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Optoisolatoren (15749)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4n33m-v | - - - |  | 1051 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 3907150073 | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | - - - | - - - | 55 v | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 500% @ 10 mA | - - - | 5 µs, 100 µs (max) | 1V | ||||||||||||||||
 | EL357NF (TA) -VG | - - - | | 8762 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EL357 | DC | 1 | Transistor | 2,54 mm) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 3 µs, 4 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
 | ILD252 | - - - | | 1228 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ILD252 | AC, DC | 2 | Transistor | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - - - | - - - | 30V | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | - - - | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
 | FODM2705R2V | 0,8900 | | 4455 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | FODM2705 | AC, DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 40V | 1,4 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 50% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
 | 4N47U | 22.6820 | | 5468 | 0.00000000 | TT Electronics/optek -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6,22 x 4,32) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 30 | - - - | 20 µs, 20 µs | 45 V | 1,5 V (max) | 40 ma | 1000vdc | 50% @ 2ma | - - - | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
 | EL851 (S1) (TU) | - - - | | 5691 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EL851 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 4 µs, 5 µs | 350 V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
 | 6N140A#200 | 98.2440 | | 2537 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | 6N140 | DC | 4 | Darlington | 16-DIP | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a001a2c | 8541.49.8000 | 1 | 40 ma | - - - | 20V | 1,4 v | 10 ma | 1500VDC | 200% @ 5ma | - - - | 2 µs, 8 µs | 110mv | |||||||||||||||
 | FOD817c | - - - | | 9053 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||||
 | VO615A-2X019T | 0,5000 | | 1867 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,43V | 60 mA | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 6 µs, 5 µs | 300mV | ||||||||||||||||
 | APT1232AX | 2.1900 | | 5957 | 0.00000000 | Panasonic Electric Works | Geeignet | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leads), Möwenflügel | APT1232 | Cur, VDE | 1 | Triac | 6-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,21V | 50 ma | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 3,5 Ma | Ja | 500 V/µs | 10 ma | 100 µs (max) | |||||||||||||||||
 | CNY65BEXI | 3.1508 | | 9911 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | CNY65 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.050 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 32V | 1,25 V. | 75 Ma | 8200 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | 5 µs, 3 µs | 300mV | |||||||||||||||
| EL816 (S1) (A) (TD) | - - - | | 1086 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
| FOD785d | 0,1590 | | 7111 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-FOD785DTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 18 µs, 18 µs (max) | 80V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 300% @ 5ma | 600% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
| VO3022-X006 | - - - | | 6089 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,400 ", 10,16 mm) | VO302 | CQC, CSA, Cul, Fimko, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | - - - | 751-VO3022-X006 | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,3 v | 50 ma | 5000 VRMs | 400 V | 100 ma | 200 µA (Typ) | NEIN | 100 V/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||||
| OLH7000.0029 | - - - | | 2465 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | OLH7000 | - - - | 863-olh7000.0029 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 140816142200 | 0,3800 | | 595 | 0.00000000 | Würdh Elektronik | WL-OCPT | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-dip-s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 ma | 3 µs, 4 µs | 80V | 1,24 v | 60 mA | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | - - - | |||||||||||||||||
 | MOC3042SM | - - - | | 8301 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | Moc304 | Ul | 1 | Triac | 6-smd | Herunterladen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,25 V. | 60 mA | 4170 VRMs | 400 V | 400 µA (Typ) | Ja | 1kV/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||||||
 | HCPL-2533#300 | - - - | | 4091 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | DC | 2 | Transistor | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8ma | - - - | 7v | 1,5 v | 25 ma | 3750 VRMs | 15% @ 8ma | - - - | 800 ns, 1 µs | - - - | ||||||||||||||||
 | H11b3 | 0,1000 | | 4 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - - - | - - - | 55 v | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 1ma | - - - | 25 µs, 18 µs | 1V | ||||||||||||||||||
| HCPL-250L-500E | 0,7652 | | 2870 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL-250 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP-Möwenflügel | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8ma | - - - | 7v | 1,5 v | 25 ma | 3750 VRMs | 19% @ 16ma | 50% @ 16 ma | 200ns, 600ns | - - - | |||||||||||||||
| TLP785F (BL-LF7, f | - - - | | 7849 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP785F (BL-LF7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | EL3H7 (f) (EA) -VG | - - - | | 7894 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 5 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 50 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 200mv | ||||||||||||||||
 | EL205 | - - - | | 2850 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | - - - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80V | 1,3 v | 60 mA | 3750 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||
| TLP2531 (TP1, F) | - - - | | 8249 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP2531 | DC | 2 | Transistor -MIT -Basis | 8-smd | Herunterladen | 264-TLP2531 (TP1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | 15 v | 1,65 v | 25 ma | 2500 VRMs | 19% @ 16ma | 30% @ 16 ma | 200 ns, 300 ns | - - - | |||||||||||||||||
 | Jantxv4n49a | - - - | | 5074 | 0.00000000 | TT Electronics/optek -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | To-78-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 365-1980 | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 20 µs, 20 µs (max) | 40V | 1,5 V (max) | 40 ma | 1000vdc | 200% @ 1ma | 1000% @ 1ma | - - - | 300mV | |||||||||||||||
| TLP2348 (e | 1.1200 | | 75 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads | TLP2348 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 30 V | 6-so, 5 Blei | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP2348 (e | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50 ma | 10 mbit / s | 3ns, 3ns | 1,55 v | 15 Ma | 3750 VRMs | 1/0 | 30kV/µs | 120ns, 120ns | |||||||||||||||
| SFH6106-3096 | - - - | | 3117 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | SFH6106 | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 751-SFH6106-3096 | Veraltet | 1 | 50 ma | 3 µs, 14 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | ||||||||||||||||||
 | TLP781 (D4-BLF6, f | - - - | | 2876 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781 (D4-BL-LF6F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| H11N2SVM | - - - | | 1473 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | H11n | DC | 1 | Offener Sammler | 4v ~ 15V | 6-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 ma | 5MHz | 7,5 ns, 12ns | 1,4 v | 30 ma | 4170 VRMs | 1/0 | - - - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||
| 4n28 | 0,1155 | | 7036 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | 4n2x | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 4n28 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 4n28lt | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | 100 ma | 3 µs, 3 µs | 30V | 1,2 v | 80 Ma | 500 VRMs | 10% @ 10 mA | - - - | - - - | 500mv |
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