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Integrierte Schaltungen (ICS) (2120)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Merkmale | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Strom - Verroriert | Spannung - Eingang (max) | Ausgangstyp | SIC -Programmierbar | Anzahl der Schaltungen | Verhöltnis - Eingang: Ausgang | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Fungion | Schwindelrate | -3db Bandbreite | Strom - Ausgang / Kanal | Verstärkerentyp | Strom - Eingangsverzerrung | Spannung - Eingangversatz | Spannung - Verorgungsspanne (min) | Spannung - Verorgungsspanne (max) | ANZAHL von I/O | Kernprozessor | Kerngrö | Geschwindigkeit | KonneKtivität | Peripheriegeraut | Programmspeichergrö | Programmspeichertyp | Eeprom -grö | RAM -GRÖCehe | Spannung - Verorgung (VCC/VDD) | DATENKONVERTER | Oszillatortyp | Protokoll | ANZAHL DER TRIBER/EMPFANGER | Duplex | DatEnrate | Schnittstelle | Anzahl der Ausgänge | Strom - ruhe (IQ) | Kanaltyp | Interne Schalter (en) | Topologie | Frequenz - Schalten | Fehmlerschutz | Steuerfunktionen | Spannung - Verrorane (max) | AUSGABEKONfiguration | Synchroner Gleichrichter | Strom - Ausgabe | RDS AUF (Typ) | Spannung - zuletzt | Angetriebene Konfiguration | ANZAHL DER FAHRER | Tor -Typ | Logikspannung - vil, vih | Strom - Peakausgang (Quelle, Senke) | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Motortyp - Stepper | Motortyp - AC, DC | Schrittlösung | Dimm | Spannung - Verrorane (min) | Spannung - Ausgang | Schaltertyp | Strom - Ausgang (max) | Spannung - Ausgang (Min/Fest) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Eingang (min) | Anzahl der Regulierungsbehörden | Spannungsabfall (max) | PSRR | SchutzmerkMale |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR2DG14, LF | 0,1394 |  | 7900 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2DG | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Ufbga, WLCSP | 5,5 v | Uhben | 4-WCSP (0,79 x 0,79) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,4 v | - - - | 1 | 0,6 V @ 100 mA | - - - | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR8BM095A, L3F | 0,4600 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR8BM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xdfn exponiert Pad | 5,5 v | Uhben | 5-DFNB (1,2x1,2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 36 µA | Aktuelle Grenze, Aktivieren | Positiv | 800 mA | 0,95 v | - - - | 1 | 0,225 V @ 800 mA | - - - | Überstrom Übertemperatur Einer -Spannungssperrung (UVLO) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tcr2en21, lf (se | 0,3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | 5,5 v | Uhben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 2.1V | - - - | 1 | 0,29 V @ 300 mA, 0,3 V @ 300 mA | - - - | Über Strom | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN285, LF | - - - | | 5637 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ln | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | TCR2LN285 | 5,5 v | Uhben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 2,85 v | - - - | 1 | 0,36 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78H620FNG | - - - | | 5180 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 16-LSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | TC78H620 | DMOs | 2,7 V ~ 5,5 V. | 16-SSOP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 1a | 2,5 V ~ 15 V | Unipolar | Gebürstet DC | 1, 1/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62215AFG, C8, EL | 1.9973 | | 5550 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 28-BSOP (0,346 ", 8,80 mm Breit) + 2 Wärmelaschen | TB62215 | Power MOSFET | 4,75 V ~ 5,25 V. | 28-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | TB62215AFGC8el | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 3a | 10 V ~ 38 V | Bipolar | Gebürstet DC | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR8BM105A, L3F | 0,4600 | | 6505 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR8BM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-xdfn exponiert Pad | TCR8BM105 | 5,5 v | Uhben | 5-DFNB (1,2x1,2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 36 µA | Aktivieren | Positiv | 800 mA | 1,05 v | - - - | 1 | 0,24 V @ 800 mA | 98 dB (1KHz) | Überstrom Übertemperatur Einer -Spannungssperrung (UVLO) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EF135, LM (CT | 0,3300 | | 3206 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2ef | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF135 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,35 V. | - - - | 1 | - - - | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TMPM3HNFDADFG | 7.1800 | | 6936 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TXZ+ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 100-bqfp | 100-QFP (14x20) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 264-TMPM3HNFDADFG | 90 | 93 | ARM® Cortex®-M3 | 32-Bit | 120 MHz | I²c, spi, uart/usart | DMA, LVD, Motorsteuerung PWM, POR, WDT | 512KB (512K x 8) | Blitz | 32k x 8 | 64k x 8 | 2,7 V ~ 5,5 V. | A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b | Extern, Praktikant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR5BM105, L3F | 0,4100 | | 333 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR5BM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xdfn exponiert Pad | TCR5BM105 | 5,5 v | Uhben | 5-DFNB (1,2x1,2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 36 µA | Aktivieren | Positiv | 500 mA | 1,05 v | - - - | 1 | 0,14 V @ 500 mA | 98 dB (1KHz) | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF335, LM (CT | 0,4900 | | 2885 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR3DF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF335 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren | Positiv | 300 ma | 3.35 V | - - - | 1 | 0,25 V @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Stromstrom Überstrom über die Temperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK22921g, LF | 0,1675 | | 7646 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, WLCSP | Lastentladung, SchwindelgesChwindigeit Kontrollierert | TCK22921 | Nicht Invertierend | P-Kanal | 1: 1 | 6-WCSPE (0,80 x 1,2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 1 | Rückstrom | HOHE SETE | 25 Mohm | 1,1 V ~ 5,5 V. | Allgemein Zweck | 2a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCK207an, lf | 0,8900 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | Lastentladung, SchwindelgesChwindigeit Kontrollierert | TCK207 | Nicht Invertierend | N-Kanal | 1: 1 | 4-dfna (1,2x1.2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 1 | Rückstrom | HOHE SETE | 21,5 Mohm | 0,75 V ~ 3,6 V. | Allgemein Zweck | 2a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TBD62004AFNG, EL | 0,4687 | | 1404 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-LSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | - - - | TBD62004 | Invertieren | N-Kanal | 1: 1 | 16-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 7 | - - - | Niedrige Site | - - - | 50 V (max) | Allgemein Zweck | 500 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KIA78L24BP | - - - | | 4448 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Aktiv | Kia78 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S512ftag, El | 2.7700 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 36-WFQFN Exponiertes Pad | TB67S512 | Power MOSFET | 2v ~ 5,5 V | 36-WQFN (6x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | PWM | Vorfahrer - Halbbrückke (4) | 2a | 10 V ~ 35 V | Bipolar | Gebürstet DC | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62218AFNG, C8, EL | 1.4487 | | 9608 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,240 ", 6,10 mm Breit Feiliegender-Pad | TB62218 | DMOs | 4,75 V ~ 5,25 V. | 48-HTSSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 2a | 10 V ~ 38 V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62747afnag, El | - - - | | 7768 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - - - | Oberflächenhalterung | 24-SSOP (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Linear | TB62747 | - - - | 24-SSOP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 45 ma | 16 | Ja | Schichtregister | 5,5 v | - - - | 3v | 26v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62304AFWG, El | 1.1500 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | - - - | TBD62304 | Invertieren | N-Kanal | 1: 1 | 16-so-sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 4,5 V ~ 5,5 V. | Ein/Aus | 7 | - - - | Niedrige Site | 1,5 Ohm | 50 V (max) | Allgemein Zweck | 400 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB7101AF (T5L3.3, f) | - - - | | 3163 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | TB7101 | 5,5 v | Uhben | PS-8 (2,9x2,4) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Abfahre | 1 | Bock | 1MHz | Positiv | Ja | 1a | 3.3 v | - - - | 4.3 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tck402g, lf | 0,6200 | | 213 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, WLCSP | TCK402 | Nicht Invertierend | Nicht Verifiziert | 2,7 V ~ 28 V | 6-WCSPE (0,80 x 1,2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Einzel | Niedrig | 1 | - - - | 0,4 V, 1,6 V. | - - - | 0,2 ms, 1,5 µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LE10, LM (CT | 0,0762 | | 4093 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2LE | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-553 | TCR2LE10 | 5,5 v | Uhben | ESV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1V | - - - | 1 | 1,4 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM28, LF (SE | 0,4800 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-udfn exponiert pad | 5,5 v | Uhben | 4-DFN (1x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | Aktivieren | Positiv | 300 ma | 2,8 v | - - - | 1 | 0,25 V @ 300 mA | - - - | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF14, LM (CT | 0,3300 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2ef | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF14 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,4 v | - - - | 1 | 0,42 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6562ang, 8 | 3.5735 | | 3561 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | K. Loch | 24-sdip (0,300 ", 7,62 mm) | TB6562 | DMOs | 10V ~ 34 V | 24-sdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 1,5a | 10V ~ 34 V | Bipolar | Gebürstet DC | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr3um28a, lf | 0,4500 | | 100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr3um | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-udfn exponiert pad | Tcr3um28 | 5,5 v | Uhben | 4-DFN (1x1) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 680 na | Aktuelle Grenze, Aktivieren | Positiv | 300 ma | 2,8 v | - - - | 1 | 0,327V @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78H653ftg, El | 1.5600 | | 35 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 16-VFQFN Exponiertes Pad | TC78H653 | DMOs | 1,8 V ~ 7V | 16-vqfn (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | - - - | Halbbrücke (4) | 4a | 1,8 V ~ 7V | Bipolar | Gebürstet DC | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DM13, LF (SE | 0,4800 | | 19 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-udfn exponiert pad | 5,5 v | Uhben | 4-DFN (1x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | Aktivieren | Positiv | 300 ma | 1,3 v | - - - | 1 | 0,55 V @ 300 mA | - - - | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP7920 (D4-LF1, f | 6.5800 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-smd, Möwenflügel | TLP7920 | 12 Ma | Differential | 1 | 8-smd | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.33.0001 | 50 | - - - | 230 kHz | Isolierung | 5.5 na | 730 µV | 4,5 v | 5,5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Td62783afng (o, s) | - - - | | 2937 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 18-LSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | Treiber | TD62783 | 5v | 18-SSOP | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | - - - | 8/0 | - - - | - - - |
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