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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Genehmigungsbehörde | Anzahl der Kanäle | Ausgangstyp | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | DatEnrate | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) | Strom - DC Forward (if) (max) | Spannung - Isolation | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Strom - Hold (ih) | Eingänge - SETE 1/SETE 2 | Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) | Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) | Strom Halbertragungsverhöltnis (min) | Strom Halbertragungsverhöltnis (max) | Einschalen / Ausschalten (Typ) | VCE -Sättigung (max) | NULL -KREUZungskreis | Statischer DV/DT (min) | Strom - LED -Tigger (IFT) (max) | Zeit Drehen |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PS2561L2-1-VHA | - - - | ![]() | 8300 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Nepoc | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | PS2561 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 559-1383 | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 ma | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMs | 80% @ 5ma | 160% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||
![]() | HMA2701AR1 | - - - | ![]() | 9466 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 40V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 150% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP620-2 (LF1, F) | - - - | ![]() | 5900 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP620 | AC, DC | 2 | Transistor | 8-smd | Herunterladen | 264-TLP620-2 (LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 55 v | 1,15 V | 50 ma | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | OR-4N35 | 0,5300 | ![]() | 6850 | 0.00000000 | Shenzhen Orient Components Co., Ltd. | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 5007-OR-4N35 | 3.300 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HMA121CR4 | - - - | ![]() | 5668 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 Ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,3 V (max) | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | MOC3052 | 0,7600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | Moc305x | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Moc305 | CSA, Fimko, UL | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 600 V | 400 µA (Typ) | NEIN | 1kV/µs | 10 ma | - - - | |||||||||||||||||
![]() | EL816 (s) (x) (TB) -v | - - - | ![]() | 6783 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 80V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 5ma | 200% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
![]() | ACPL-844-W60E | 0,8545 | ![]() | 9228 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | ACPL-844 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 70V | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 20% @ 1ma | 300% @ 1ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||
![]() | SFH610A-3X007T-LB | - - - | ![]() | 3717 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | SFH610A | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 751-SFH610A-3X007T-LB | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 3 µs, 14 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5300 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | Vol618a-2t | 0,5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Vol618 | DC | 1 | Transistor | 4-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 3,5 µs, 5 µs | 80V | 1.16V | 60 mA | 5000 VRMs | 63% @ 1ma | 125% @ 1ma | 6 µs, 5,5 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP781F (TP7, F) | - - - | ![]() | 4254 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | TLP781f | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP781F (TP7F) TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 80V | 1,15 V | 60 mA | 5000 VRMs | 50% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP188 (GB-TPL, e | 0,8300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe), 4 Leads | TLP188 | DC | 1 | Transistor | 6-Sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 2 µs, 3 µs | 350 V | 1,25 V. | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 600% @ 5ma | 3 µs, 3 µs | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | PC3SD21YTZBF | - - - | ![]() | 6434 | 0.00000000 | Sharp/Socle -technologie | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | PC3SD21 | CSA, Ur, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,2 v | 50 ma | 5000 VRMs | 600 V | 100 ma | 3,5 Ma | Ja | 1kV/µs | 7ma | 50 µs (max) | ||||||||||||||||
![]() | TCET1108 | 0,5800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | TCET1108 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50 ma | 3 µs, 4,7 µs | 70V | 1,25 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 130% @ 5ma | 260% @ 5ma | 6 µs, 5 µs | 300mV | |||||||||||||||
