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Isolonen (2050)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP183 (Bll, e | 0,5100 |  | 28 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP183 (Blle | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||||||
 | TLP2958 (D4-MBT1, F) | - - - | | 1956 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP2958 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3v ~ 20V | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP2958 (D4-MBT1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 5 mbit / s | 15ns, 10ns | 1,55 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||
| TLP785 (D4GB-F6, f | - - - | | 5280 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785 (D4GB-F6F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP267J (tpl, e | 0,9900 | | 1432 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP267 | CQC, cur, ur | 1 | Triac | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 200 µA (Typ) | NEIN | 500 V/µs (Typ) | 3ma | 100 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP5705H (e | 1.9300 | | 2268 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 15 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP5705H (e | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | - - - | 37ns, 50 ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 50 kV/µs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||||||
 | TLP293 (tpl, e | 0,5100 | | 9277 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 1 | Transistor | 4-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP5774H (D4-TP, e | 2.5100 | | 4403 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5774 | Kapazitive Koppung | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 4a, 4a | 4a | 56ns, 25ns | 1,65 v | 8 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||
 | TLP2312 (tpl, e | 1.7100 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2312 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,2 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP2312 (tPletr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 ma | 5 mbit / s | 2,2ns, 1,6 ns | 1,53 v | 8ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP383 (D4GB-TL, e | 0,6100 | | 1349 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP383 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP2630 (LF1, F) | - - - | | 7720 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP2630 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP2630 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP781F (GRL-LF7, F) | - - - | | 3243 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (GRL-LF7F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||||||
| TLP5752H (LF4, e | 1.9500 | | 5896 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5752 | Optische Kopplung | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 2,5a, 2,5a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||
 | TLP2161 (f) | - - - | | 8290 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TLP2161 | DC | 2 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2161f | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 ma | 15mb | 3ns, 3ns | 1,5 v | 10 ma | 2500 VRMs | 2/0 | 20 kV/µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||||
| TLP5752 (D4-LF4, e | 2.5900 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5752 | Optische Kopplung | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 2,5a, 2,5a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||||
 | TLP350 (f) | - - - | | 1716 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP350 | Optische Kopplung | Ur | 1 | 8-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Tlp350f | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 2a, 2a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1,6 v | 20 ma | 3750 VRMs | 15kV/µs | 500 ns, 500 ns | - - - | 15 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||
| Tlp155e (e) | - - - | | 3395 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP155 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 10 V ~ 30 V | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | - - - | 35ns, 15ns | 1,55 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 170ns, 170ns | |||||||||||||||||||||
| TLP383 (D4-GB, e | - - - | | 3269 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP383 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP383 (D4-GBETR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP2362 (V4-TPL, e | 1.0500 | | 9559 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | - - - | - - - | TLP2362 | DC | 1 | Offener Sammler | 2,7 V ~ 5,5 V. | - - - | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 ma | 10 MB | 30ns, 30ns | 1,55 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 100 ns, 100 ns | ||||||||||||||||||||
| TLP184 (Bl-TPL, SE | 0,5100 | | 6089 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||||||
| TLP5705H (LF4, e | 1.9900 | | 5551 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 15 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | - - - | 37ns, 50 ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 50 kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||||||||||||
 | TLP525GF | 1.1600 | | 29 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP525 | Ur | 1 | Triac | 4-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP525G (f) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 1,15 V | 50 ma | 2500 VRMs | 400 V | 100 ma | 200 µA (Typ) | NEIN | 200 V/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||||||
 | TLP591B (c, f) | 3.2100 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm), 5 Leads | TLP591 | DC | 1 | Photovoltaik | 6-DIP, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 24 µA | - - - | 7v | 1,4 v | 50 ma | 2500 VRMs | - - - | - - - | 200 µs, 3 ms | - - - | ||||||||||||||||||||
 | TLP5771 (D4-TP, e | 0,9489 | | 2833 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5771 | Optische Kopplung | CQC, CUR, UR, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP5771 (D4-TPE | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1a, 1a | 1a | 15ns, 8ns | 1,65 v | 8 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V ~ 30 V | |||||||||||||||||||
| TLP2631 (MBS, F) | - - - | | 1475 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP2631 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP2631 (MBSF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP160J (T7TL, U, C, F. | - - - | | 4923 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP160J | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP160J (t7tlucftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP161J (V4T5TRUC, f | - - - | | 7918 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP161 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP161J (V4T5TRUCFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP350 (D4-TP5, Z, F) | - - - | | 5070 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP350 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP350 (D4-TP5ZF) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP387 (TPR, e | 0,8700 | | 5699 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP387 | DC | 1 | Darlington | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1V | ||||||||||||||||||||
| TLP5774 (D4-TP, e | 1.0055 | | 4540 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5774 | Optische Kopplung | CQC, CUR, UR, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | TLP5774 (D4-TPE | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1,2a, 1,2a | 4a | 15ns, 8ns | 1,65 v | 8 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V ~ 30 V | ||||||||||||||||||||
| TLP5702 (D4-LF4, e | 1.5500 | | 6558 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | TLP5702 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 15 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP5702 (D4-LF4E | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | - - - | 15ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 200ns, 200ns |
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