SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Eingabetyp Technologie Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgabetyp Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Strom – Ausgang hoch, niedrig Strom – Ausgang/Kanal Datenrate Strom – Spitzenleistung Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) Spannung – Ausgang (max.) Spannung – Vorwärts (Vf) (Typ) Strom – DC-Vorwärtsstrom (fällt) (max.) Spannung – Isolation Spannung – Aus-Zustand Strom – Einschaltzustand (It (RMS)) (Max) Aktuell – Halten (Ih) Eingänge – Seite 1/Seite 2 Gleichtakt-Transientenimmunität (Min.) Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max) Impulsbreitenverzerrung (max.) Spannung – Ausgangsversorgung Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) Ein-/Ausschaltzeit (Typ) VCE-Sättigung (Max) Nulldurchgangsschaltung Statischer dV/dt (Min) Strom – LED-Trigger (Ift) (Max) Einschaltzeit
TLP669LF(D4,S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669LF(D4,S,C,F) -
Anfrage
ECAD 8098 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet - Durchgangsloch 6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 Anschlüsse TLP669 CSA, cUL, UL, VDE 1 Triac 6-DIP herunterladen 264-TLP669LF(D4SCF) EAR99 8541.49.8000 1 - 5000 Vrms 800 V 100mA - Ja - 10mA -
TLP137(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(BV,F) -
Anfrage
ECAD 4856 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 5 Anschlüsse TLP137 Gleichstrom 1 Transistor mit Sockel 6-MFSOP, 5 Leitungen - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP137(BVF) EAR99 8541.49.8000 50 50mA 8µs, 8µs 80V 1,15 V 50mA 3750 Vrms 200 % bei 1 mA 1200 % bei 1 mA 10µs, 8µs 400 mV
TLP785(D4GL-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GL-T6,F 0,7400
Anfrage
ECAD 4 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SMD, Gull Wing TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen RoHS-konform Nicht zutreffend EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP701F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701F(D4-TP,F) -
Anfrage
ECAD 8871 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,268", 6,80 mm Breite) TLP701 Optische Kopplung - 1 6-SDIP Möwenflügel herunterladen 264-TLP701F(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 - 600mA - - 5000 Vrms 10kV/µs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
TLP160G(OMT7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(OMT7,F) -
Anfrage
ECAD 4295 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP160G - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP160G(OMT7F)TR EAR99 8541.49.8000 150
TLP632(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(GB-LF2,F) -
Anfrage
ECAD 1145 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP632 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP632(GB-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP371(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371(LF2,F) -
Anfrage
ECAD 1632 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP371 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP371(LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2531(TOSYK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(TOSYK,F) -
Anfrage
ECAD 2768 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) Gleichstrom 2 Transistor mit Sockel 8-DIP herunterladen 264-TLP2531(TOSYKF) EAR99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1,65 V 25mA 2500 Vrms 19 % bei 16 mA - - -
TLP550(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(LF5,F) -
Anfrage
ECAD 9974 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP550 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP550(LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP127(TOKUD-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(TOKUD-TPL,F -
Anfrage
ECAD 2831 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP127 Gleichstrom 1 Darlington 6-MFSOP, 4 Leitungen - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP127(TOKUD-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40µs, 15µs 300V 1,15 V 50mA 2500 Vrms 1000 % bei 1 mA - 50µs, 15µs 1,2V
TLP388(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(TPL,E 0,7900
Anfrage
ECAD 3550 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP388 Gleichstrom 1 Transistor 6-SO, 4 Blei herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 350V 1,25 V 50mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP2958(D4-MBT1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958(D4-MBT1,F) -
Anfrage
ECAD 1956 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 125 °C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP2958 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 3V ~ 20V 8-DIP herunterladen 264-TLP2958(D4-MBT1F) EAR99 8541.49.8000 1 25mA 5 Mbit/s 15ns, 10ns 1,55 V 25mA 5000 Vrms 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP759(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4,J,F) -
Anfrage
ECAD 5993 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Veraltet -55 °C ~ 100 °C Durchgangsloch 8-DIP (0,300", 7,62 mm) TLP759 Gleichstrom 1 Transistor 8-DIP herunterladen RoHS-konform Nicht zutreffend TLP759(D4JF) EAR99 8541.49.8000 50 8mA - 20V 1,65 V 25mA 5000 Vrms 20 % bei 16 mA - 200 ns, 300 ns -
TLP250H(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(LF5,F) -
Anfrage
ECAD 2930 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 8-SMD, Gull Wing TLP250 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 10V ~ 30V 8-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP250H(LF5F) EAR99 8541.49.8000 50 2 A - 50ns, 50ns 1,57 V 20mA 3750 Vrms 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
