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Isolonen (2050)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP718 (TP, F) | - - - |  | 9914 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP718 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 20V | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | 264-TLP718 (TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 5 mbit / s | 30ns, 30ns | 1,6 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||||
 | TLP293 (GR-TPL, e | 0,5100 | | 4289 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 1 | Transistor | 4-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||
| TLP785 (D4-y, f | - - - | | 4198 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785 (D4-YF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | TLP2358 (TPL, E) | 1.0200 | | 5634 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2358 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3v ~ 20V | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 ma | - - - | 15ns, 12ns | 1,55 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||
 | TLP5754 (D4, e | 2.9100 | | 4989 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5754 | Optische Kopplung | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 3a, 3a | 4a | 15ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||
 | TLP5214A (D4, e | 7.6200 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5214 | Optische Kopplung | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 16 Also | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 4a, 4a | 4a | 32ns, 18ns | 1,7 v | 25 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||||
| TLP350F (LF4, Z, F) | - - - | | 2540 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP350 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP350F (LF4ZF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP781F (LF7, F) | - - - | | 4839 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (LF7F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | TLP293-4 (V4-LA, e | 1.6300 | | 9037 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 500 ähm | 600% @ 500 ähm | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||
| TLP700AF (f) | - - - | | 3214 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP700 | Optische Kopplung | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | 264-TLP700AF (f) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 2a, 2a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 20 kV/µs | 200ns, 200ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||||
| TLP292-4 (TP, e | 1.7900 | | 2765 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||
 | TLP281-4 (TP, J, F) | - - - | | 4954 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | TLP281 | DC | 4 | Transistor | 16-so-sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 5a991g | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||||
 | TLP250 (TP1, F) | - - - | | 3322 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -20 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP250 | Optische Kopplung | Ur | 1 | 8-smd | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 500 mA, 500 mA | 1,5a | - - - | 1,6 v | 20 ma | 2500 VRMs | 5kV/µs | 500 ns, 500 ns | - - - | 15 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||
| TLP292-4 (GB-TP, e | 1.8100 | | 8927 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||
| Tlp9121a (fd-gbtl, f | - - - | | 5947 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 264-TLP9121A (FD-GBTLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP385 (D4GB-TL, e | 0,5500 | | 3486 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||
 | TLP2962 (f) | 1.2700 | | 9992 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP2962 | DC | 1 | Offener Sammler | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2962f | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 15mb | 3ns, 12ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||||
| TLP385 (D4-yh, e | 0,5500 | | 3567 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP385 (D4-YHE | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 75% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | Tlp184 (y-tpl, se | 0,4900 | | 7881 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||||
| Tlx9291 (tojgbtlf (o | - - - | | 9696 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 264-tlx9291 (tojgbtlf (o | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP267J (T2-TPL, e | 1.0700 | | 7842 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP267 | CQC, cur, ur | 1 | Triac | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 200 µA (Typ) | NEIN | 500 V/µs (Typ) | 3ma | 100 µs | |||||||||||||||||||||
| Tlp116a (e | 1.5100 | | 61 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP116 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 5a991 | 8541.49.8000 | 125 | 10 ma | 20mb | 15ns, 15ns | 1,58 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 60ns, 60 ns | |||||||||||||||||||||
| TLP126 (Asahid, f) | - - - | | 4731 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP126 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP126 (Asahidf) | Ear99 | 8541.49.8000 | 150 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2601 (TP1, F) | - - - | | 8708 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP2601 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 ma | 10 MB | 30ns, 30ns | 1,65 v | 20 ma | 2500 VRMs | 1/0 | 1kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||||
| TLP2630 (f) | - - - | | 7912 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP2630 | DC | 2 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 16 Ma | 10 MB | 30ns, 30ns | 1,65 v | 20 ma | 2500 VRMs | 2/0 | 200 V/µs, 500 V/µs (Typ) | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||||
 | TLP557 (f) | - - - | | 1392 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -30 ° C ~ 70 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Krafttransistorfahrer | TLP557 | DC | Ur | 1 | 5v ~ 13v | 8-DIP | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP557f | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 320 Ma | 50ns, 50 ns | 1,55 v | 25 ma | 2500 VRMs | 2kV/µs | 5 µs, 5 µs | |||||||||||||||||||||
| TLP627-4 (pp, f) | - - - | | 9897 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP627 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP627-4 (PPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781 (D4-BL-SD, F) | - - - | | 9452 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781 (D4-BL-SDF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||||||
| Tlp351a (f) | 1.6000 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP351 | Optische Kopplung | cur, ur, vde | 1 | 8-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 400 mA, 400 mA | 600 mA | 50ns, 50 ns | 1,55 v | 20 ma | 3750 VRMs | 20 kV/µs | 500 ns, 500 ns | 350ns | 10 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||
| TLP701 (MBS-TP, F) | - - - | | 2243 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP701 | Optische Kopplung | CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | 264-TLP701 (MBS-TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 600 mA, 600 mA | 600 mA | 50ns, 50 ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 10kV/µs | 700 ns, 700 ns | - - - | 10 V ~ 30 V |
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