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Isolonen (2050)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Kanaltyp | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Isolierte Kraft | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP184 (TPR, E) | - - - |  | 2556 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 5 µs, 9 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 400% @ 5ma | 9 µs, 9 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||||
 | Tlp525g (fujt, f) | - - - | | 7033 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP525 | CSA, CUL, UL | 1 | Triac | 4-DIP | Herunterladen | 264-TLP525G (FUJTF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 400 V | 100 ma | 600 ähm | NEIN | 200 V/µs | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | TLP2601 (LF1, F) | - - - | | 3893 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP2601 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | TLP2601 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 10 MB | 30ns, 30ns | 1,65 v | 20 ma | 2500 VRMs | 1/0 | 1kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||||||
 | TLP383 (D4YH-TL, e | 0,6000 | | 3131 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP383 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||||
 | Tlp781f (y, f) | - - - | | 5429 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (YF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
 | TLP785F (D4-LF7, f | - - - | | 1092 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (D4-LF7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| DCL540H01 (t, e | 6.3000 | | 4016 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | DCL540x01 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Allgemein Zweck | DCL540 | Magnetische Kopplung | 4 | 2,25 V ~ 5,5 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1.500 | 150 mbit / s | Unidirektional | 0,9ns, 0,9 ns | 5000 VRMs | Ja | 4/0 | 100 kV/µs | 18.3ns, 18.3ns | 2,8ns | |||||||||||||||||||||||||
| TLP9104 (OGI-TL, F) | - - - | | 2225 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 264-TLP9104 (OGI-TLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP781 (GB-LF6, F) | - - - | | 8264 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 5a991g | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| TLP532 (BL-TP5, F) | - - - | | 2519 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP532 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP532 (BL-TP5F) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP250 (TOJS-TP1, F) | - - - | | 9181 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP250 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP250 (TOJS-TP1F) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP5231 (e | 5.5600 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5231 | Optische Kopplung | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 2 | 16 Also | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP5231 (e | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1a, 1a | 2.5a | 50ns, 50 ns | 1,7 v | 25 ma | 5000 VRMs | 25kV/µs | 300 ns, 300 ns | 150ns | 21,5 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||||
| TLP523-2 (LF1, F) | - - - | | 2226 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP523 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP523-2 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550 (TOJS-O, F) | - - - | | 3724 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP550 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP550 (TOJS-of) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP350F (D4-TP4, Z, F. | - - - | | 4855 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP350 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP350F (D4-TP4ZFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP351H (D4-TP1, F) | 1.6300 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP351 | Optische Kopplung | CQC, CUR, UR, VDE | 1 | 8-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 400 mA, 400 mA | 600 mA | 50ns, 50 ns | 1,55 v | 20 ma | 3750 VRMs | 20 kV/µs | 700 ns, 700 ns | 500 ns | 10 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||||
 | TLP291 (YH-TP, SE | 0,4300 | | 7296 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP291 | DC | 1 | Transistor | 4-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 75% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||||
| TLP268J (tpl, e | 0,9900 | | 2880 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP268 | CQC, cur, ur | 1 | Triac | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 200 µA (Typ) | Ja | 500 V/µs (Typ) | 3ma | 100 µs | |||||||||||||||||||||||
| TLP550 (LF1, F) | - - - | | 1425 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP550 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP550 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tlp734 (d4grlf5, m, f | - - - | | 6034 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP734 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP734 (D4GRLF5MF | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127 (f) | - - - | | 4433 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP127 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP127 (f) | Ear99 | 8541.49.8000 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP5774 (TP, e | 2.4500 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5774 | Optische Kopplung | CQC, CUR, UR, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 3a, 3a | 4a | 15ns, 8ns | 1,65 v | 8 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||||
| TLP628MF (e | 0,9100 | | 5073 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP628 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP628MF (e | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 5,5 µs, 10 µs | 350 V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 10 µs, 10 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| TLP2719 (LF4, e | - - - | | 9289 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP2719 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP2719 (LF4E | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 8ma | - - - | 20V | 1,6 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20% @ 16 ma | 55% @ 16 Ma | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||
| TLP187 (e | 1.0200 | | 7801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP187 | DC | 1 | Darlington | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1,2 v | |||||||||||||||||||||||
 | TLP5702 (D4-TP, e | - - - | | 9095 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5702 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 15 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP5702 (D4-TPetr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | - - - | 15ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||||||||
| TLP531 (GB, F) | - - - | | 7338 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP531 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP531 (GBF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785 (D4-BL, f | - - - | | 2555 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785 (D4-BLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| TLP385 (D4YH-TL, e | 0,5600 | | 6568 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 75% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||||
| TLP734 (D4-C173, F) | - - - | | 9944 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP734 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP734 (D4-C173F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 |
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