SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Genehmigungsbehörde Anzahl der Kanäle Ausgangstyp SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Strom - Ausgang / Kanal DatEnrate Aufstieg / Fallzeit (Typ) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Vorwärts (VF) (Typ) Strom - DC Forward (if) (max) Spannung - Isolation Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Strom - Hold (ih) Eingänge - SETE 1/SETE 2 Transiente immunität der gemeinsamen modus (min) Ausbreitungsverzögerung TPLH / TPHL (max) Strom Halbertragungsverhöltnis (min) Strom Halbertragungsverhöltnis (max) Einschalen / Ausschalten (Typ) VCE -Sättigung (max) NULL -KREUZungskreis Statischer DV/DT (min) Strom - LED -Tigger (IFT) (max) Zeit Drehen
6N138M Lite-On Inc. 6n138m 0,2562
RFQ
ECAD 7361 0.00000000 Lite-on Inc. - - - Rohr Aktiv -20 ° C ~ 85 ° C. K. Loch 0,400 ", 10,16 mm) 6N138 DC 1 Darlington MIT Basis 8-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 100 50 ma - - - 7v 1.1V 20 ma 5000 VRMs 300% @ 1,6 mA 2600% @ 1,6 mA 1,6 µs, 10 µs - - -
TLP291(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (gr-tp, e) - - -
RFQ
ECAD 7257 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) TLP291 DC 1 Transistor 4-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 2.500 50 ma 4 µs, 7 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 100% @ 5ma 300% @ 5ma 7 µs, 7 µs 300mV
TLP781F(D4GRT7FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4grt7fd, f - - -
RFQ
ECAD 4341 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP781f DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP781F (D4grt7fdftr Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
FODM121R2V Fairchild Semiconductor FODM121R2V 1.0000
RFQ
ECAD 8227 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen Ear99 8541.49.8000 1 80 Ma 3 µs, 3 µs 80V 1,3 V (max) 50 ma 3750 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma - - - 400mV
TLP759(D4MB3F4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4MB3F4, J, F. - - -
RFQ
ECAD 6129 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor -MIT -Basis 8-DIP Herunterladen 264-TLP759 (D4MB3F4JF Ear99 8541.49.8000 1 8ma - - - - - - 1,65 v 25 ma 5000 VRMs 20% @ 16 ma - - - - - - - - -
TLP628M(LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (LF5, e 0,9100
RFQ
ECAD 9981 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel TLP628 DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP628M (LF5E Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 5,5 µs, 10 µs 350 V 1,25 V. 50 ma 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 10 µs, 10 µs 400mV
H11A1VM Fairchild Semiconductor H11A1VM 1.0000
RFQ
ECAD 5228 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen Ear99 8541.49.8000 1 - - - - - - 30V 1,18 v 60 mA 4170 VRMs 50% @ 10 mA - - - 2 µs, 2 µs 400mV
H11A3 Fairchild Semiconductor H11a3 0,0900
RFQ
ECAD 3666 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.49.8000 25 - - - - - - 80V 1,2 v 60 mA 5000 VRMs 20% @ 10 mA - - - 3 µs, 3 µs 400mV
TLP9121A(MBHAGBTLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (MBHAGBTLF - - -
RFQ
ECAD 1213 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLP9121A (MBHAGBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP785F(D4TEET7F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4TEET7F - - -
RFQ
ECAD 5501 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,400 ", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785F (D4TEET7FTR Ear99 8541.49.8000 2.000 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLX9185(PEDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (pedgbtlf (o - - -
RFQ
ECAD 2766 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Veraltet - - - 264-TLX9185 (Pedgbtlf (o Ear99 8541.49.8000 1
HCPL-2731#500 Broadcom Limited HCPL-2731#500 2.7157
RFQ
ECAD 9042 0.00000000 Broadcom Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel HCPL-2731 DC 2 Darlington 8-DIP-Möwenflügel Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 1.000 60 mA - - - 18V 1,4 v 12 Ma 3750 VRMs 500% @ 1,6 mA 2600% @ 1,6 mA 5 µs, 10 µs 100mv
TLP2304(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304 (tpl, e 1.4100
RFQ
ECAD 4087 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,179 ", 4,55 mm Beitite), 5 Leads TLP2304 DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 30 V 6-so, 5 Blei Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 3.000 15 Ma 1MB - - - 1,55 v 25ma 3750 VRMs 1/0 20 kV/µs 550ns, 400 ns
OLS700SB Skyworks Solutions Inc. OLS700SB - - -
RFQ
ECAD 9577 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. - - - Schüttgut Veraltet OLS700 - - - 863-ols700SB Ear99 8541.49.8000 1
TLP127(SONY-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (Sony-TPL, F) - - -
RFQ
ECAD 5109 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (4 Leitungen), Möwenflügel TLP127 DC 1 Darlington 6-mfsop, 4 Blei - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP127 (Sony-TPLF) Tr Ear99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 ma 2500 VRMs 1000% @ 1ma - - - 50 µs, 15 µs 1,2 v
