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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25D05CTIGIGIGR | 0,3100 |  | 17 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25D05 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 512Kbit | Blitz | 64k x 8 | Spi - dual i/o | 50 µs, 4 ms | ||
 | GD25D10CEIGR | 0,2564 | | 9121 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25D10 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 1Mbit | Blitz | 128k x 8 | Spi - dual i/o | 50 µs, 4 ms | ||
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| GD25LQ80CTIGR | - - - | | 6786 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25LQ80 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | ||
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| GD25LQ64CSIGR | 1.4100 | | 19 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25LQ64 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 2,4 ms | ||
| GD25Q16ctegr | 1.2500 | | 14 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25Q16 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | ||
 | GD25Q64CFig | 1.0164 | | 7769 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | GD25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-so-sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | ||
 | GD25Q64CYIGR | 1.2300 | | 9 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | ||
| GD25Q127CWIG | 2.2300 | | 11 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25Q127 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 12 µs, 2,4 ms | ||
| GD25Q256DYIGR | 3.9100 | | 7 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25Q256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | ||
| GD25VE20CEIGR | - - - | | 1534 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25VE20 | Flash - Nor | 2,1 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||
| GD25VE16CEIGR | - - - | | 6340 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25VE16 | Flash - Nor | 2,1 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||
| GD25WD05CTIGR | - - - | | 9512 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25WD05 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 512Kbit | Blitz | 64k x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||
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| GD25WD80CEIGR | 0,7100 | | 81 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25WD80 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | |||
| GD25S512MDYIGR | 6.6100 | | 4 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25S512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | ||
 | GD5F2GQ4UF9IGR | - - - | | 4326 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VLGA Exposed Pad | GD5F2GQ4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-lga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Spi - quad i/o | 700 µs | ||
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 | GD25Q20COIG | - - - | | 7018 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | GD25Q20 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | ||
| GD25Q40CSIG | - - - | | 4223 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q40 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 9.500 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | ||
 | GD25Q80CNIGR | - - - | | 3847 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn Exponierte Pad | GD25Q80 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (4x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | ||
| GD25Q32CTJGR | - - - | | 4890 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | ||
| GD25Q32CTJG | - - - | | 4714 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 20.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms |
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