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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
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![]() | TLP184 (GB-TPR, E) | - - - | ![]() | 6806 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | TLP184 (GB-TPRE) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 5 µs, 9 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 400% @ 5ma | 9 µs, 9 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP5771H (LF4, e | 2.5900 | ![]() | 8462 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5771 | Kapazitive Koppung | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 1a, 1a | 1a | 56ns, 25ns | 1,65 v | 8 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||
![]() | Tlp669lf (s, c, f) | - - - | ![]() | 2653 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm), 5 Leads | TLP669 | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 264-TLP669LF (SCF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - - - | 5000 VRMs | 800 V | 100 ma | - - - | Ja | - - - | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLP161J (OMT30, UC, F. | - - - | ![]() | 3114 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP161J | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP161J (OMT30UCFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP781F (D4bll-T7, f | - - - | ![]() | 8761 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4BLL-T7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP785F (D4-Grh, f | - - - | ![]() | 2557 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (D4-Grhf | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP183 (Bll-TPL, e | 0,5100 | ![]() | 2341 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP352 (D4, F) | 1.9900 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP352 | Optische Kopplung | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 8-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 2a, 2a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 3750 VRMs | 20 kV/µs | 200ns, 200ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||
TLP5752 (D4-TP, e | 2.6500 | ![]() | 758 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5752 | Optische Kopplung | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2,5a, 2,5a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP785F (D4GLT7, f | 0,7200 | ![]() | 8544 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 25 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP700F (f) | - - - | ![]() | 4775 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP700 | Optische Kopplung | - - - | 1 | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | 264-TLP700F (f) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - - - | 2a | - - - | - - - | 5000 VRMs | 15kV/µs | 500 ns, 500 ns | - - - | 15 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||||
TLP5214a (e | 7.6200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5214 | Optische Kopplung | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 16 Also | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP5214a (e | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 4a, 4a | 4a | 32ns, 18ns | 1,7 v | 25 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP385 (D4-yh, e | 0,5500 | ![]() | 3567 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP385 (D4-YHE | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 75% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||
![]() | TLP701H (GEHC, F) | - - - | ![]() | 1375 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | Optische Kopplung | CSA, CUL, UL, VDE | 2 | 6-sdip | Herunterladen | 1 | 400 mA, 400 mA | 200 ma | 50ns, 50 ns | 1,57 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20 kV/µs | 700 ns, 700 ns | 500 ns | 10 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP531 (HIT-BL, F) | - - - | ![]() | 2205 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP531 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP531 (HIT-BLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tlp759f (d4imt4, j, f | - - - | ![]() | 7748 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP759f (D4IMT4JF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | 20V | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20% @ 16 ma | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLP531 (BL-TP1, F) | - - - | ![]() | 7508 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP531 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP531 (BL-TP1F) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP185 (GRH, SE | - - - | ![]() | 3142 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP185 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP185 (Grhse | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||
![]() | TLP731 (D4grl-LF2, f | - - - | ![]() | 7640 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP731 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP731 (D4grl-LF2F | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP620-4 (D4-LF2, F) | - - - | ![]() | 5028 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | TLP620 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-DIP | Herunterladen | 264-TLP620-4 (D4-LF2F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
![]() | Tlp160j (tpl, u, c, f) | - - - | ![]() | 9471 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP160 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP160J (TPLUCF) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP627-4 (pp, f) | - - - | ![]() | 9897 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP627 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP627-4 (PPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP352F (D4-TP4, F) | 1.9400 | ![]() | 229 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP352 | Optische Kopplung | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 8-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 2a, 2a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 3750 VRMs | 20 kV/µs | 200ns, 200ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP250F (FA1-TP4S, f | - - - | ![]() | 5182 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP250F | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP250F (FA1-TP4SFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP701 (D4-TP, F) | - - - | ![]() | 5238 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP701 | Optische Kopplung | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | 264-TLP701 (D4-TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 400 mA, 400 mA | 600 mA | 50ns, 50 ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 10kV/µs | 700 ns, 700 ns | - - - | 10 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||
TLP5214A (D4, e | 7.6200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5214 | Optische Kopplung | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 16 Also | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 4a, 4a | 4a | 32ns, 18ns | 1,7 v | 25 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2161 (TP, F) | - - - | ![]() | 3368 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TLP2161 | DC | 2 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 10 ma | 15mb | 3ns, 3ns | 1,5 v | 10 ma | 2500 VRMs | 2/0 | 20 kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP2719 (D4-TP4, e | 0,6080 | ![]() | 9228 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP2719 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 20V | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP2719 (D4-TP4TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8 ma | 1MB | - - - | 1,6 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 800 ns, 800 ns | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP719 (TP, F) | - - - | ![]() | 4784 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP719 | DC | 1 | Transistor | 6-sdip-möwenflügel | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 5a991g | 8541.49.8000 | 1.500 | 8ma | - - - | 20V | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20% @ 16 ma | - - - | 800 ns, 800 ns (max) | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | Tlp754f (f) | - - - | ![]() | 8479 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 30 V | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP754F (F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 Ma | 1 mbit / s | - - - | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 550ns, 400 ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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