TLP531(HIT-BL-T1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(HIT-BL-T1,F -
Anfrage
ECAD 3100 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP531 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP531(HIT-BL-T1F EAR99 8541.49.8000 50
TLX9185(KBDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(KBDGBTLF(O -
Anfrage
ECAD 8129 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLX9185 Gleichstrom 1 Transistor 6-SOP - 264-TLX9185(KBDGBTLF(O EAR99 8541.49.8000 1 50mA 3µs, 5µs 80V 1,27 V 30mA 3750 Vrms 20 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 5µs, 5µs 400 mV
TLP250F(D4INV-T4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F(D4INV-T4,F -
Anfrage
ECAD 4814 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Veraltet TLP250F - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP250F(D4INV-T4FTR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP9104A(NCN-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(NCN-TL,F) -
Anfrage
ECAD 1211 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Schüttgut Veraltet - 264-TLP9104A(NCN-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP5751H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751H(D4LF4,E 1.8500
Anfrage
ECAD 6114 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) TLP5751 Optische Kopplung CQC, CSA, cUL, UL, VDE 1 6-SO herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 125 1A, 1A 1A 15ns, 8ns 1,55 V 20mA 5000 Vrms 35kV/µs 150ns, 150ns 50ns 15V ~ 30V
TLP627-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2(D4,F) -
Anfrage
ECAD 6591 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Veraltet TLP627 - 1 (Unbegrenzt) 264-TLP627-2(D4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP155E(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E(E) -
Anfrage
ECAD 3395 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40°C ~ 100°C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,179 Zoll, 4,55 mm Breite), 5 Anschlüsse TLP155 Gleichstrom 1 Push-Pull, Totempfahl 10V ~ 30V 6-SO, 5 Blei herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 125 - 35ns, 15ns 1,55 V 20mA 3750 Vrms 1/0 15kV/µs 170ns, 170ns
TLP785F(BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(BLL-T7,F -
Anfrage
ECAD 7721 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Durchgangsloch 4-DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 Gleichstrom 1 Transistor 4-DIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785F(BLL-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 200 % bei 5 mA 400 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP292(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(TPL,E 0,5700
Anfrage
ECAD 14 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) TLP292 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP628M(LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(LF1,E 0,9100
Anfrage
ECAD 2527 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP628 Gleichstrom 1 Transistor 4-SMD herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 5,5µs, 10µs 350V 1,25 V 50mA 5000 Vrms 50 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 10µs, 10µs 400 mV
TLP124(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPL,F) -
Anfrage
ECAD 1975 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -55 °C ~ 100 °C Oberflächenmontage 6-SMD (4 Anschlüsse), Gull Wing TLP124 Gleichstrom 1 Transistor 6-MFSOP, 4 Leitungen - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP124(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 8µs, 8µs 80V 1,15 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 1 mA 1200 % bei 1 mA 10µs, 8µs 400 mV
TLP183(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB,E 0,5000
Anfrage
ECAD 1400 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -55 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP183 Gleichstrom 1 Transistor 6-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) TLP183(GBE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 100 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP184(BL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(BL-TPL,SE 0,5100
Anfrage
ECAD 6089 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 6-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite), 4 Anschlüsse TLP184 Wechselstrom, Gleichstrom 1 Transistor 6-SOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 200 % bei 5 mA 600 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP785(GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GR-TP6,F 0,1515
Anfrage
ECAD 7283 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C TLP785 Gleichstrom 1 Transistor herunterladen 1 (Unbegrenzt) 264-TLP785(GR-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 2µs, 3µs 80V 1,15 V 60mA 5000 Vrms 100 % bei 5 mA 300 % bei 5 mA 3µs, 3µs 400 mV
TLP291(BLL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TP,SE 0,6100
Anfrage
ECAD 6152 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -55 °C ~ 110 °C Oberflächenmontage 4-SOIC (0,179", 4,55 mm Breite) TLP291 Gleichstrom 1 Transistor 4-SO herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 2µs, 3µs 80V 1,25 V 50mA 3750 Vrms 200 % bei 5 mA 400 % bei 5 mA 3µs, 3µs 300 mV
TLP9148J(PSD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J(PSD-TL,F) -
Anfrage
ECAD 2942 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Schüttgut Veraltet - 264-TLP9148J(PSD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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