SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Eingabetyp Technologie Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgabetyp Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Strom – Ausgang hoch, niedrig Strom – Ausgang/Kanal Strom – Spitzenleistung Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) Spannung – Ausgang (max.) Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) Strom – DC-Vorwärtsstrom (fällt) (max.) Spannung – Isolation Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.) Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) Impulsbreitenverzerrung (max.) Spannung – Ausgangsversorgung Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) Ein-/Ausschaltzeit (Typ) VCE-Sättigung (Max)
TLP785F(D4GRF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GRF7,F -
Anfrage
ECAD 1395 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785F(D4GRF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP620-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(LF1,F) -
Anfrage
ECAD 5900 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 8-SMD, Gull Wing TLP620 Wechselstrom, Gleichstrom 2 Transistor 8-SMD herunterladen 264-TLP620-2(LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15 V 50mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP627M(D4-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(D4-LF1,E 0,9300
Anfrage
ECAD 4484 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP627 Gleichstrom 1 Darlington 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 100 150mA 60µs, 30µs 300V 1,25 V 50mA 5000 Vrms 1000 % bei 1 mA - 110µs, 30µs 1,2V
TLP127TPRUF Toshiba Semiconductor and Storage TLP127TPRUF -
Anfrage
ECAD 7557 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP127 Gleichstrom 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Leitungen herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 50mA 2500 Vrms 1000 % bei 1 mA - 50µs, 15µs 1,2V
TLP781F(D4GR-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GR-LF7,F -
Anfrage
ECAD 8701 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4GR-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 200 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLPN137(D4TP1,S Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137(D4TP1,S -
Anfrage
ECAD 6732 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLPN137 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLPN137(D4TP1STR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP2531(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(TP1,F) -
Anfrage
ECAD 8249 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 8-SMD, Gull Wing TLP2531 Gleichstrom 2 Transistor mit Sockel 8-SMD herunterladen 264-TLP2531(TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1,65 V 25mA 2500 Vrms 19 % bei 16 mA 30 % bei 16 mA 200 ns, 300 ns -
TLP781F(D4-BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-BLL,F) -
Anfrage
ECAD 8857 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4-BLLF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 200 % bei 5 mA 400 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP160J(V4OM5TRUCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4OM5TRUCF -
Anfrage
ECAD 5428 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP160J - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP160J(V4OM5TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP183(YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(YH,E 0,5100
Anfrage
ECAD 1248 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP183 Gleichstrom 1 Transistor 6-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP183(YHE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 75 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP291(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(E) -
Anfrage
ECAD 1657 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) TLP291 Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 175 50mA 4µs, 7µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 50 % bei 5 mA 400 % bei 5 mA 7µs, 7µs 300 mV
TLP385(D4BL-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4BL-TR,E 0,5600
Anfrage
ECAD 2213 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP385 Gleichstrom 1 Transistor 6-SO, 4 Blei herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 5000 Vrms 200 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP781(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(Y,F) -
Anfrage
ECAD 2849 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781(YF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP183(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GRL-TPL,E 0,5100
Anfrage
ECAD 6712 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP183 Gleichstrom 1 Transistor 6-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 5 mA 200 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP291(Y-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(Y-TP,SE 0,6000
Anfrage
ECAD 1551 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) TLP291 Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 50 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP2531(QCPL4532,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(QCPL4532,F -
Anfrage
ECAD 4357 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP2531 Gleichstrom 2 Transistor mit Sockel 8-DIP herunterladen 264-TLP2531(QCPL4532F EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1,65 V 25mA 2500 Vrms 19 % bei 16 mA 30 % bei 16 mA 200 ns, 300 ns -
TLP127(TEE-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(TEE-TPR,F) -
Anfrage
ECAD 8429 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP127 Gleichstrom 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Leitungen - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP127(TEE-TPRF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 50mA 2500 Vrms 1000 % bei 1 mA - 50µs, 15µs 1,2V
TLP630(TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(TA,F) -
Anfrage
ECAD 4822 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 6-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP630 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor mit Sockel 6-DIP herunterladen 264-TLP630(TAF) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP160G(T5-TPL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(T5-TPL,U,F -
Anfrage
ECAD 6220 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP160G - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP160G(T5-TPLUFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP700(GEHC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700(GEHC,F) -
Anfrage
ECAD 5009 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,268", 6,80 mm Breite) TLP700 Optische Kopplung CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SDIP Möwenflügel herunterladen 264-TLP700(GEHCF) EAR99 8541.49.8000 1 1,5A, 1,5A 2A 50ns, 50ns 1,57 V 20mA 5000 Vrms 15kV/µs 500ns, 500ns - 15V ~ 30V
TLP631(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(GB-TP1,F) -
Anfrage
ECAD 7347 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP631 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP631(GB-TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP785F(D4Y-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4Y-F7,F -
Anfrage
ECAD 8840 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785F(D4Y-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLX9160T(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9160T(TPL,F 7.4200
Anfrage
ECAD 4 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) Gleichstrom 1 MOSFET 16-SO herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 1.500 - - - 1,65 V 30mA 5000 Vrms - - 1 ms, 1 ms (maximal) -
TLP785F(D4-BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4-BLL,F -
Anfrage
ECAD 7615 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785F(D4-BLLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 200 % bei 5 mA 400 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP331(BV-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331(BV-LF1,F) -
Anfrage
ECAD 6076 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP331 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP331(BV-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4GHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GHT7,F -
Anfrage
ECAD 6227 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785F(D4GHT7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP290(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(TP,SE 0,5100
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) TLP290 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP785(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-GR,F 0,6200
Anfrage
ECAD 85 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen RoHS-konform Nicht anwendbar TLP785(D4-GRF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP5771(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771(D4-TP,E 0,9489
Anfrage
ECAD 2833 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 110°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP5771 Optische Kopplung CQC, cUR, UR, VDE 1 6-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP5771(D4-TPE EAR99 8541.49.8000 1.500 1A, 1A 1A 15ns, 8ns 1,65 V 8mA 5000 Vrms 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 10V ~ 30V
TLP351(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351(F) 1.9200
Anfrage
ECAD 9 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40°C ~ 100°C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP351 Optische Kopplung - 1 8-DIP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 50 400mA, 400mA 600mA 50ns, 50ns 1,55 V 20mA 3750 Vrms 10kV/µs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Vorrätiges Lager