SIC
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Isolonen (2050)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max)
TLP2312(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312 (V4-TPL, e 1.7100
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2312 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 2,2 V ~ 5,5 V. 6-so, 5 Blei Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP2312 (V4-TPLETRRETR Ear99 8541.49.8000 3.000 8 ma 5 mbit / s 2,2ns, 1,6 ns 1,53 v 8ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 250ns, 250ns
TLP733(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-C172, F) - - -
RFQ
 ECAD 3338 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP733 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP - - - ROHS -KONFORM Nicht Anwendbar TLP733 (D4-C172F) Ear99 8541.49.8000 1.500 50 ma 2 µs, 3 µs 55 v 1,15 V 60 mA 4000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP2301(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2301 (tpl, e 0,6000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP2301 DC 1 Transistor 6-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma - - - 40V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 50% @ 1ma 600% @ 1ma - - - 300mV
TLP291(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB, E) - - -
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) TLP291 DC 1 Transistor 4-so Herunterladen Ear99 8541.49.8000 175 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 300mV
TLP2761(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (TP4, e - - -
RFQ
 ECAD 7022 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP2761 AC, DC 1 2,7 V ~ 5,5 V. 6-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP2761 (TP4E Ear99 8541.49.8000 1.000 10 ma 15mb 3ns, 3ns 1,5 v 10 ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 80ns, 80ns
TLP121(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GB-TPL, F) - - -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP121 DC 1 Transistor 6-mfsop, 4 Blei - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP121 (GB-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 50 ma 3750 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP523(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523 (f) - - -
RFQ
 ECAD 6046 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP523 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP523 (f) Ear99 8541.49.8000 50
TLP120(GR-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GR-TP, F) - - -
RFQ
 ECAD 9211 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP120 AC, DC 1 Transistor 6-mfsop, 4 Blei - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP120 (GR-TPF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP250(LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (LF4, F) - - -
RFQ
 ECAD 5250 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP250 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP250 (LF4F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP191B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp191b (tpl, u, c, f) - - -
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP191 DC 1 Photovoltaik 6-mfsop, 4 Blei Herunterladen 264-TLP191B (TPLUCF) Ear99 8541.49.8000 1 - - - - - - 8v 1,4 v 50 ma 2500 VRMs - - - - - - 200 µs, 3 ms - - -
TLP785F(BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp785f (Bll-t7, f - - -
RFQ
 ECAD 7721 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785F (Bll-t7ftr Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 200% @ 5ma 400% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP785(GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GB-LF6, f 0,6400
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP785 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen ROHS -KONFORM Nicht Anwendbar TLP785 (GB-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP2368(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2368 (tpl, e 1.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2368 DC 1 Offener Sammler 2,7 V ~ 5,5 V. 6-so, 5 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 25 ma 20mb 30ns, 30ns 1,55 v 25ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 60ns, 60 ns
TLP160J(V4T7TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J (V4T7TRUC, f - - -
RFQ
 ECAD 5602 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP160J - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP160J (V4T7TRUCFTR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP700AF(D4-TP,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700AF (D4-TP, s) - - -
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP700 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP700AF (D4-TPS) TR Ear99 8541.49.8000 1.500
TLP2362(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (e) 1.0500
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2362 DC 1 Offener Sammler 2,7 V ~ 5,5 V. 6-so, 5 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 125 25 ma 10 MB 30ns, 30ns 1,55 v 25ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 100 ns, 100 ns
TLP734F(D4-GRL,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-Grl, M, F. - - -
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP734 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP734F (D4-GRLMF Ear99 8541.49.8000 50
TLP160G(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp160g (tpl, u, f) - - -
RFQ
 ECAD 5638 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP160G - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP160G (TPLUF) TR Ear99 8541.49.8000 3.000
TLP714F(4HWTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F (4HWTP, f - - -
RFQ
 ECAD 7589 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) TLP714 DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 30 V 6-sdip-möwenflügel Herunterladen 264-TLP714F (4HWTPF Ear99 8541.49.8000 1 15 Ma 1 mbit / s - - - 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 550ns, 400 ns
TLP160G(OMT7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (OMT7, F) - - -
RFQ
 ECAD 4295 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Veraltet TLP160G - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP160G (OMT7F) TR Ear99 8541.49.8000 150
TLP523-4(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-4 (MBS, F) - - -
RFQ
 ECAD 6882 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP523 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP523-4 (MBSF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4GRT6-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4grt6-SD, f - - -
RFQ
 ECAD 6920 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP781 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781 (D4GRT6-SDFTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP2310(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2310 (tpl, e 1.5500
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2310 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 2,7 V ~ 5,5 V. 6-so, 5 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 10 ma 5 mbit / s 11ns, 13ns 1,53 v 8ma 3750 VRMs 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
TLP5702H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H (e 1.7100
RFQ
 ECAD 9055 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP5702 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 10 V ~ 30 V 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP5702H (e Ear99 8541.49.8000 125 - - - 37ns, 50 ns 1,65 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 50 kV/µs 200ns, 200ns
TLP2770(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770 (TP, e 2.2400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP2770 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 2,7 V ~ 5,5 V. 6-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 10 ma 20mb 1,3ns, 1ns 1,5 v 8ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 60ns, 60 ns
TLP733(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-C174, F) - - -
RFQ
 ECAD 1010 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP733 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP - - - ROHS -KONFORM Nicht Anwendbar TLP733 (D4-C174F) Ear99 8541.49.8000 1.500 50 ma 2 µs, 3 µs 55 v 1,15 V 60 mA 4000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP120(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (TPL, F) - - -
RFQ
 ECAD 9244 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP120 AC, DC 1 Transistor 6-mfsop, 4 Blei - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP120 (TPLF) Ear99 8541.49.8000 3.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP385(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4, e 0,5400
RFQ
 ECAD 4303 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads TLP385 DC 1 Transistor 6-so, 4 Blei Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP385 (D4E Ear99 8541.49.8000 125 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,25 V. 50 ma 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 300mV
TLP701H(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701H (TP, F) 0,5373
RFQ
 ECAD 4868 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) TLP701 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 10 V ~ 30 V 6-sdip Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLP701H (TPF) Ear99 8541.49.8000 1.500 600 mA - - - 50ns, 50 ns 1,57 v 25ma 5000 VRMs 1/0 20 kV/µs 700 ns, 700 ns
TLP5772H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H (TP4, e 2.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) TLP5772 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 10 V ~ 30 V 6-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 1.500 - - - 56ns, 25ns 1,65 v 8ma 5000 VRMs 1/0 35 kV/µs 150ns, 150ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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196-LFBGA Expositionspad

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