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Isolonen (2050)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Strom - Spitzenausgang | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Impulsbreite Verzerrung (max) | SPANNUNG - AUSGANGSVERORGUNG | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP732 (D4-GB-LF4, f | - - - |  | 4214 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP732 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP732 (D4-GB-LF4F | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP137 (BV-TPR, F) | - - - | | 5868 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | TLP137 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-mfsop, 5 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP137 (BV-TPRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 8 µs, 8 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 1ma | 1200% @ 1ma | 10 µs, 8 µs | 400mV | ||||||||||||
 | TLP5751H (D4TP4, e | 1.8500 | | 9990 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5751 | Optische Kopplung | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1a, 1a | 1a | 15ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V ~ 30 V | ||||||||||||||
 | TLP2398 (e | - - - | | 5334 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2398 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 3v ~ 20V | 6-so, 5 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP2398 (ETR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 ma | 5 mbit / s | 15ns, 12ns | 1,5 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||
| TLP120 (TPL, F) | - - - | | 9244 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP120 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP120 (TPLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||
| TLP250F (D4INV-T4, f | - - - | | 4814 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP250F | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP250F (D4INV-T4FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP121 (GB-TPL, F) | - - - | | 2862 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Blei | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP121 (GB-TPLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||
 | TLP182 (BL, e | 0,5700 | | 25 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP182 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP182 (BLE | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||
 | TLP5771 (TP, e | 2.3300 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5771 | Optische Kopplung | CQC, CUR, UR, VDE | 1 | 6-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1a, 1a | 1a | 15ns, 8ns | 1,65 v | 8 ma | 5000 VRMs | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V ~ 30 V | |||||||||||||
 | TLP2161 (f) | - - - | | 8290 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TLP2161 | DC | 2 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2161f | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 ma | 15mb | 3ns, 3ns | 1,5 v | 10 ma | 2500 VRMs | 2/0 | 20 kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||||||||
 | TLP385 (D4, e | 0,5400 | | 4303 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP385 (D4E | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||
| TLP2391 (e | 1.3000 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2391 | AC, DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 10 ma | 10 MB | 3ns, 3ns | 1,55 v | 10 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||
| TLP552 (f) | - - - | | 7108 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP552 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP552 (f) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tlp2166a (tp, f) | - - - | | 6199 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TLP2166 | DC | 2 | Push-Pull, Totem Pole | 3v ~ 3,63 V | 8-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 10 ma | 15mb | 5ns, 5ns | 1,65 v | 15 Ma | 2500 VRMs | 2/0 | 15kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||
| TLP187 (tpl, e | 1.0300 | | 3033 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP187 | DC | 1 | Darlington | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 1000% @ 1ma | - - - | 50 µs, 15 µs | 1,2 v | |||||||||||||
| TLP781 (D4-YH, F) | - - - | | 2989 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781 (D4-YHF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 75% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||
 | TLP785F (LF7, f | - - - | | 9999 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (LF7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||
| TLP781F (D4-GR-TC, f | - - - | | 5980 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4-GR-TCF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||
| Tlp719f (f) | - - - | | 3997 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP719 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-sdip | - - - | 264-tlp719f (f) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | - - - | 1,65 v | 25 ma | 5000 VRMs | 20% @ 16 ma | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||
| TLP627M (e | 0,9000 | | 8368 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP627M (e | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 150 Ma | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | - - - | 1000% @ 1ma | 110 µs, 30 µs | 1,2 v | |||||||||||||
| Tlp9121a (yskgbtl, f | - - - | | 5286 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 264-TLP9121A (YSKGBTLF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP715 (D4-TP, F) | - - - | | 6489 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | TLP715 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 20V | 6-sdip-möwenflügel | Herunterladen | 264-TLP715 (D4-TPF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 5 mbit / s | 30ns, 30ns | 1,6 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||
 | TLP785 (D4GL-T6, f | 0,7400 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||
| Tlp9148j (nd-tl, f) | - - - | | 2452 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 264-TLP9148J (ND-TLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2468 (f) | - - - | | 5641 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | TLP2468 | DC | 1 | Offener Sammler | 2,7 V ~ 5,5 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TLP2468f | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 ma | 20mb | 30ns, 30ns | 1,57 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60 ns | ||||||||||||
| TLP9118 (MBHA-TL, F) | - - - | | 4507 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 264-TLP9118 (MBHA-TLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2312 (tpl, e | 1.7100 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2312 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,2 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP2312 (tPletr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 ma | 5 mbit / s | 2,2ns, 1,6 ns | 1,53 v | 8ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||
 | TLP293-4 (4LGBTRE | 1.6300 | | 1661 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) | TLP293 | DC | 4 | Transistor | 16 Also | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 500 ähm | 600% @ 500 ähm | 3 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||
| TLP531 (MBS-TP5, F) | - - - | | 3705 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP531 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP531 (MBS-TP5F) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5701 (e | 1.2600 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5701 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 10 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 600 mA | - - - | 50ns, 50 ns | 1,57 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 500 ns, 500 ns |
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