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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HMA121BR3V | - - - | ![]() | 2696 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 150% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | 4n46 | 2.1788 | ![]() | 4973 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n46 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 516-1022-5 | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 60 mA | - - - | 20V | 1,4 v | 20 ma | 3750 VRMs | 200% @ 10ma | 1000% @ 10 mA | 5 µs, 150 µs | - - - | ||||||||||||||
![]() | Vo615a-9x017t | 0,5000 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,43V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 6 µs, 5 µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | SFH601-3X001 | - - - | ![]() | 4521 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | SFH601 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 100V | 1,25 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | MOC3062TVM | 1.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | Moc306 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | MOC3062TVM-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 v | 60 mA | 4170 VRMs | 600 V | 500 µA (Typ) | Ja | 600 V/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||
![]() | MOC211R1VM | - - - | ![]() | 7439 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-soic | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 150 Ma | 3,2 µs, 4,7 µs | 30V | 1,15 V | 60 mA | 2500 VRMs | 20% @ 10 mA | - - - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||||||
![]() | MOC8100SR2M | - - - | ![]() | 9329 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC810 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC8100SR2M-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 2 µs, 2 µs | 30V | 1,2 v | 60 mA | 7500vpk | 30% @ 1ma | - - - | 20 µs, 20 µs (max) | 500mv | |||||||||||||||
![]() | PS8101-V-F3-Achsen | 2.7600 | ![]() | 1288 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | PS8101 | DC | 1 | Transistor | 5-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 8ma | - - - | 35 V | 1,7 v | 25 ma | 3750 VRMs | 15% @ 16 Ma | 35% @ 16 Ma | 500 ns, 600 ns | - - - | |||||||||||||||
![]() | MOC3061FR2M | - - - | ![]() | 2790 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc306 | - - - | 1 | Triac | 6-smd | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC3061FR2M-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 60 mA | 7500vpk | 600 V | 500 µA (Typ) | Ja | - - - | 15 Ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | ACPL-W50L-500E | 3.1400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) | ACPL-W50 | DC | 1 | Transistor | 6-so Gemsreckt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 24 v | 1,5 v | 20 ma | 5000 VRMs | 93% @ 3ma | 200% @ 3ma | 200ns, 380ns | - - - | |||||||||||||||
![]() | 5962-9800201KXA | 649.6900 | ![]() | 7826 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-SMD, Möwenflügel | 5962-9800201 | DC | 4 | Darlington | 16-smd-möwenflügel | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 40 ma | - - - | 20V | 1,4 v | 10 ma | 1500VDC | 200% @ 5ma | - - - | 2 µs, 8 µs | 110mv | |||||||||||||||
![]() | H11N2FM | - - - | ![]() | 1925 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11n | DC | 1 | Offener Sammler | 4v ~ 15V | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 5MHz | 7,5 ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||
![]() | 4n30sr2m | 1.0800 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | 4n30 | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150 Ma | - - - | 30V | 1,2 v | 80 Ma | 4170 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | 5 µs, 40 µs (max) | 1V | |||||||||||||||
![]() | EL817 (B) -G | 0,1659 | ![]() | 5716 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3908171504 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
![]() | 140817143300 | 0,2900 | ![]() | 495 | 0.00000000 | Würdh Elektronik | WL-OCPT | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-DIP-SL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 3 µs, 4 µs | 35 V | 1,24 v | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
![]() | IL350 | - - - | ![]() | 6152 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 0,220 ", 5,60 mm Breit) | IL350 | DC | 1 | Photovoltaik, linearissiert | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 720 | - - - | 350 µs, - | - - - | 1,8 v | 30 ma | 3000 VRMs | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||
![]() | FODM3053R1_NF098 | - - - | ![]() | 8269 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | cur, ur | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 500 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 600 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 5ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | PS2711-1-LA | - - - | ![]() | 9209 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 40 ma | 4 µs, 5 µs | 40V | 1,15 V | 50 ma | 3750 VRMs | 150% @ 1ma | 300% @ 1ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
H11l1 | - - - | ![]() | 8068 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | H11l | DC | 1 | Offener Sammler | - - - | 6-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 1MHz | - - - | - - - | 1,6 Ma | 5300 VRMs | 1/0 | - - - | - - - | ||||||||||||||||
![]() | MOC3012SR2M | 0,9800 | ![]() | 484 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc301 | Ul | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,15 V | 60 mA | 4170 VRMs | 250 V | 100 µA (Typ) | NEIN | - - - | 5ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | FODM3023R4 | - - - | ![]() | 7050 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1,2 v | 60 mA | 3750 VRMs | 400 V | 70 Ma | 300 µA (Typ) | NEIN | 10 V/µs (Typ) | 5ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | TLP185 (TPL, SE | 0,6000 | ![]() | 9189 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | FODB101 | - - - | ![]() | 3062 | 0.00000000 | Onsemi | Miccoubler ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Tebga | FODB10 | DC | 1 | Transistor | 4-bga (3,5x3,5) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 1 µs, 5 µs | 75 V | 1,5 V (max) | 30 ma | 2500 VRMs | 100% @ 1ma | - - - | 3 µs, 5 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP781 (D4-YH-LF6, f | - - - | ![]() | 9575 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781 (D4-YH-LF6F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 75% @ 5ma | 150% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | IL4116 | - - - | ![]() | 8777 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IL4116 | BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,3 v | 60 mA | 5300 VRMs | 600 V | 300 ma | 200 µA | Ja | 10kV/µs | 1,3 ma | 35 µs | ||||||||||||||||
![]() | ILQ2-X017T | - - - | ![]() | 3013 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-SMD, Möwenflügel | ILQ2 | DC | 4 | Transistor | 16-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 750 | 50 ma | 2,6 µs, 2,2 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 500% @ 10 mA | 1,2 µs, 2,3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
TPC817MC C9G | - - - | ![]() | 1887 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | TPC817 | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
![]() | Moc81063s | - - - | ![]() | 2412 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MOC81063S-NDR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 1 µs, 2 µs | 70V | 1,15 V | 100 ma | 5300 VRMs | 50% @ 10 mA | 150% @ 10 mA | 2 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||
![]() | PS2861B-1Y-F3-A | 1.5600 | ![]() | 7816 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | PS2861 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 50 ma | 4 µs, 5 µs | 70V | 1.1V | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
![]() | IL300-F-X001 | 11.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IL300 | DC | 1 | Photovoltaik, linearissiert | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 70 um (Typ) | 1 µs, 1 µs | 500mv | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | - - - | - - - | - - - | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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