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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgabetyp | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Strom – Ausgang hoch, niedrig | Strom – Ausgang/Kanal | Strom – Spitzenleistung | Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) | Spannung – Ausgang (max.) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) | Strom – DC-Vorwärtsstrom (fällt) (max.) | Spannung – Isolation | Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.) | Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) | Impulsbreitenverzerrung (max.) | Spannung – Ausgangsversorgung | Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | Ein-/Ausschaltzeit (Typ) | VCE-Sättigung (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP785F(D4GRF7,F | - | ![]() | 1395 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Durchgangsloch | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-DIP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP785F(D4GRF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60mA | 5000 Vrms | 100 % bei 5 mA | 300 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||
![]() | TLP620-2(LF1,F) | - | ![]() | 5900 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -55 °C ~ 100 °C | Oberflächenmontage | 8-SMD, Gull Wing | TLP620 | Wechselstrom, Gleichstrom | 2 | Transistor | 8-SMD | herunterladen | 264-TLP620-2(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 50mA | 5000 Vrms | 50 % bei 5 mA | 600 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||
![]() | TLP627M(D4-LF1,E | 0,9300 | ![]() | 4484 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Oberflächenmontage | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP627 | Gleichstrom | 1 | Darlington | 4-SMD | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150mA | 60µs, 30µs | 300V | 1,25 V | 50mA | 5000 Vrms | 1000 % bei 1 mA | - | 110µs, 30µs | 1,2V | |||||||||||
![]() | TLP127TPRUF | - | ![]() | 7557 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55 °C ~ 100 °C | Oberflächenmontage | 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing | TLP127 | Gleichstrom | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 Leitungen | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40µs, 15µs | 300V | 1,15 V | 50mA | 2500 Vrms | 1000 % bei 1 mA | - | 50µs, 15µs | 1,2V | ||||||||||
![]() | TLP781F(D4GR-LF7,F | - | ![]() | 8701 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Veraltet | -55 °C ~ 110 °C | Durchgangsloch | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-DIP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP781F(D4GR-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60mA | 5000 Vrms | 100 % bei 5 mA | 200 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||
![]() | TLPN137(D4TP1,S | - | ![]() | 6732 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Tape & Reel (TR) | Veraltet | TLPN137 | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLPN137(D4TP1STR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2531(TP1,F) | - | ![]() | 8249 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -55 °C ~ 100 °C | Oberflächenmontage | 8-SMD, Gull Wing | TLP2531 | Gleichstrom | 2 | Transistor mit Sockel | 8-SMD | herunterladen | 264-TLP2531(TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 15V | 1,65 V | 25mA | 2500 Vrms | 19 % bei 16 mA | 30 % bei 16 mA | 200 ns, 300 ns | - | |||||||||||
![]() | TLP781F(D4-BLL,F) | - | ![]() | 8857 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Veraltet | -55 °C ~ 110 °C | Durchgangsloch | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-DIP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP781F(D4-BLLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60mA | 5000 Vrms | 200 % bei 5 mA | 400 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||
![]() | TLP160J(V4OM5TRUCF | - | ![]() | 5428 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Tape & Reel (TR) | Veraltet | TLP160J | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP160J(V4OM5TRUCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP183(YH,E | 0,5100 | ![]() | 1248 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -55 °C ~ 125 °C | Oberflächenmontage | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse | TLP183 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 6-SOP | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | TLP183(YHE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50mA | 3750 Vrms | 75 % bei 5 mA | 150 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 300 mV | |||||||||
![]() | TLP291(E) | - | ![]() | 1657 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Oberflächenmontage | 4-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) | TLP291 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-SO | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mA | 4µs, 7µs | 80V | 1,25 V | 50mA | 3750 Vrms | 50 % bei 5 mA | 400 % bei 5 mA | 7µs, 7µs | 300 mV | ||||||||||
![]() | TLP385(D4BL-TR,E | 0,5600 | ![]() | 2213 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Oberflächenmontage | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse | TLP385 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 6-SO, 4 Blei | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50mA | 5000 Vrms | 200 % bei 5 mA | 600 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||
![]() | TLP781(Y,F) | - | ![]() | 2849 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Veraltet | -55 °C ~ 110 °C | Durchgangsloch | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-DIP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP781(YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60mA | 5000 Vrms | 50 % bei 5 mA | 150 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||
![]() | TLP183(GRL-TPL,E | 0,5100 | ![]() | 6712 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55 °C ~ 125 °C | Oberflächenmontage | 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse | TLP183 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 6-SOP | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50mA | 3750 Vrms | 100 % bei 5 mA | 200 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||
