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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD55LB01GEB2RY | 13.4000 |  | 9389 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LB | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | - - - | 1970-GD55LB01GEB2RY | 4.800 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 6 ns | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 140 µs, 2 ms | |||||||
| GD25LQ16ETIGR | 0,8200 | | 3644 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | 6 ns | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | |||||
| GD5F2GM7REYIGY | 3.6575 | | 6597 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5f | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 2 V | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | 1970-GD5F2GM7REYIGY | 4.800 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | 9 ns | Blitz | 512 mx 4 | Spi - quad i/o, dtr | 600 µs | |||||||
| GD25F128ESIGR | 1.1590 | | 6397 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 1970-GD25F128esigrtr | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| GD25LB32ES2GR | 0,9968 | | 1616 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | - - - | 1970-GD25LB32ES2Grtr | 2.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25LB128EWIGR | 1.4109 | | 1554 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | 1970-GD25LB128EWIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | - - - | ||||||||
| GD25LE128EWJGY | 1.5901 | | 1919 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | 1970-GD25LE128EWJGY | 5.700 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 6 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25LD80Tigy | 0,3167 | | 7655 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LD | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | Herunterladen | 1970-GD25LD80Tigy | 4,320 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 12 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - dual i/o | 100 µs, 6 ms | |||||||
| GD55LX02GEBIRY | 26.2542 | | 8747 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LX | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | - - - | 1970-GD55LX02GEBIRY | 4.800 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Spi - oktal i/o, dtr | - - - | ||||||||
 | GD25Q64CSIG | 0,7583 | | 3050 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 9.500 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25Q32CTIG | 0,5149 | | 9200 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 20.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25Q127CSJG | - - - | | 1705 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q127 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 9.500 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 12 µs, 2,4 ms | |||
| GD25Q64EBIGY | 0,8923 | | 9886 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | 1970-GD25Q64Ebigy | 4.800 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 7 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 70 µs, 2,4 ms | |||||||
 | GD25LQ64CWIG | 1.5800 | | 3 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25LQ64 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2 V | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 2,4 ms | |||
| GD25B512meyeg | 6.0164 | | 5649 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | 1970-GD25B512meyegrtr | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | - - - | ||||||||
| GD25F64FQ2gr | 1.5077 | | 3349 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XDFN Exponierte Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (4x4) | - - - | 1970-GD25F64FQ2Grtr | 3.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o, dtr | - - - | ||||||||
| GD25WQ128EWIGR | 1.4385 | | 7179 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | 1970-GD25WQ128EWIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 8 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 120 µs, 4 ms | |||||||
| GD25LQ20EKIGR | 0,3786 | | 6749 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-uson (1,5x1,5) | Herunterladen | 1970-GD25LQ20EKIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | 6 ns | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25WQ64Enigr | 0,8999 | | 8486 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn Exponierte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-uson (3x4) | Herunterladen | 1970-GD25WQ64Enigrtr | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 12 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 120 µs, 4 ms | |||||||
| GD25LQ255EBIRY | 2.2364 | | 6673 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | 1970-GD25LQ255ebiry | 4.800 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | ||||||||
| GD25LQ255EWIGR | 3.4700 | | 2 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 6 ns | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | ||||
| GD25VQ40CTIG | 0,3366 | | 3374 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25VQ40 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 20.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 3 ms | |||
| GD25B64EWIGR | 1.4100 | | 2128 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 7 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 70 µs, 2,4 ms | |||||
| GD25WQ32Sigr | 1.1100 | | 8604 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 2.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 8 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 120 µs, 4 ms | |||||
| GD25Q32CSJG | - - - | | 4813 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 9.500 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25B64ESIGR | 1.2300 | | 2886 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 2.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 7 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 70 µs, 2,4 ms | |||||
| GD25Q20Esig | 0,4500 | | 7823 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 2.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | 7 ns | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 70 µs, 2 ms | |||||
| GD25LQ80EEIGR | 0,4368 | | 6050 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-uson (3x2) | Herunterladen | 1970-GD25LQ80EEIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 6 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25WD05CKIG | 0,3016 | | 2332 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-uson (1,5x1,5) | Herunterladen | 1970-GD25WD05CKIGRTR | 3.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 512Kbit | 12 ns | Blitz | 64k x 8 | Spi - dual i/o | 55 µs, 6 ms | |||||||
| GD25B512MEYIGY | 4.2560 | | 2864 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | 1970-GD25B512Meyigy | 4.800 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | - - - |
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