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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Merkmale | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Spannung - Eingang | Anzahl der Kanäle | Spannung - Eingang (max) | Ausgangstyp | Anzahl der Schaltungen | Verhöltnis - Eingang: Ausgang | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Logikart | Anzahl der Elemente | Anzahl der Bits Pro Element | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Fungion | Strom - Ruhend (max) | -3db Bandbreite | Stichprobenrate (pro sekunde) | ANZAHL DER EINGANGE | DATENSCHNITTSTELLE | ANZAHL von I/O | Kernprozessor | Kerngrö | Geschwindigkeit | KonneKtivität | Peripheriegeraut | Programmspeichergrö | Programmspeichertyp | Eeprom -grö | RAM -GRÖCehe | Spannung - Verorgung (VCC/VDD) | DATENKONVERTER | Oszillatortyp | Schaltkreis Schalten | Multiplexer/Demultiplexer -schaltung | Ausfluss auf ouf der Staat (max) | Kanal-kanal-matching (Δron) | Spannung - Verorgung, Single (V+) | Spannung - Verrorany, Dual (V ±) | Zeitschalter (Tonne, Toff) (max) | Ladungsinjektion | Kanalkapazität (CS (AUS), CD (AUS)) | Strom - Leckage (ist (Off)) (max) | Überpranten | Schnittstelle | Auflösung (Bits) | Anzahl der Ausgänge | Spannungsversorgungsquelle | Max -ausbreitungsverzögerung @ V, Max Cl cl cl | Strom - ruhe (IQ) | Strom - Verrorane (max) | Eingabelogikpegel - Niedrig | Eingabelogikpegel - Hoch | Schaltung | Unabhängige Schaltungen | Topologie | Frequenz - Schalten | Fehmlerschutz | Steuerfunktionen | AUSGABEKONfiguration | Synchroner Gleichrichter | Strom - Ausgabe | RDS AUF (Typ) | Spannung - zuletzt | Motortyp - Stepper | Motortyp - AC, DC | Schrittlösung | Spannung - Ausgang | Schaltertyp | Strom - Ausgang (max) | Spannung - Ausgang (Min/Fest) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Eingang (min) | Anzahl der Regulierungsbehörden | Spannungsabfall (max) | PSRR | SchutzmerkMale |
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![]() | TCK22893G, LF | 0,1643 | ![]() | 7539 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, WLCSP | Letztes | TCK22893 | Nicht Invertierend | P-Kanal | 1: 1 | 6-WCSPE (0,80 x 1,2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 1 | Strombegrenzung (Fest) Übertemperatur | HOHE SETE | 31mohm | 1,4 V ~ 5,5 V. | Allgemein Zweck | 1.11a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP7830 (D4-LF4, e | - - - | ![]() | 1852 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | Modulator | TLP7830 | 1 | 3 V ~ 5,5 V, 3 V ~ 5,5 V. | 8-so | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP7830 (D4-LF4E | 75 | - - - | Serie | 1 b | Doppelversorgung | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC7WB66CFK, LF | 0,1597 | ![]() | 6508 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC7WB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-VFSOP (0,091 ", 2,30 mm Breit) | Bussschalter | TC7WB66 | 1,65 V ~ 5,5 V. | 8-SSOP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - - - | Einzelversorgung | 2 x 1: 1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC7SH08F, LJ (CT | 0,3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC7SH | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | - - - | 7SH08 | 1 | 2v ~ 5,5 V | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Und tor | 8MA, 8ma | 2 µA | 2 | 7,9ns @ 5v, 50pf | 0,5 v | 1,5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EE12, LM (CT | 0,3300 | ![]() | 6687 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ee | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-553 | Tcr2ee12 | 5,5 v | Uhben | ESV | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,2 v | - - - | 1 | 0,57 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC7WH126FK, LJ | 0,0886 | ![]() | 7263 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 7WH | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VFSOP (0,091 ", 2,30 mm Breit) | TC7WH126 | - - - | 3-staatn | 2v ~ 5,5 V | US8 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Puffer, Nicht Invertierend | 2 | 1 | 8MA, 8ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tc4su11f (t5l, f, t) | - - - | ![]() | 8444 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC4S | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | - - - | TC4SU11 | 1 | 3v ~ 18V | SMV | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Nand -tor | 3,4 mA, 3,4 mA | 1 µA | 2 | 50ns @ 15v, 50pf | 1V ~ 3V | 4v ~ 12V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74HC238D | 0,4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 74HC | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | Decoder/Demultiplexer | 74HC238 | 2V ~ 6v | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | 5,2 mA, 5,2 mA | Einzelversorgung | 1 x 3: 8 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78L012AP, F (j | - - - | ![]() | 9256 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | TA78L012 | 35 V | Uhben | Lstm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - - - | Positiv | 150 Ma | 12V | - - - | 1 | 1,7 V @ 40 mA (Typ) | 41 dB (120 Hz) | Über Strom | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB6608FNG, C8, EL | 2.7300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 20-LSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | TB6608 | Power MOSFET | 2,7 V ~ 5,5 V. | 20-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 600 mA | 2,5 V ~ 13,5 V. | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4, 1/8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC4W66FU, LF | 0,4500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,110 ", 2.80 mm Breit) | TC4W66 | 2 | 8-SSOP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 30 MHz | Spst - nein | 1: 1 | 160ohm | 4ohm | 3v ~ 18V | - - - | - - - | - - - | 0,5PF, 5PF | 100na | -50db @ 1mHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78L015AP (F, M) | - - - | ![]() | 3595 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | TA78L015 | 35 V | Uhben | Lstm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 6 Ma | 6.5 Ma | - - - | Positiv | 150 Ma | 15 v | - - - | 1 | - - - | 41 dB (120 Hz) | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF085, LM (CT | 0,3800 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2LF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF085 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 0,85 v | - - - | 1 | 1,58 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TMPM4G9FDFG (DBB) | 11.5500 | ![]() | 6171 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TX04 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | Tmpm4g9 | 100-LQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 60 | 150 | ARM® Cortex®-M4f | 32-Bit-Einzelkern | 160 MHz | CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USAArt | DMA, LVD, POR, WDT | 512KB (512K x 8) | Blitz | 32k x 8 | 128k x 8 | 2,7 V ~ 3,6 V. | A/D 24x12b; D/A 2x8b | Praktikum | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tb6604ftg, 8, el | - - - | ![]() | 1396 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | Oberflächenhalterung | - - - | TB6604 | - - - | - - - | 48-Qfn | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Controller - Kommutierung, Richtungsmanagement | - - - | Vorfahrer - Halbbrücke (3) | - - - | 30V | - - - | Bürstenloser DC (Bldc) | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EE135, LM (CT | 0,3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ee | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-553 | Tcr2eee135 | 5,5 v | Uhben | ESV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,35 v | - - - | 1 | 0,47 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tcr2en285, lf | - - - | ![]() | 2057 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2en | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | TCR2en285 | 5,5 v | Uhben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 2,85 v | - - - | 1 | 0,21 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCV7100F (TE12L, Q) | - - - | ![]() | 8795 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TCV71 | 5,5 v | Einstellbar | 8-fuß-äharsch (5x5) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Abfahre | 1 | Bock | 800 kHz | Positiv | Ja | 2.5a | 0,8 v | 5,5 v | 2,7 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tck102g, lf | 0,2235 | ![]() | 6251 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 6-uFbga | Slw -rate kontrollierert | TCK102 | Nicht Invertierend | P-Kanal | 1: 1 | 6-bga | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 1 | Übertemperatur | HOHE SETE | 50mohm | 1,1 V ~ 5,5 V. | Allgemein Zweck | 1a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB9045FNG-110, EL | 11.4387 | ![]() | 8581 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Stromversorgung, Automobilanwendungen | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,240 ", 6,10 mm Breit Feiliegender-Pad | TB9045 | - - - | 48-HTSSOP | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | 264-TB9045FNG-110LTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 3 | 6v |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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