yg, f) | - - - | ![]() | 6694 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP531 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP531 (YGF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP628M (LF1, e | 0,9100 | ![]() | 2527 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd (0,300 ", 7,62 mm) | TLP628 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 5,5 µs, 10 µs | 350 V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 10 µs, 10 µs | 400mV | ||||||||||||||
![]() | TLP628M (GB-TP1, e | 0,9100 | ![]() | 4514 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd (0,300 ", 7,62 mm) | TLP628 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 5,5 µs, 10 µs | 350 V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 10 µs, 10 µs | 400mV | ||||||||||||||
TLP2368 (TPR, e | 0,6028 | ![]() | 2105 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2368 | DC | 1 | Offener Sammler | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2368 (TPRE | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 ma | 20mb | 30ns, 30ns | 1,55 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 60ns, 60 ns | |||||||||||||
![]() | Tlp785f (d4y-t7, f | - - - | ![]() | 5839 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (D4Y-T7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||
![]() | TLP250HF (D4-LF4, F) | - - - | ![]() | 2051 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP250 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 10 V ~ 30 V | 8-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP250HF (D4-LF4F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 2 a | - - - | 50ns, 50 ns | 1,57 v | 5ma | 3750 VRMs | 1/0 | 40 kV/µs | 500 ns, 500 ns | |||||||||||||
![]() | TLP108 (TPL, F) | - - - | ![]() | 7832 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | TLP108 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 20V | 6-mfsop, 5 Blei | Herunterladen | 264-TLP108 (TPLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 5 mbit / s | 30ns, 30ns | 1,57 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||
![]() | TLP2531 (Tosyk, F) | - - - | ![]() | 2768 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 2 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP2531 (Tosykf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | 15 v | 1,65 v | 25 ma | 2500 VRMs | 19% @ 16ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||
![]() | TLP701F (D4-TP, F) | - - - | ![]() | 8871 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP701 | Optische Kopplung | - - - | 1 | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | 264-TLP701F (D4-TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - - - | 600 mA | - - - | - - - | 5000 VRMs | 10kV/µs | 700 ns, 700 ns | - - - | 10 V ~ 30 V | |||||||||||||||
![]() | TLP532 (GR-LF2, F) | - - - | ![]() | 1206 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP532 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP532 (GR-LF2F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP160G (T7-TPR, U, F. | - - - | ![]() | 6615 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP160G | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP160G (T7-Tpruftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
TLP2398 (e | - - - | ![]() | 5334 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2398 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3v ~ 20V | 6-so, 5 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP2398 (ETR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 ma | 5 mbit / s | 15ns, 12ns | 1,5 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||
![]() | TLP716 (D4, F) | - - - | ![]() | 2223 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 5,5 V. | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | 264-TLP716 (D4F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 ma | 15mb | 15ns, 15ns | 1,65 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
![]() | TLP2348 (e | 1.1200 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2348 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 30 V | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP2348 (e | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 10 mbit / s | 3ns, 3ns | 1,55 v | 15 Ma | 3750 VRMs | 1/0 | 30kV/µs | 120ns, 120ns | ||||||||||||
![]() | TLP716F (ABB-TP, F) | - - - | ![]() | 6660 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP716 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 5,5 V. | 6-sdip | Herunterladen | 264-TLP716F (ABB-TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 10 ma | 15mb | 15ns, 15ns | 1,65 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||
![]() | TLP785 (GB, f | 0,2214 | ![]() | 1711 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | TLP785 | DC | 1 | Transistor | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785 (GBF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP331 (BV-LF1, F) | - - - | ![]() | 6076 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP331 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP331 (BV-LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2372 (V4-TPR, e | 1.9100 | ![]() | 4072 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2372 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,2 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 ma | 20 mbit / s | 2,2ns, 1,6 ns | 1,53 v | 8ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 75ns, 75ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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