SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Eingabetyp Anzahl der Kanäle Ausgabetyp Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Strom – Ausgang/Kanal Datenrate Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) Spannung – Ausgang (max.) Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) Strom – DC-Vorwärtsstrom (fällt) (max.) Spannung – Isolation Spannung – Aus-Zustand Strom – Einschaltzustand (It (RMS)) (Max) Aktuell – Halten (Ih) Eingänge – Seite 1/Seite 2 Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.) Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) Ein-/Ausschaltzeit (Typ) VCE-Sättigung (Max) Nulldurchgangsschaltung Statischer dV/dt (Min) Strom – LED-Trigger (Ift) (Max) Einschaltzeit
TLP292-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4-GB,E 1.7900
Anfrage
ECAD 6099 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 16-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) TLP292 Wechselstrom, Gleichstrom 4 Transistor 16-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP651(O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP651(O,F) -
Anfrage
ECAD 4853 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP651 Gleichstrom 1 Transistor mit Sockel 8-DIP - RoHS-konform Nicht zutreffend TLP651(OF) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1,65 V 25mA 5000 Vrms 19 % bei 16 mA - 300 ns, 500 ns -
TLPN137(D4TP1,S Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137(D4TP1,S -
Anfrage
ECAD 6732 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLPN137 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLPN137(D4TP1STR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP781(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-FUN,F) -
Anfrage
ECAD 3278 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP781 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781(D4-FUNF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP785F(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4-GR,F -
Anfrage
ECAD 1238 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785F(D4-GRF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP385(D4BLLTL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4BLLTL,E 0,5500
Anfrage
ECAD 7135 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP385 Gleichstrom 1 Transistor 6-SO, 4 Blei herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 5000 Vrms 200 % bei 5 mA 400 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP182(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(Y,E 0,5500
Anfrage
ECAD 1756 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP182 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 6-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP182(YE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 50 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP785F(Y-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(Y-TP7,F -
Anfrage
ECAD 6359 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785F(Y-TP7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 150 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP137(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(TPL,F) -
Anfrage
ECAD 4538 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 5 Anschlüsse TLP137 Gleichstrom 1 Transistor mit Sockel 6-MFSOP, 5 Leitungen - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP137(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 8µs, 8µs 80V 1,15 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 1 mA 1200 % bei 1 mA 10µs, 8µs 400 mV
TLP182(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(GR-TPL,E 0,5200
Anfrage
ECAD 4529 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP182 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 6-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP627-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2(D4,F) -
Anfrage
ECAD 6591 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP627 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP627-2(D4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4,J,F) -
Anfrage
ECAD 5993 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP759 Gleichstrom 1 Transistor 8-DIP herunterladen RoHS-konform Nicht zutreffend TLP759(D4JF) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 20V 1,65 V 25mA 5000 Vrms 20 % bei 16 mA - 200 ns, 300 ns -
TLP785(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-GR,F 0,6200
Anfrage
ECAD 85 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen RoHS-konform Nicht zutreffend TLP785(D4-GRF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP121(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GR-TPL,F) -
Anfrage
ECAD 2963 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP121 Gleichstrom 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Leitungen - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP121(GR-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP126TPRF Toshiba Semiconductor and Storage TLP126TPRF -
Anfrage
ECAD 2305 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP126 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Leitungen herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 8µs, 8µs 80V 1,15 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 1 mA 1200 % bei 1 mA 10µs, 8µs 400 mV
TLP266J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(TPL,E 0,9000
Anfrage
ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TLP Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP266 1 Triac 6-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 1,27 V 30mA 3750 Vrms 600 V 70mA 600 µA (typ.) Ja 200V/µs 10mA 30µs
TLP781F(D4FUNBLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4FUNBLL,F -
Anfrage
ECAD 3703 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781F(D4FUNBLLF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 200 % bei 5 mA 400 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP2630(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630(TP1,F) -
Anfrage
ECAD 9395 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP2630 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP2630(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP388(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(GB,E 0,7900
Anfrage
ECAD 8875 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP388 Gleichstrom 1 Transistor 6-SO, 4 Blei herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 350V 1,25 V 50mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP127(MAT-M-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(MAT-M-TPL,F -
Anfrage
ECAD 8990 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP127 Gleichstrom 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Leitungen - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP127(MAT-M-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 50mA 2500 Vrms 1000 % bei 1 mA - 50µs, 15µs 1,2V
TLP160G(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(TPL,U,F) -
Anfrage
ECAD 5638 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP160G - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP160G(TPLUF)TR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP626(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(LF2,F) -
Anfrage
ECAD 7360 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP626 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 264-TLP626(LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 8µs, 8µs 55V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 1 mA 1200 % bei 1 mA 10µs, 8µs 400 mV
TLP2770(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(TP,E 2.2400
Anfrage
ECAD 11 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP2770 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 1.500 10mA 20 MBd 1,3 ns, 1 ns 1,5V 8mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 60ns, 60ns
TLP160J(V4T7TLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4T7TLUC,F -
Anfrage
ECAD 6563 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP160 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP160J(V4T7TLUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP160J(V4OM5TRUCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4OM5TRUCF -
Anfrage
ECAD 5428 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP160J - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP160J(V4OM5TRUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP290(BLL-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(BLL-TP,E) -
Anfrage
ECAD 2482 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179 Zoll, 4,55 mm Breite) TLP290 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 4µs, 7µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 200 % bei 5 mA 400 % bei 5 mA 7µs, 7µs 300 mV
TLP719(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(D4-TP,F) -
Anfrage
ECAD 7485 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,268", 6,80 mm Breite) Gleichstrom 1 Transistor 6-SDIP Möwenflügel - 264-TLP719(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1,65 V 25mA 5000 Vrms 20 % bei 16 mA - 800 ns, 800 ns (maximal) -
TLP292-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LA-TP,E 1.7900
Anfrage
ECAD 1266 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 16-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) TLP292 Wechselstrom, Gleichstrom 4 Transistor 16-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 50 % bei 500 µA 600 % bei 500 µA 3µs, 3µs 300 mV
TLP781(D4GRL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRL-LF6,F -
Anfrage
ECAD 8041 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP781 Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP781(D4GRL-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 200 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP2366(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366(TPR,E 0,4841
Anfrage
ECAD 1284 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,179 Zoll, 4,55 mm Breite), 5 Anschlüsse TLP2366 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 Blei herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 10mA 20 MBd 15ns, 15ns 1,61 V 25mA 3750 Vrms 1/0 20kV/µs 40ns, 40ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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