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Optoisolatoren (15749)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FODM121ER1V | - - - |  | 2161 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM12 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
 | CNY17F2VM | 0,3095 | | 4226 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY17F2 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3,5 µs (max) | 70V | 1,35 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
 | PC410SSNIP0F | - - - | | 1316 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | * | Schüttgut | Veraltet | PC410 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CNY64 | 2.4100 | | 6996 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,200 ", 5.08 mm) | CNY64 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2,4 µs, 2,7 µs | 32V | 1,25 V. | 75 Ma | 8200 VRMs | 50% @ 10 mA | 300% @ 10ma | 5 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
| FODM3011R4 | - - - | | 2066 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 250 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 10 V/µs (Typ) | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
 | SFH6206-2 | 0,9400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | SFH6206 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2266-SFH6206-2 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 63% @ 10 mA | 200% @ 10ma | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | ||||||||||||||
 | TLP2312 (V4-TPL, e | 1.7100 | | 16 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2312 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 2,2 V ~ 5,5 V. | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP2312 (V4-TPLETRRETR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 ma | 5 mbit / s | 2,2ns, 1,6 ns | 1,53 v | 8ma | 3750 VRMs | 1/0 | 20 kV/µs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
 | H11AA23S | - - - | | 1414 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11a | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AA23S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||
| FODM3082 | - - - | | 2393 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | Cul, ul | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,5 V (max) | 60 mA | 3750 VRMs | 800 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | Ja | 600 V/µs | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
 | Tlp182 (y-tpl, e | 0,5500 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP182 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||
| MOC3011VM | - - - | | 2178 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc301 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3011VM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,15 V | 60 mA | 4170 VRMs | 250 V | 100 µA (Typ) | NEIN | - - - | 10 ma | - - - | ||||||||||||||||
| Vo610a-3x008t | 0,1298 | | 5161 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | VO610 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 6 µs, 5 µs | 300mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-4731#320 | - - - | | 2856 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-4731 | DC | 2 | Darlington | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 60 mA | - - - | 18V | 1,25 V. | 10 ma | 5000 VRMs | 600% @ 500 ähm | 8000% @ 500 ähm | 3 µs, 34 µs | - - - | |||||||||||||||
 | H11AA3W | - - - | | 1665 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | H11a | AC, DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11AA3W-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | - - - | 400mV | |||||||||||||||
| H11b1s | - - - | | 5861 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tasche | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11b | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | H11B1S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 25 v | 1,2 v | 100 ma | 5300 VRMs | 500% @ 1ma | - - - | 25 µs, 18 µs | 1V | |||||||||||||||
 | FOD4108 | 3.9300 | | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | FOD410 | CSA, UL | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,25 V. | 30 ma | 5000 VRMs | 800 V | 500 ähm | Ja | 10kV/µs | 2ma | 60 µs | ||||||||||||||||
| H11A1-X009 | - - - | | 1113 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | - - - | 70V | 1.1V | 60 mA | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | - - - | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP160J (V4OM5TRUCF | - - - | | 5428 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP160J | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP160J (V4OM5TRUCFTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-5631L-100 | 111.3297 | | 1527 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Smd-Butt-Gelenk | ACPL-5631 | DC | 2 | Open Collector, Schottky Klemmte | 3v ~ 3,6 V | 8-Dip-Buttfuge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a001a2c | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 10 MB | 20ns, 8ns | 1,55 v | 20 ma | 1500VDC | 2/0 | 1kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||
| PS2561BL2-1-A | 0,3761 | | 7723 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2561 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 559-1316 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 40 ma | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||
 | TLP385 (D4Y-TPL, e | 0,5600 | | 1433 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-so, 4 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||
| Tlp161j (v4-u, c, f) | - - - | | 3578 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP161J | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP161J (V4-UCF) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HCPL-063L | 8.8500 | | 6 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HCPL-063 | DC | 2 | Open Collector, Schottky Klemmte | 2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V. | 8 Also Groß | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 15mb | 24ns, 10ns | 1,5 v | 15 Ma | 3750 VRMs | 2/0 | 10kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| PC357M0J000F | - - - | | 7678 | 0.00000000 | Scharfe Mikroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-miniflat | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 80% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||||
| H11AV1SR2VM | 0,4400 | | 3152 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11AV | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | - - - | 70V | 1,18 v | 60 mA | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | 300% @ 10ma | 15 µs, 15 µs (max) | 400mV | |||||||||||||||
 | FODM121R2V | 1.0000 | | 8227 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | |||||||||||||||||||
| HCNW2601-300E | 4.0800 | | 5409 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCNW2601 | DC | 1 | Open Collector, Schottky Klemmte | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 42 | 50 ma | 10 MB | 24ns, 10ns | 1,64 v | 20 ma | 5000 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 100 ns, 100 ns | |||||||||||||||
 | TLP5772 (TP, e | 2.4000 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | TLP5772 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 10 V ~ 30 V | 6-so | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - - - | 15ns, 8ns | 1,65 v | 8ma | 5000 VRMs | 1/0 | 35 kV/µs | 150ns, 150ns | |||||||||||||||||
 | PS2701-1-F3 | - - - | | 4235 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 80 Ma | 3 µs, 5 µs | 40V | 1.1V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
 | HMHA2801CR1V | - - - | | 2502 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | HMHA28 | DC | 1 | Transistor | 4-mini-Flat | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 300mV |
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