![]() | TLP291(Y-TP,SE | 0,6000 | ![]() | 1551 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Oberflächenmontage | 4-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) | TLP291 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-SO | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50mA | 3750 Vrms | 50 % bei 5 mA | 150 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||
![]() | TLP2531(QCPL4532,F | - | ![]() | 4357 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -55 °C ~ 100 °C | Durchgangsloch | 8-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP2531 | Gleichstrom | 2 | Transistor mit Sockel | 8-DIP | herunterladen | 264-TLP2531(QCPL4532F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 15V | 1,65 V | 25mA | 2500 Vrms | 19 % bei 16 mA | 30 % bei 16 mA | 200 ns, 300 ns | - | |||||||||||
![]() | TLP127(TEE-TPR,F) | - | ![]() | 8429 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -55 °C ~ 100 °C | Oberflächenmontage | 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing | TLP127 | Gleichstrom | 1 | Darlington | 6-MFSOP, 4 Leitungen | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP127(TEE-TPRF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 40µs, 15µs | 300V | 1,15 V | 50mA | 2500 Vrms | 1000 % bei 1 mA | - | 50µs, 15µs | 1,2V | ||||||||||
![]() | TLP630(TA,F) | - | ![]() | 4822 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -55 °C ~ 100 °C | Durchgangsloch | 6-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP630 | Wechselstrom, Gleichstrom | 1 | Transistor mit Sockel | 6-DIP | herunterladen | 264-TLP630(TAF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2µs, 3µs | 55V | 1,15 V | 60mA | 5000 Vrms | 50 % bei 5 mA | 600 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | |||||||||||
![]() | TLP160G(T5-TPL,U,F | - | ![]() | 6220 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Tape & Reel (TR) | Veraltet | TLP160G | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP160G(T5-TPLUFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP700(GEHC,F) | - | ![]() | 5009 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 100°C | Oberflächenmontage | 6-SOIC (0,268", 6,80 mm Breite) | TLP700 | Optische Kopplung | CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SDIP Möwenflügel | herunterladen | 264-TLP700(GEHCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,5A, 1,5A | 2A | 50ns, 50ns | 1,57 V | 20mA | 5000 Vrms | 15kV/µs | 500ns, 500ns | - | 15V ~ 30V | |||||||||||
![]() | TLP631(GB-TP1,F) | - | ![]() | 7347 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Tape & Reel (TR) | Veraltet | TLP631 | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP631(GB-TP1F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP785F(D4Y-F7,F | - | ![]() | 8840 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Durchgangsloch | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-DIP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP785F(D4Y-F7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60mA | 5000 Vrms | 50 % bei 5 mA | 150 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||
| TLX9160T(TPL,F | 7.4200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40 °C ~ 125 °C | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | Gleichstrom | 1 | MOSFET | 16-SO | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | - | - | 1,65 V | 30mA | 5000 Vrms | - | - | 1 ms, 1 ms (maximal) | - | |||||||||||||
![]() | TLP785F(D4-BLL,F | - | ![]() | 7615 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Durchgangsloch | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-DIP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP785F(D4-BLLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60mA | 5000 Vrms | 200 % bei 5 mA | 400 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||
![]() | TLP331(BV-LF1,F) | - | ![]() | 6076 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Rohr | Veraltet | TLP331 | - | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP331(BV-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP785F(D4GHT7,F | - | ![]() | 6227 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Durchgangsloch | 4-DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-DIP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 264-TLP785F(D4GHT7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60mA | 5000 Vrms | 50 % bei 5 mA | 600 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | ||||||||||
![]() | TLP290(TP,SE | 0,5100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Oberflächenmontage | 4-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) | TLP290 | Wechselstrom, Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-SO | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,25 V | 50mA | 3750 Vrms | 50 % bei 5 mA | 600 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 300 mV | ||||||||||
![]() | TLP785(D4-GR,F | 0,6200 | ![]() | 85 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -55 °C ~ 110 °C | Durchgangsloch | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | Gleichstrom | 1 | Transistor | 4-DIP | herunterladen | RoHS-konform | Nicht anwendbar | TLP785(D4-GRF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs, 3µs | 80V | 1,15 V | 60mA | 5000 Vrms | 50 % bei 5 mA | 600 % bei 5 mA | 3µs, 3µs | 400 mV | |||||||||
| TLP5771(D4-TP,E | 0,9489 | ![]() | 2833 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 110°C | Oberflächenmontage | 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | TLP5771 | Optische Kopplung | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | 6-SO | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | TLP5771(D4-TPE | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1A, 1A | 1A | 15ns, 8ns | 1,65 V | 8mA | 5000 Vrms | 35kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10V ~ 30V | ||||||||||
![]() | TLP351(F) | 1.9200 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 100°C | Durchgangsloch | 8-DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP351 | Optische Kopplung | - | 1 | 8-DIP | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 400mA, 400mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,55 V | 20mA | 3750 Vrms | 10kV/µs | 700ns, 700ns | - | 10V ~ 30V |

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