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Integrierte Schaltungen (ICS) (847)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
GD25LR512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR512MEYIGR 5.0565
RFQ
 ECAD 9628 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (6x8) - - - 1970-GD25LR512MEYIGRTR 3.000 200 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD55X02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X02GEBIRY 25.9350
RFQ
 ECAD 2372 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55X Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD55X02GEBIRY 4.800 200 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Spi - oktal i/o, dtr - - -
GD25Q32CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CBIGY - - -
RFQ
 ECAD 1367 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-TFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.800 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LE64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64EQIGR 0,9126
RFQ
 ECAD 6575 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XDFN Exponierte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (4x4) Herunterladen 1970-GD25LE64EQIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 6 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD55LT02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT02GEBIRY 21.8652
RFQ
 ECAD 6524 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD55LT02GEBIRY 4.800 166 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD25LQ255EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255EFIRR 2.3733
RFQ
 ECAD 8858 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 16-so-sop Herunterladen 1970-GD25LQ255EFIRRTR 1.000 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi - - -
GD25Q128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128eqigig 1.2544
RFQ
 ECAD 8834 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XDFN Exponierte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (4x4) Herunterladen 1970-GD25Q128eqigrtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 7 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2,4 ms
GD25D40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40CEIGR 0,3167
RFQ
 ECAD 8682 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25d Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (3x2) Herunterladen 1970-GD25D40CEIGRTR 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit 6 ns Blitz 512k x 8 Spi - dual i/o 50 µs, 4 ms
GD25WD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40COIG 0,3167
RFQ
 ECAD 9397 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-tssop Herunterladen 1970-GD25WD40COIGRTR 3.000 100 MHz Nicht Flüchtig 4mbit 12 ns Blitz 512k x 8 Spi - dual i/o 97 µs, 6 ms
GD25LQ20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20EERIGR 0,3515
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (3x2) Herunterladen 1970-GD25LQ20eeigrtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 2mbit 6 ns Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 60 µs, 2,4 ms
GD9FS2G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS2G8F3AMGI 4.7315
RFQ
 ECAD 9084 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD9f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) Flash - Nand (SLC) 1,7 V ~ 1,95 V. 48-tsop i Herunterladen 1970-GD9FS2G8F3AMGI 960 Nicht Flüchtig 2Gbit 20 ns Blitz 256 mx 8 Parallel 25ns
GD25LQ256DWAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256DWAGY 4.2161
RFQ
 ECAD 5956 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (5x6) - - - 1970-GD25LQ256DWAGY 5.700 104 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 6 ns Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi 4 ms
GD25WQ32ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32ELIGR 0,7862
RFQ
 ECAD 2187 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFBGA, WLCSP Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-WLCSP - - - 1970-GD25WQ32ELIGRTR 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit 8 ns Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 120 µs, 4 ms
GD25WR256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WR256EYIGY 2.6761
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WR Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) - - - 1970-GD25WR256EYIGY 4.800 104 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25LE80CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80CLIGR 0,4949
RFQ
 ECAD 2758 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFBGA, WLCSP Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2,1 V. 8-WLCSP Herunterladen 1970-GD25LE80CLIGRTR 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 8mbit 6 ns Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD9FS1G8F2DMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F2DMGI 2.3472
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD9f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) Flash - Nand (SLC) 1,7 V ~ 1,95 V. 48-tsop i Herunterladen 1970-GD9FS1G8F2DMGI 960 Nicht Flüchtig 1Gbit 16 ns Blitz 128 MX 8 Onfi 20ns, 600 µs
GD5F4GM8UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f4gm8Uewigy 6.1180
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen 1970-GD5F4GM8UEWIGY 5.700 133 MHz Nicht Flüchtig 4Gbit 7 ns Blitz 512 MX 8 Spi - quad i/o, dtr 600 µs
GD25WD20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20Tigig 0,2490
RFQ
 ECAD 4515 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen 1970-GD25WD20ETIGRTR 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit 6 ns Blitz 256k x 8 Spi - dual i/o 100 µs, 6 ms
GD5F2GQ5UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIGR 3.9884
RFQ
 ECAD 8461 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen 1970-GD5F2GQ5UEYIGRTR 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit 9 ns Blitz 256 mx 8 Spi - quad i/o 600 µs
GD25Q32CZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CZigy - - -
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-TFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.800 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25D20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20tigig 0,2257
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25d Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen 1970-GD25d20etigrtr 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit 6 ns Blitz 256k x 8 Spi - dual i/o 50 µs, 4 ms
GD25Q256EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EWIGR 3.7500
RFQ
 ECAD 7789 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 7 ns Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o 90 µs, 2 ms
GD25LB256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EBIRY 2.3562
RFQ
 ECAD 9106 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) Herunterladen 1970-GD25LB256ebiry 4.800 166 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 6 ns Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 70 µs, 1,2 ms
GD25Q16EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EQIGR 0,5678
RFQ
 ECAD 2315 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XDFN Exponierte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (4x4) Herunterladen 1970-GD25Q16eqigrtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit 7 ns Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2 ms
GD9FU8G8E3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd9fu8g8e3algi 14.6965
RFQ
 ECAD 8559 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Aktiv Herunterladen 1970-Gd9fu8g8e3Algi 2.100
GD25R128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R128ESIGR 1.5448
RFQ
 ECAD 3775 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25R Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop - - - 1970-GD25R128esigrtr 2.000 200 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o - - -
GD25WQ128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128ESIGR 2.2300
RFQ
 ECAD 5531 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2.000 104 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 8 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 120 µs, 4 ms
GD5F2GQ5RFZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5RFZIGY 4.3225
RFQ
 ECAD 4426 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Aktiv - - - 1970-GD5F2GQ5RFZigy 4.800
GD25LT512MEF2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEF2RY 8.7046
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 16-so-sop - - - 1970-GD25LT512MEF2RY 1.760 200 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD5F4GQ6UEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEY2GY 10.4671
RFQ
 ECAD 1509 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) - - - 1970-GD5F4GQ6UEY2GY 4.800 104 MHz Nicht Flüchtig 4Gbit 9 ns Blitz 1g x 4 Spi - quad i/o, dtr 600 µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

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