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Isolatoren (2050)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Eingabetyp Technologie Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgabetyp Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Strom – Ausgang hoch, niedrig Strom – Ausgang/Kanal Datenrate Strom – Spitzenleistung Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) Spannung – Ausgang (max.) Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) Strom – DC-Vorwärtsstrom (fällt) (max.) Spannung – Isolation Spannung – Aus-Zustand Strom – Einschaltzustand (It (RMS)) (Max) Aktuell – Halten (Ih) Eingänge – Seite 1/Seite 2 Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.) Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) Impulsbreitenverzerrung (max.) Spannung – Ausgangsversorgung Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) Ein-/Ausschaltzeit (Typ) Vce-Sättigung (max.) Nulldurchgangsschaltung Statischer dV/dt (Min) Strom – LED-Trigger (Ift) (Max) Einschaltzeit
TLP2098(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2098(F) -
Anfrage
 ECAD 4586 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 5 Anschlüsse TLP2098 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 3V ~ 20V 6-MFSOP, 5 Leitungen herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP2098F EAR99 8541.49.8000 150 25mA 5 Mbit/s 30ns, 30ns 1,57 V 20mA 3750 Vrms 1/0 15kV/µs 250ns, 250ns
TLP512(NEMIC,TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(NEMIC,TP1,F -
Anfrage
 ECAD 9630 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP512 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP512(NEMICTP1FTR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP250(FA-TP1S,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(FA-TP1S,F) -
Anfrage
 ECAD 5611 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP250 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP250(FA-TP1SF)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP120(HO-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(HO-GB,F) -
Anfrage
 ECAD 4907 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP120 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP120(HO-GBF) EAR99 8541.49.8000 150
TLP9104(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104(OGI-TL,F) -
Anfrage
 ECAD 2225 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Schüttgut Veraltet - 264-TLP9104(OGI-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP734(D4GRTP5,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4GRTP5,M,F -
Anfrage
 ECAD 5336 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP734 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP734(D4GRTP5MF EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP351H(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351H(TP1,F) 1.6400
Anfrage
 ECAD 1209 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 8-SMD, Gull Wing TLP351 Optische Kopplung CQC, cUR, UR, VDE 1 8-SMD herunterladen RoHS-konform Nicht zutreffend EAR99 8541.49.8000 1.500 400mA, 400mA 600mA 50ns, 50ns 1,55 V 20mA 3750 Vrms 20kV/µs 700ns, 700ns 500ns 10V ~ 30V
TLP620-4(GB-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(GB-LF5,F) -
Anfrage
 ECAD 6109 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 16-DIP (0,300", 7,62 mm) Wechselstrom, Gleichstrom 4 Transistor 16-DIP herunterladen 264-TLP620-4(GB-LF5F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15 V 50mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP188(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188(TPL,E 0,8300
Anfrage
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP188 Gleichstrom 1 Transistor 6-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 350V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP620(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620(F) -
Anfrage
 ECAD 7538 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP620 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 55V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP127(ITO-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(ITO-TPR,F) -
Anfrage
 ECAD 6544 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP127 Gleichstrom 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Leitungen - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP127(ITO-TPRF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 50mA 2500 Vrms 1000 % bei 1 mA - 50µs, 15µs 1,2V
TLP624LF1F Toshiba Semiconductor and Storage TLP624LF1F -
Anfrage
 ECAD 3637 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP624 Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 8µs, 8µs 55V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 1 mA 1200 % bei 1 mA 10µs, 8µs 400 mV
TLP160G(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(TPR,U,F) -
Anfrage
 ECAD 7480 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP160G UR 1 Triac 6-MFSOP, 4 Leitungen herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,15 V 50mA 2500 Vrms 400 V 70mA 600 µA (typ.) NEIN 200V/µs 10mA 30µs
TLP105(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(TPL,F) -
Anfrage
 ECAD 3574 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 5 Anschlüsse TLP105 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 4,5 V ~ 20 V 6-MFSOP, 5 Leitungen herunterladen 264-TLP105(TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 5 Mbit/s 30ns, 30ns 1,57 V 20mA 3750 Vrms 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP5772H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H(TP,E 2.4700
Anfrage
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP5772 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 15V ~ 30V 6-SO herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 56ns, 25ns 1,55 V 8mA 5000 Vrms 1/0 35kV/µs 150ns, 150ns
TLP266J(T7,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(T7,E -
Anfrage
 ECAD 5852 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP266 CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-SOP - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP266J(T7E EAR99 8541.49.8000 125 1,27 V 50mA 3750 Vrms 600 V 70mA 600µA Ja 200V/µs 10mA 30µs
TLP131(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(GB-TPR,F) -
Anfrage
 ECAD 8616 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schnittband (CT) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 5 Anschlüsse TLP131 Gleichstrom 1 Transistor mit Sockel 6-MFSOP, 5 Leitungen herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP5701(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701(D4,E 1.2400
Anfrage
 ECAD 498 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40°C ~ 110°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP5701 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 10V ~ 30V 6-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP5701(D4E EAR99 8541.49.8000 125 600 mA - 50ns, 50ns 1,57 V 25mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
TLP2066(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066(TPR,F) -
Anfrage
 ECAD 4049 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 5 Anschlüsse TLP2066 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 3V ~ 3,6V 6-MFSOP, 5 Leitungen - 264-TLP2066(TPRF) EAR99 8541.49.8000 1 10mA 20 Mbit/s 5ns, 4ns 1,6V 25mA 3750 Vrms 1/0 15kV/µs 60ns, 60ns
TLP597J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP597J(F) -
Anfrage
 ECAD 7997 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet - - - TLP597 - - - - RoHS-konform Nicht zutreffend EAR99 8541.49.8000 50 - - - - - - - - -
TLP550(TOJS-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(TOJS-O,F) -
Anfrage
 ECAD 3724 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP550 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP550(TOJS-OF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2168(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2168(F) -
Anfrage
 ECAD 7498 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) TLP2168 Gleichstrom 2 Open Collector 2,7 V ~ 5,5 V 8-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 100 25mA 20 MBd 30ns, 30ns 1,57 V 25mA 2500 Vrms 2/0 15kV/µs 60ns, 60ns
TLP121(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH,F) -
Anfrage
 ECAD 9586 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP121 Gleichstrom 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Leitungen - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP121(GRHF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 50mA 3750 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP292(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(BL-TPL,E 0,5600
Anfrage
 ECAD 307 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) TLP292 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 200 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP781F(YH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(YH-LF7,F) -
Anfrage
 ECAD 4883 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(YH-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 75 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP781F(D4GR7PSE,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GR7PSE,F -
Anfrage
 ECAD 6924 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4GR7PSEFTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP781F(D4GB-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GB-TP7,F -
Anfrage
 ECAD 6460 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4GB-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP531(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(GR-LF2,F) -
Anfrage
 ECAD 8920 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP531 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP531(GR-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5702(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(E 1.4000
Anfrage
 ECAD 100 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40°C ~ 110°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP5702 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 15V ~ 30V 6-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 125 1 A - 15ns, 8ns 1,55 V 20mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
TLP184(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(GB,SE 0,5100
Anfrage
 ECAD 2065 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP184 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 6-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
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