![]() | HCPL2731SM | 1.0552 | ![]() | 1308 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | HCPL2731 | DC | 2 | Darlington | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60 mA | - - - | 18V | 1,3 v | 20 ma | 5000 VRMs | 500% @ 1,6 mA | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||
![]() | PS2701-1-V-F3-LA | - - - | ![]() | 8395 | 0.00000000 | Cel | Nepoc | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 80 Ma | 3 µs, 5 µs | 40V | 1.1V | 50 ma | 3750 VRMs | 100% @ 5ma | 300% @ 5ma | - - - | 300mV | ||||||||||||||||
Vos617a-2t | 0,6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | Vos617 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50 ma | 3 µs, 3 µs | 80V | 1,18 v | 50 ma | 3750 VRMs | 63% @ 5ma | 125% @ 5ma | 6 µs, 4 µs | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | MOC223VM | 0,3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DC | 1 | Darlington MIT Basis | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 8µs, 110 µs | 30V | 1,08 v | 60 mA | 2500 VRMs | 500% @ 1ma | - - - | 10 µs, 125 µs | 1V | ||||||||||||||||||
![]() | H11A617A300W | - - - | ![]() | 4574 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Kasten | Veraltet | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) | H11a | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 ma | 2,4 µs, 2,4 µs | 70V | 1,35 V. | 50 ma | 5300 VRMs | 40% @ 10 mA | 80% @ 10ma | - - - | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | TLP117 (TPR, F) | - - - | ![]() | 8565 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-Soic (0,173 ", 4,40 mm Beitite), 5 Leads | TLP117 | DC | 1 | Push-Pull, Totem Pole | 4,5 V ~ 5,5 V. | 6-mfsop, 5 Blei | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 5a991 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 ma | 50 MB | 3ns, 3ns | 1,6 v | 25ma | 3750 VRMs | 1/0 | 10kV/µs | 20ns, 20ns | ||||||||||||||||
![]() | 6N137SD | 0,9500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Offener Sammler | 4,5 V ~ 5,5 V. | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 10 mbit / s | 50ns, 12ns | 1,4 v | 50 ma | 2500 VRMs | 1/0 | 10 kV/µs (Typ) | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||
![]() | EL817S1 (C) (TA) -V | - - - | ![]() | 9117 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 4 µs, 3 µs | 35 V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 200% @ 5ma | 400% @ 5ma | - - - | 200mv | |||||||||||||||||
CNY17-3S (TA) -V | 0,7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Möwenflügel | CNY17-3 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - - - | 6 µs, 8 µs | 80V | 1,65 V (max) | 60 mA | 5000 VRMs | 100% @ 10ma | 200% @ 10ma | 10 µs, 9 µs | 300mV | |||||||||||||||||
![]() | JantX4N24U | 34.5292 | ![]() | 8339 | 0.00000000 | TT Electronics/optek -technologie | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-lcc | Jantx4 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 6-LCC (4,32 x 6,22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 ma | 20 µs, 20 µs (max) | 35 V | 1,3 V (max) | 50 ma | 1000vdc | 100% @ 10ma | - - - | - - - | 300mV | |||||||||||||||
![]() | TLP160G (T7-TPR, U, F. | - - - | ![]() | 6615 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | TLP160G | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP160G (T7-Tpruftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFH1617A-2X017T | 0,4044 | ![]() | 4460 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 110 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | SFH1617 | DC | 1 | Transistor | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 ma | 2 µs, 2 µs | 70V | 1,35 V. | 60 mA | 5000 VRMs | 63% @ 10 mA | 125% @ 10 mA | 3 µs, 2,3 µs | 400mV | |||||||||||||||
Tlx9160t (tpl, f | 7.4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | DC | 1 | Mosfet | 16 Also | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - - - | - - - | - - - | 1,65 v | 30 ma | 5000 VRMs | - - - | - - - | 1 ms, 1 ms (max) | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | 5962-9085401kyc | 548.9343 | ![]() | 7513 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Smd-Butt-Gelenk | 5962-9085401 | DC | 1 | Transistor -MIT -Basis | 8-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8ma | - - - | 20V | 1,55 v | 20 ma | 1500VDC | 9% @ 16 ma | - - - | 400 ns, 1 µs | - - - | |||||||||||||||
![]() | IL755-1 | 1.9400 | ![]() | 6553 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IL755 | AC, DC | 1 | Darlington MIT Basis | 6-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | - - - | 50 µs, 50 µs | 60 v | 1,2 v | 60 mA | 5300 VRMs | 750% @ 2MA | - - - | - - - | 1V | ||||||||||||||||
EL852 (s) (TU) (d) -v | - - - | ![]() | 9816 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EL852 | DC | 1 | Darlington | 4-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 150 Ma | 300 µs, 100 µs (max) | 350 V | 1,2 v | 60 mA | 5000 VRMs | 1000% @ 1ma | 15000% @ 1ma | - - - | 1,2 v |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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