SIC
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Isolonen (2050)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Typ Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang Hoch, Niedrig Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Kanaltyp Strom - Spitzenausgang Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Isolierte Kraft Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Impulsbreite Verzerrung (max) SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max)
TLP187(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187 (e 1.0200
RFQ
 ECAD 7801 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP187 DC 1 Darlington 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 125 150 Ma 40 µs, 15 µs 300 V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 1000% @ 1ma - - - 50 µs, 15 µs 1,2 v
TLP531(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (GB, F) - - -
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP531 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP531 (GBF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP161G(IFT5,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (IFT5, U, C, F. - - -
RFQ
 ECAD 8905 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP161G - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP161G (IFT5UCFTR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP785(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-BL, f - - -
RFQ
 ECAD 2555 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785 (D4-BLF Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 200% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP785F(GB-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GB-TP7, f - - -
RFQ
 ECAD 1625 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP785 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785F (GB-TP7FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP781(D4-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-LF6, F) - - -
RFQ
 ECAD 4918 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781 (D4-LF6F) Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP9121A(MURGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (MURGBTL, F. - - -
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLP9121A (MURGBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP700HF(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700HF (D4-TP, F) - - -
RFQ
 ECAD 5396 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Lets Kaufen -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) Optische Kopplung CSA, CUL, UL, VDE 2 6-sdip Herunterladen 1 2a, 2a 2.5a 15ns, 8ns 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 20 kV/µs 500 ns, 500 ns 250ns 15 V ~ 30 V
TLP250(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (MBS, F) - - -
RFQ
 ECAD 3329 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP250 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP250 (MBSF) Ear99 8541.49.8000 50
DCL540H01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540H01 (t, e 6.3000
RFQ
 ECAD 4016 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung DCL540x01 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) Allgemein Zweck DCL540 Magnetische Kopplung 4 2,25 V ~ 5,5 V. 16-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1.500 150 mbit / s Unidirektional 0,9ns, 0,9 ns 5000 VRMs Ja 4/0 100 kV/µs 18.3ns, 18.3ns 2,8ns
TLP781(GB-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GB-LF6, F) - - -
RFQ
 ECAD 8264 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 5a991g 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP9104(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104 (OGI-TL, F) - - -
RFQ
 ECAD 2225 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLP9104 (OGI-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP718F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp718f (f) - - -
RFQ
 ECAD 9089 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) TLP718 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 4,5 V ~ 20V 6-sdip-möwenflügel Herunterladen 264-tlp718f (f) Ear99 8541.49.8000 1 5 mbit / s - - - - - - 3ma 5000 VRMs 1/0 10kV/µs 250ns, 250ns
TLP531(Y-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (Y-LF5, F) - - -
RFQ
 ECAD 4947 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP531 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP531 (Y-LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP532(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (grl, f) - - -
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP532 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP532 (GRLF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP705(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705 (TP, F) - - -
RFQ
 ECAD 5460 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) TLP705 Optische Kopplung Ur 1 6-sdip-möwenflügel Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 300 mA, 300 mA 450 Ma - - - 1,6 v 20 ma 5000 VRMs 10kV/µs 170ns, 170ns - - - 10 V ~ 20V
TLP532(BL-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (BL-TP5, F) - - -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP532 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP532 (BL-TP5F) TR Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP785F(D4-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-LF7, f - - -
RFQ
 ECAD 1092 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP785 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785F (D4-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP250(TOJS-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (TOJS-TP1, F) - - -
RFQ
 ECAD 9181 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP250 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP250 (TOJS-TP1F) TR Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP350(D4-LF1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (D4-LF1, Z, F) - - -
RFQ
 ECAD 5424 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP350 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP350 (D4-LF1ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP700(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700 (f) 1.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Lets Kaufen -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) TLP700 Optische Kopplung Ur 1 6-sdip-möwenflügel Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 100 1,5a, 1,5a 2a 50ns, 50 ns 1,57 v 20 ma 5000 VRMs 15kV/µs 500 ns, 500 ns - - - 15 V ~ 30 V
TLP109(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (e 1.2800
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP109 DC 1 Transistor 6-so, 5 Blei Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 5a991 8541.49.8000 125 8ma - - - 20V 1,64 v 20 ma 3750 VRMs 20% @ 16 ma - - - 800 ns, 800 ns (max) - - -
TLP531(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (gr, f) - - -
RFQ
 ECAD 4494 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP531 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP531 (GRF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP627M(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (TP5, e 0,9300
RFQ
 ECAD 5883 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP627 DC 1 Darlington 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 150 Ma 60 µs, 30 µs 300 V 1,25 V. 50 ma 5000 VRMs 1000% @ 1ma - - - 110 µs, 30 µs 1,2 v
TLP781F(D4GRF7TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRF7TC, F. - - -
RFQ
 ECAD 1337 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP781f DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4GRF7TCF Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLX9185(KMGBTL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9185 (kmgbtl, f (o - - -
RFQ
 ECAD 5179 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLX9185 DC 1 Transistor 6-Sop - - - 264-TLX9185 (KMGBTLF (o Ear99 8541.49.8000 1 50 ma 3 µs, 5 µs 80V 1,27 v 30 ma 3750 VRMs 20% @ 5ma 600% @ 5ma 5 µs, 5 µs 400mV
TLP2719(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719 (D4-TP, e 1.7200
RFQ
 ECAD 773 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP2719 DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 20V 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 8 ma 1MB - - - 1,6 v 25ma 5000 VRMs 1/0 10kV/µs 800 ns, 800 ns
TLP781(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GRL, F) - - -
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781 (D4-GRLF) Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 200% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP781F(D4YH-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4YH-TP7, f - - -
RFQ
 ECAD 7445 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781f DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4YH-TP7FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 75% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP781F(D4GB-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GB-TP7, f - - -
RFQ
 ECAD 6460 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP781f DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4GB-TP7FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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