TLP626(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 (LF5, F) - - -
RFQ
ECAD 2264 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP626 AC, DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 264-TLP626 (LF5F) Ear99 8541.49.8000 1 50 ma 8 µs, 8 µs 55 v 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 100% @ 1ma 1200% @ 1ma 10 µs, 8 µs 400mV
PS9317L-V-E3-AX Renesas Electronics America Inc PS9317L-V-E3-AX 4.0200
RFQ
ECAD 5129 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-Soic (0,268 ", 6,80 mm BreiTe) PS9317 DC 1 Offener Sammler 4,5 V ~ 5,5 V. 6-sdip-möwenflügel Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 2.000 25 ma 10 mbit / s 20ns, 5ns 1,56 v 20 ma 5000 VRMs 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
HCPL-2219#060 Broadcom Limited HCPL-2219#060 - - -
RFQ
ECAD 1490 0.00000000 Broadcom Limited - - - Rohr Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Tri-staat 4,5 V ~ 20V 8-DIP Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 25 ma 2,5 MBD 55ns, 15ns 1,5 v 10 ma 3750 VRMs 1/0 2,5 kV/µs 300 ns, 300 ns
SFH601-2 Vishay Semiconductor Opto Division SFH601-2 1.3400
RFQ
ECAD 546 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) SFH601 DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 50 50 ma 2 µs, 2 µs 100V 1,25 V. 60 mA 5300 VRMs 63% @ 10 mA 125% @ 10 mA 3 µs, 2,3 µs 400mV
LTV-814-A Lite-On Inc. LTV-814-A 0,1695
RFQ
ECAD 7539 0.00000000 Lite-on Inc. LTV-8x4 Rohr Aktiv -50 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) LTV-814 AC, DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 160-LTV-814-A Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 4 µs, 3 µs 35 V 1,2 v 50 ma 5000 VRMs 20% @ 1ma 300% @ 1ma - - - 200mv
TLP291(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB-TP, E) - - -
RFQ
ECAD 5477 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-soic (0,179 ", 4,55 mm BreiTe) TLP291 DC 1 Transistor 4-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.49.8000 2.500 50 ma 4 µs, 7 µs 80V 1,25 V. 50 ma 3750 VRMs 100% @ 5ma 400% @ 5ma 7 µs, 7 µs 300mV
FOD617BSD Fairchild Semiconductor Fod617bsd - - -
RFQ
ECAD 9346 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 110 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel DC 1 Transistor 4-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.49.8000 1.000 50 ma 4 µs, 3 µs 70V 1,35 v 50 ma 5000 VRMs 63% @ 10 mA 125% @ 10 mA - - - 400mV
ACFL-5211U-060E Broadcom Limited ACFL-5211U-060E 2.6710
RFQ
ECAD 1596 0.00000000 Broadcom Limited R²couper ™ Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 12-BSOP (0,295 ", 7,50 mm Breit) ACFL-5211 DC 2 Transistor 12-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.49.8000 80 8ma - - - 20V 1,55 v 20 ma 5000 VRMs 32% @ 10 mA 100% @ 10ma 150ns, 500 ns - - -
OCI934 Texas Instruments OCI934 0,5900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Texas Instrumente * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.49.8000 1
TIL111VM Fairchild Semiconductor TIL111VM 1.0000
RFQ
ECAD 6233 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. K. Loch 6-DIP (0,300 ", 7,62 mm) DC 1 Transistor -MIT -Basis 6-DIP Herunterladen Ear99 8541.49.8000 1 2ma 10 µs, 10 µs (max) 30V 1,2 v 60 mA 7500vpk - - - - - - - - - 400mV
VO3023-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VO3023-X017T 0,3432
RFQ
ECAD 1588 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division VO3023 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 100 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd, Möwenflügel CQC, CSA, Cul, Fimko, UL, VDE 1 Triac 6-smd Herunterladen 751-VO3023-X017TTR Ear99 8541.49.8000 1.000 1,3 v 50 ma 5000 VRMs 400 V 100 ma 200 µA (Typ) NEIN 100 V/µs 5ma - - -
TLP785(D4-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-LF6, f - - -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 110 ° C. K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP785 (D4-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50 ma 2 µs, 3 µs 80V 1,15 V 60 mA 5000 VRMs 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3 µs, 3 µs 400mV
TLP750(NEMIC-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 (Nemic-LF2, f - - -
RFQ
ECAD 4421 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Veraltet TLP750 - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP750 (Nemic-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
RF-817M*-*-C Refond RF-817M*-*-c 0,3100
RFQ
ECAD 5634 0.00000000 Refond - - - Rohr Aktiv K. Loch 4-DIP - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 4784-RF-817M*-*-c 100 5000 VRMs
TLP250H(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (TP5, F) - - -
RFQ
ECAD 9916 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 8-smd, Möwenflügel TLP250 DC 1 Push-Pull, Totem Pole 10 V ~ 30 V 8-smd Herunterladen 1 (unbegrenzt) 264-TLP250H (TP5F) TR Ear99 8541.49.8000 1.500 2 a - - - 50ns, 50 ns 1,57 v 20 ma 3750 VRMs 1/0 40 kV/µs 500 ns, 500 ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus