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Isolonen (2050)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max)
TLP9104A(TOYOG2TLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A (Toyog2tlf - - -
RFQ
 ECAD 4143 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLP9104A (Toyog2tlf Ear99 8541.49.8000 1
TLP9121A(TOYOGTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121a (Toyogtl, f - - -
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLP9121A (Toyogtlf Ear99 8541.49.8000 1
TLP620-2(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (GB-TP1, F) - - -
RFQ
 ECAD 8683 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP620 AC, DC 2 Transistor 8-smd Herunterladen 264-TLP620-2 (GB-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 50 ma 2 µs, 3 µs 55 v 1,15 V 50 ma 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP250(FANUC-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (Fanuc-TP, F) - - -
RFQ
 ECAD 2740 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP250 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP250 (Fanuc-TPF) Tr Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP2531(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (MBS, F) - - -
RFQ
 ECAD 6376 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP2531 DC 2 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP2531 (MBSF) Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - 15 v 1,65 v 25 ma 2500 VRMs 19% @ 16ma 30% @ 16 ma 200 ns, 300 ns - - -
TLP126(ASAD-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (ASAD-TPL, F) - - -
RFQ
 ECAD 5953 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP126 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP126 (ASAD-TPLF) TR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP250F(D4INV-F4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F (D4INV-F4, f - - -
RFQ
 ECAD 9755 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP250F - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP250F (D4INV-F4F Ear99 8541.49.8000 50
TLP250(D4INV-LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4INV-LF1, f - - -
RFQ
 ECAD 1415 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP250 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP250 (D4INV-LF1F Ear99 8541.49.8000 50
TLP2372(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (TPR, e 1.9300
RFQ
 ECAD 4970 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2372 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 2,2 V ~ 5,5 V. 6-so, 5 Blei Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 8 ma 20 mbit / s 2,2ns, 1,6 ns 1,53 v 8ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 75ns, 75ns
TLP759F(D4MBIMT4JF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4MBIMT4JF - - -
RFQ
 ECAD 5358 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP759F (D4MBIMT4JF Ear99 8541.49.8000 1 - - - - - - - - - 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP120(HO-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (HO-GB, F) - - -
RFQ
 ECAD 4907 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP120 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP120 (HO-GBF) Ear99 8541.49.8000 150
TLP332(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP332 (BV-LF2, F) - - -
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP332 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP332 (BV-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP731(D4-BL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-BLF2, f - - -
RFQ
 ECAD 4488 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP731 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP731 (D4-BLF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP250(D4-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4-LF5, F) - - -
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP250 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP250 (D4-LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (Grh, f - - -
RFQ
 ECAD 6028 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785 (Grhf Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP732(GR-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GR-LF4, F) - - -
RFQ
 ECAD 4249 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP732 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP732 (GR-LF4F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP750(D4-O-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (D4-O-LF2, F) - - -
RFQ
 ECAD 7625 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP750 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP750 (D4-O-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP733(D4-GRL,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-GRL, M, F) - - -
RFQ
 ECAD 6919 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP733 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP733 (D4-GRLMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP550(HITNA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (Hitna, F) - - -
RFQ
 ECAD 2750 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP550 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP550 (HitNAF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP759(D4YSK1T1J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (d4ysk1t1j, f - - -
RFQ
 ECAD 1393 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP759 (D4YSK1T1JF Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - 20V 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP731(D4-GB-LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-GB-LF1, f - - -
RFQ
 ECAD 4468 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP731 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP731 (D4-GB-LF1F Ear99 8541.49.8000 50
TLP733F(D4-GRL,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F (D4-Grl, M, F. - - -
RFQ
 ECAD 8648 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP733 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP733F (D4-GRLMF Ear99 8541.49.8000 50
TLP2372(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 (v4, e 1.9100
RFQ
 ECAD 8743 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2372 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 2,2 V ~ 5,5 V. 6-so, 5 Blei Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 125 8 ma 20 mbit / s 2,2ns, 1,6 ns 1,53 v 8ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 75ns, 75ns
TLP734F(D4-LF4,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-LF4, M, F. - - -
RFQ
 ECAD 1623 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP734 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP734F (D4-LF4MF Ear99 8541.49.8000 50
TLP513(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP513 (f) - - -
RFQ
 ECAD 5066 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP513 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP513 (f) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(D4YH-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4YH-F6, f - - -
RFQ
 ECAD 8254 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785 (D4YH-F6F Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 75% @ 5ma 150% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLX9291(TOJ2TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage Tlx9291 (toj2tl, f (o - - -
RFQ
 ECAD 1059 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-tlx9291 (toj2tlf (o Ear99 8541.49.8000 1
TLP781F(D4-GR-FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4-GR-FD, f - - -
RFQ
 ECAD 6200 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP781f DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4-GR-FDF Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP781F(D4GRT7TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRT7TC, F. - - -
RFQ
 ECAD 1622 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP781f DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4grt7TCFTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP127(FJDK-TL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp127 (fjdk-tl, u, f - - -
RFQ
 ECAD 8745 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP127 DC 1 Darlington 6-mfsop, 4 Blei - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP127 (FJDK-TLUF Ear99 8541.49.8000 1 150 Ma 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 ma 2500 VRMs 1000% @ 1ma - - - 50 µs, 15 µs 1,2 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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