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Isolonen (2050)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP624-2 (Sanyd, F) | - - - |  | 6744 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP624 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP624-2 (Sanydf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tlp361j (f) | - - - | | 8284 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP361 | Ur | 1 | Triac | 4-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 600 um (Typ) | Ja | 200 V/µs | 10 ma | 30 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP3083 (TP1, f | 1.9500 | | 670 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leads), Möwenflügel | TLP3083 | CQC, CSA, CUL, UL | 1 | Triac | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 800 V | 100 ma | 600 um (Typ) | Ja | 2kV/µs (Typ) | 5ma | - - - | ||||||||||||||||||||
| TLP124 (BV-TPL, F) | - - - | | 2336 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP124 | DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP124 (BV-TPLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 8 µs, 8 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 1ma | 1200% @ 1ma | 10 µs, 8 µs | 400mV | |||||||||||||||||||
 | TLP2098 (TPL, F) | - - - | | 3000 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | TLP2098 | AC, DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3v ~ 20V | 6-mfsop, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | TLP2098 (TPLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 ma | 5 mbit / s | 30ns, 30ns | 1,57 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||
| TLP626 (BV, F) | - - - | | 2360 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP626 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 8 µs, 8 µs | 55 v | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 1ma | 1200% @ 1ma | 10 µs, 8 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP121 (GRH-TP, F) | - - - | | 5792 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP121 (GRH-TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||
 | TLP385 (D4GL-TL, e | 0,5600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP184 (GB, E) | - - - | | 9774 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 5 µs, 9 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 400% @ 5ma | 9 µs, 9 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP183 (BL, e | 0,5100 | | 4755 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP183 (BLE | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||
 | TLP109 (IGM-TPR, e | 1.9200 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP109 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8ma | - - - | 20V | 1,64 v | 20 ma | 3750 VRMs | 25% @ 10ma | 75% @ 10 mA | 450ns, 450ns | - - - | ||||||||||||||||||||
| TLP268J (T2-TPL, e | 1.1100 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP268 | CQC, cur, ur | 1 | Triac | 6-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 200 µA (Typ) | Ja | 500 V/µs (Typ) | 3ma | 100 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP5214A (D4-TP, e | 7.6900 | | 982 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5214 | Optische Kopplung | 1 | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 3a, 3a | 4a | 32ns, 18ns | 1,7 V (max) | 25 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||
| TLP759F (D4IMF4, J, F. | - - - | | 4027 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP759 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP759F (D4IMF4JF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - - - | - - - | - - - | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20% @ 16 ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||
| TLP385 (D4Y-TPR, e | 0,5600 | | 4533 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| Tlp118 (tpl, e | 1.8300 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP118 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 ma | 20 mbit / s | 30ns, 30ns | 1,61V | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60 ns | ||||||||||||||||||||
| TLP624F | - - - | | 9727 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP624 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 8 µs, 8 µs | 55 v | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 1ma | 1200% @ 1ma | 10 µs, 8 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP185 (SE | 0,6100 | | 6126 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP265J (T7-TPR, e | - - - | | 2647 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP265 | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-Sop | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP265J (T7-TPRETR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 v | 50 ma | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 1ma | NEIN | 500 V/µs (Typ) | 7ma | 100 µs | ||||||||||||||||||||
| TLP351 (D4, Z, F) | - - - | | 5056 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP351 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP351 (D4ZF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP388 (GB-TPL, e | 0,8000 | | 4334 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP388 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 350 V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP185 (YH-TPL, SE | 0,4500 | | 2619 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 75% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP2361 (tpl, e | 1.0300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2361 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 ma | 15mb | 3ns, 3ns | 1,5 v | 10 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||||||
| Tlp131 (f) | - - - | | 6869 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | TLP131 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-mfsop, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Tlp131f | Ear99 | 8541.49.8000 | 150 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||
| TLP620 (f) | - - - | | 7538 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP620 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| Tlp161j (t5tr, u, c, f | - - - | | 6551 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP161J | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP161J (T5TRUCFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP785 (D4GH-T6, f | 0,7600 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP293-4 (v4-tp, e | 1.6300 | | 9034 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | TLP5754 (D4-TP, e | 2.9200 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5754 | Optische Kopplung | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 3a, 3a | 4a | 15ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||
| TLP754 (D4-LF1, F) | - - - | | 1347 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 30 V | 8-smd | Herunterladen | 264-TLP754 (D4-LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1 mbit / s | - - - | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 550ns, 400 ns |
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