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Isolatoren (2050)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Typ Basisproduktnummer Eingabetyp Technologie Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgabetyp Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Strom – Ausgang/Kanal Datenrate Kanaltyp Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) Spannung – Ausgang (max.) Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) Strom – DC-Vorwärtsstrom (fällt) (max.) Spannung – Isolation Spannung – Aus-Zustand Strom – Einschaltzustand (It (RMS)) (Max) Aktuell – Halten (Ih) Isolierte Stromversorgung Eingänge – Seite 1/Seite 2 Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.) Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) Impulsbreitenverzerrung (max.) Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) Ein-/Ausschaltzeit (Typ) VCE-Sättigung (Max) Nulldurchgangsschaltung Statischer dV/dt (Min) Strom – LED-Trigger (Ift) (Max) Einschaltzeit
TLP531(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(YG,F) -
Anfrage
 ECAD 6694 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP531 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP531(YGF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP512(TOJS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(TOJS,F) -
Anfrage
 ECAD 5010 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP512 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP512(TOJSF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(BLL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(BLL-LF6,F -
Anfrage
 ECAD 2699 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785(BLL-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 200 % bei 5 mA 400 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP781(D4-BL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-BL-LF6,F -
Anfrage
 ECAD 2876 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP781 Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781(D4-BL-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 200 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP732(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(GR-LF2,F) -
Anfrage
 ECAD 5089 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP732 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP732(GR-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5701(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701(E 1.2600
Anfrage
 ECAD 125 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40°C ~ 110°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP5701 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 10V ~ 30V 6-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 125 600 mA - 50ns, 50ns 1,57 V 25mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 500ns, 500ns
TLP627(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627(F) -
Anfrage
 ECAD 3713 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP627 Gleichstrom 1 Darlington 4-DIP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 100 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 1000 % bei 1 mA - 50µs, 15µs 1,2V
TLP785(LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(LF6,F -
Anfrage
 ECAD 7433 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785(LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP291(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BL-TP,SE 0,6100
Anfrage
 ECAD 7938 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) TLP291 Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 200 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP360J(D4-CANO) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360J(D4-CANO) -
Anfrage
 ECAD 8335 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 100°C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP360 CQC, cUL, UL, VDE 1 Triac 4-DIP - 264-TLP360J(D4-CANO) EAR99 8541.49.8000 1 1,15 V 50mA 5000 Vrms 600 V 100mA 1mA NEIN 500 V/µs (typisch) 10mA 30µs
TLP372(HO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP372(HO,F) -
Anfrage
 ECAD 7776 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP372 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP372(HOF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4-GRL,F,W Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GRL,F,W -
Anfrage
 ECAD 7417 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4-GRLFW EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 200 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP781(D4-GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GR,F) -
Anfrage
 ECAD 8794 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP750(D4COS-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4COS-TP5,F -
Anfrage
 ECAD 2015 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) Gleichstrom 1 Transistor mit Sockel 8-DIP herunterladen 264-TLP750(D4COS-TP5F EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1,65 V 25mA 5000 Vrms 10 % bei 16 mA - 200 ns, 1 µs -
TLP733(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733(D4-GR,M,F) -
Anfrage
 ECAD 7294 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP733 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP733(D4-GRMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(GRH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GRH-LF6,F -
Anfrage
 ECAD 5475 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785(GRH-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 150 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP127(MAT-L-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(MAT-L-TPL,F -
Anfrage
 ECAD 3726 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP127 Gleichstrom 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Leitungen - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP127(MAT-L-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 50mA 2500 Vrms 1000 % bei 1 mA - 50µs, 15µs 1,2V
TLP627M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(TP1,E 0,9300
Anfrage
 ECAD 8195 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP627 Gleichstrom 1 Darlington 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 1.500 150mA 60µs, 30µs 300V 1,25 V 50mA 5000 Vrms 1000 % bei 1 mA - 110µs, 30µs 1,2V
TLP759(J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(J,F) -
Anfrage
 ECAD 5085 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP759 Gleichstrom 1 Transistor 8-DIP herunterladen RoHS-konform Nicht anwendbar TLP759(JF) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 20V 1,65 V 25mA 5000 Vrms 20 % bei 16 mA - 200 ns, 300 ns -
TLP781F(D4-Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-Y-LF7,F -
Anfrage
 ECAD 9772 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4-Y-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP781F(D4-GR-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GR-SD,F -
Anfrage
 ECAD 2574 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4-GR-SDF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP781(D4-Y-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-Y-LF6,F) -
Anfrage
 ECAD 4558 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP781 Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781(D4-Y-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP759(D4MB3F4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4MB3F4,J,F -
Anfrage
 ECAD 6129 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP759 Gleichstrom 1 Transistor mit Sockel 8-DIP herunterladen 264-TLP759(D4MB3F4JF EAR99 8541.49.8000 1 8mA - - 1,65 V 25mA 5000 Vrms 20 % bei 16 mA - - -
TLP785(D4GB-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GB-T6,F -
Anfrage
 ECAD 8586 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785(D4GB-T6FTR EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP731(D4-GB-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GB-TP1,F -
Anfrage
 ECAD 5890 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP731 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP731(D4-GB-TP1F EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP5705H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(D4TP4,E 1.9900
Anfrage
 ECAD 8441 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 15V ~ 30V 6-SO herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1,55 V 20mA 5000 Vrms 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP2261(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2261(LF4,E 3.0200
Anfrage
 ECAD 8964 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 8-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP2261 Gleichstrom 2 Push-Pull, Totempfahl 2,7 V ~ 5,5 V 8-SO herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) TLP2261(LF4E EAR99 8541.49.8000 75 10mA 15 MBd 3ns, 3ns 1,5V 10mA 5000 Vrms 2/0 20kV/µs 80ns, 80ns
DCL540D01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540D01(T,E 6.3000
Anfrage
 ECAD 7301 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage DCL540x01 Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 110°C Oberflächenmontage 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) Allgemeiner Zweck DCL540 Magnetische Kopplung 4 2,25 V ~ 5,5 V 16-SOIC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1.500 150 Mbit/s Unidirektional 0,9 ns, 0,9 ns 5000 Vrms Ja 4/0 100kV/µs 18,3 ns, 18,3 ns 2,8 ns
TLP120(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(TPL,F) -
Anfrage
 ECAD 9244 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP120 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Leitungen - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP120(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 50mA 3750 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP292(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(E 0,5600
Anfrage
 ECAD 8892 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) TLP292 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 175 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
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