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Optoisolatoren (15749)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SFH615AY | 0,2221 |  | 2810 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | SFH615 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 Ma | - - - | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 2 µs, 25 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | EL208 | - - - | | 7163 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | - - - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80V | 1,3 v | 60 mA | 3750 VRMs | 160% @ 10 mA | 320% @ 10 mA | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||
 | IL4208-X009 | 3.9600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd | IL4208 | CQC, CSA, CUR, UR | 1 | Triac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.16V | 60 mA | 5300 VRMs | 800 V | 300 ma | 500 ähm | NEIN | 10kV/µs | 2ma | 35 µs | |||||||||||||||||
 | CNY17-2. | 0,6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,39 v | 60 mA | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | CNY17-3S1 (TB) -V | - - - | | 7536 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17-3 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3907171765 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,65 V (max) | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 10 µs, 9 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP781 (D4grt6-SD, f | - - - | | 6920 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781 (D4GRT6-SDFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 Ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | AB817A-B | 1.0500 | | 1 | 0.00000000 | Kingbright | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | - - - | ROHS3 -KONFORM | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 Ma | 4 µs, 3 µs | 35 V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
 | Tlp748j (f) | 1.8600 | | 15 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | TLP748 | BSI, Semko, ur | 1 | Scr | 6-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 ma | 4000 VRMs | 600 V | 150 Ma | 1ma | NEIN | 5 V/µs | 10 ma | 15 µs | ||||||||||||||||
 | VOM618A-4T | 0,5800 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | VOM618 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 Ma | 5 µs, 4 µs | 80V | 1.1V | 60 mA | 3750 VRMs | 160% @ 1ma | 320% @ 1ma | 7 µs, 6 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| Tlp781f (D4dltgrl, f | - - - | | 4669 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (D4dltgrlf | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 Ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| ACPL-5601L | 94.2841 | | 2868 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 8-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | ACPL-5601 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 3v ~ 3,6 V | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a001a2c | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 10 MB | 20ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 1500VDC | 1/0 | 1kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||
| TLP2304 (tpl, e | 1.4100 | | 4087 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2304 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 30 V | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 15 Ma | 1MB | - - - | 1,55 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 550ns, 400 ns | |||||||||||||||||
 | VOW137-X001 | 1.5822 | | 9183 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Offener Sammler | 10 V ~ 30 V | 8-DIP | Herunterladen | 751-VOW137-X001TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.200 | 50 ma | 10 MB | 14ns, 7ns | 1,65 v | 20 ma | 5300 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 100 ns, 100 ns | ||||||||||||||||||
 | RF-817C-F | 0,3000 | | 1458 | 0.00000000 | Refond | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4784-RF-817C-F | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 4N28SR2VM | 0,9900 | | 4943 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n28 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | 2 µs, 2 µs | 500mv | |||||||||||||||
| Fod785bsd | 0,2488 | | 1044 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-Pdip-GW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-FOD785bsdtr | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 Ma | 18 µs, 18 µs (max) | 80V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
 | PS9123-F3-AX | - - - | | 9063 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 5,5 V. | 5-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 13 ma | 15 mbit / s | - - - | 1,55 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1/0 | 15kV/µs | 60ns, 60 ns | ||||||||||||||||
 | LIA120 | - - - | | 9508 | 0.00000000 | Ixys Integrierte SchaltungsabeLung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Photovoltaik | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - - - | - - - | - - - | 1,2 v | 20 ma | 3750 VRMs | 1% @ 5ma | 3% @ 5ma | - - - | - - - | ||||||||||||||||
 | PS2701-1-V-F3-HA | - - - | | 3408 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 80 Ma | 3 µs, 5 µs | 40V | 1.1V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
| TLX9185 (KBDGBTLF (o | - - - | | 8129 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLX9185 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | - - - | 264-TLX9185 (KBDGBTLF (o | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 Ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1,27 v | 30 ma | 3750 VRMs | 20% @ 5ma | 600% @ 5ma | 5 µs, 5 µs | 400mV | |||||||||||||||||
| TLP785F (D4tels, f | - - - | | 6633 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (D4telsf | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 Ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | Opia1210atre | - - - | | 1829 | 0.00000000 | TT Electronics/optek -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 Ma | 2 µs, 3 µs | 350 V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||
| EL3062S1 (TA) -V | 0,5450 | | 9017 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | EL3062 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3903620014 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (max) | 60 mA | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 280 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||
| MCT2S (TA) -V | - - - | | 8408 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MCT2 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 390717T212 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,23V | 60 mA | 5000 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | CNY17F-3X009T | 0,8000 | | 488 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 Ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,39 v | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | PS9001-Y-F3-ACH | 2.0100 | | 1982 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe), 5 Leads | PS9001 | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 5-lsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 20 ma | - - - | - - - | 1,56 v | 25ma | 5000 VRMs | 1/0 | 50 kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||
| TLP620-2 (gr, f) | - - - | | 6523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP620 | AC, DC | 2 | Transistor | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP620-2 (GRF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 Ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||
 | TLP2310 (tpl, e | 1.5500 | | 8032 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2310 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,7 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 ma | 5 mbit / s | 11ns, 13ns | 1,53 v | 8ma | 3750 VRMs | 1/0 | 25kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
 | 5962-8957202KXA | 686.8600 | | 1383 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-SMD, Möwenflügel | 5962-8957202 | DC | 2 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 16-smd-möwenflügel | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 10 mbit / s | 30ns, 24ns | - - - | 60 mA | 1500VDC | 2/0 | 1kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||
| TLP2531 (QCPL4532, f | - - - | | 4357 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TLP2531 | DC | 2 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | 264-TLP2531 (QCPL4532F | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | 15 v | 1,65 v | 25 ma | 2500 VRMs | 19% @ 16ma | 30% @ 16 ma | 200 ns, 300 ns | - - - |
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