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Integrierte Schaltungen (ICS) (2120)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Typ Merkmale Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Spannung - Eingang (max) Ausgangstyp Anzahl der Schaltungen Verhöltnis - Eingang: Ausgang SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Logikart Anzahl der Elemente Anzahl der Bits Pro Element Strom - Ausgang Hoch, Niedrig Fungion Spannung - Verrorane, Single/Dual (±) Spannung - Eingangversatz (max) Strom - Eingangsverzerrung (max) Strom - Ausgang (Typ) Strom - Ruhend (max) CMRR, PSRR (Typ) Ausbreitungsverzögerung (max) Hysterer Strom - Ausgabe / Kanal ANZAHL DER EINGANGE Spannung - Verorgung (VCC/VDD) DatEnrate Schnittstelle Eingangssignal Ausgangssignal Anzahl der Ausgänge Spannungsversorgungsquelle Max -ausbreitungsverzögerung @ V, Max Cl cl cl Strom - ruhe (IQ) Strom - Verrorane (max) Eingabelogikpegel - Niedrig Eingabelogikpegel - Hoch Schaltung Unabhängige Schaltungen IbobersetzTyp Kanaltyp Kanäle Pro Stromkreis Spannung - Vcca Spannung - VCCB Interne Schalter (en) Topologie Fehmlerschutz Steuerfunktionen Spannung - Verrorane (max) AUSGABEKONfiguration Strom - Ausgabe RDS AUF (Typ) Spannung - zuletzt Motortyp - Stepper Motortyp - AC, DC Schrittlösung Dimm Spannung - Verrorane (min) Spannung - Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (max) Spannung - Ausgang (Min/Fest) Spannung - Ausgang (max) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max) PSRR SchutzmerkMale
TC7SZ07FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07FE, LJ (CT 0,3700
RFQ
 ECAD 4153 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7SZ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung SOT-553 TC7SZ07 - - - Offene Abfluss 1,65 V ~ 5,5 V. ESV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 Puffer, Nicht Invertierend 1 1 -, 32 ma
TBD62083AFG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG - - -
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 18-Soic (0,276 ", 7,00 mm Breit) - - - TBD62083 Invertieren N-Kanal 1: 1 18-Sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 40 Nicht Erforderlich Ein/Aus 8 - - - Niedrige Site - - - 50 V (max) Allgemein Zweck 500 mA
TCR3DF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF32, LM (CT 0,0906
RFQ
 ECAD 4668 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR3DF Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 5,5 v Uhben SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 3.000 Aktivieren Positiv 300 ma 3.2 v - - - 1 0,25 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
TCR3RM29A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM29A, LF (SE 0,4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3rm Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR3RM29 5,5 v Uhben 4-DFNC (1x1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 12 µA Aktuelle Grenze, Aktivieren Positiv 300 ma 2,9 v - - - 1 0,15 V @ 300 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TB67H451AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451AFNG, EL 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 8-Soikale (0,154 ", 3,90 mm Breit) Exponiertebad TB67H451 Bicdmos - - - 8-hsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 264-TB67H451AFNGELCT Ear99 8542.39.0001 3.500 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe PWM Vorfahrer - Halbe Brücke 3.5a 4,5 V ~ 44 V Bipolar Gebürstet DC - - -
TC75W70L8X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W70L8X, LF - - -
RFQ
 ECAD 6745 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-Ufqfn Expositionspad Allgemein Zweck TC75W70 Push-Pull SOT-902 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.33.0001 5.000 2 1,3 V ~ 5,5 V. 6mv @ 3v 1pa @ 3v 18ma @ 3v 47 ähm - - - 800 ns - - -
TA58M06S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S, Q (j - - -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58M06 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - - - Positiv 500 mA 6v - - - 1 0,65 V @ 500 mA - - - Überstrom, über Temperatur, Umgekehrte Polarität
TC7SH00FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH00FSTPL3 - - -
RFQ
 ECAD 4249 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7SH Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SOT-953 - - - 7SH00 1 2v ~ 5,5 V FSV Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 Nand -tor 8MA, 8ma 2 µA 2 7,5ns @ 5v, 50pf 0,5 v 1,5 v
TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105, LF 0,4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3dm Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad TCR3DM105 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 65 µA 78 µA Aktivieren Positiv 300 ma 1,05 v - - - 1 0,75 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
TC74VHC00FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC00FK (EL, K) 0,4200
RFQ
 ECAD 2393 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC74VHC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 14-VFSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) - - - 74VHC00 4 2v ~ 5,5 V 14-VSSOP - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 Nand -tor 8MA, 8ma 2 µA 2 7,5ns @ 5v, 50pf - - - - - -
TC74VCX257FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX257ftel 0,1445
RFQ
 ECAD 5601 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC74VCX Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 16-tssop (0,173 ", 4,40 mm Breit) Multiplexer TC74VCX257 1,2 V ~ 3,6 V. 16-tssop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 24 mA, 24 mA Einzelversorgung 4 x 2: 1 4
TC7LX1108WBG(LC,AH Toshiba Semiconductor and Storage TC7LX1108WBG (LC, AH - - -
RFQ
 ECAD 1864 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tc7lx Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-uqfn Exponieres Pad Automatische Richtung Erfassen 7lx1108 Tri-State, Nicht Invertierert 1 16-QFN (4x4) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 200 mbit / s - - - - - - Spannungsniveau BIDIREKTIONAL 8 1,2 V ~ 3,6 V. 1,2 V ~ 3,6 V.
TA78L015AP(TPE6,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP (TPE6, FM - - -
RFQ
 ECAD 6651 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA78L015 35 V Uhben Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - - - Positiv 150 Ma 15 v - - - 1 1,7 V @ 40 mA (Typ) 40 dB (120 Hz) Überstrom Übertemperatur
TCR3DM28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 Aktivieren Positiv 300 ma 2,8 v - - - 1 0,25 V @ 300 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TCR2LE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE10, LM (CT 0,0762
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-553 TCR2LE10 5,5 v Uhben ESV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 2 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1V - - - 1 1,4 V @ 150 mA - - - Über Strom
TCR2EF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF20, LM (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2ef Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR2EF20 5,5 v Uhben SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2V - - - 1 0,31 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TAR5S28UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S28UTE85LF 0,1804
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei TAR5S28 15 v Uhben UFV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 850 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2,8 v - - - 1 0,2 V @ 50 Ma 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
TA78L005AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, WNLF (j - - -
RFQ
 ECAD 8329 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA78L005 35 V Uhben Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 6 Ma - - - Positiv 150 Ma 5v - - - 1 1,7 V @ 40 mA (Typ) 49 dB (120 Hz) - - -
TCR2EE42,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE42, LM (CT 0,3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ee Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SOT-553 TCR2EEE42 5,5 v Uhben ESV Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 4.2v - - - 1 0,2 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TC78H653FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H653ftg, El 1.5600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 16-VFQFN Exponiertes Pad TC78H653 DMOs 1,8 V ~ 7V 16-vqfn (3x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe - - - Halbbrücke (4) 4a 1,8 V ~ 7V Bipolar Gebürstet DC - - -
TCR3DM13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM13, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 Aktivieren Positiv 300 ma 1,3 v - - - 1 0,55 V @ 300 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TCR2DG21,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG21, LF 0,1394
RFQ
 ECAD 8943 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2DG Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-Ufbga, WLCSP 5,5 v Uhben 4-WCSP (0,79 x 0,79) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 3.000 70 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2.1V - - - 1 0,15 V @ 100 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TCR3DM33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 Aktivieren Positiv 300 ma 3.3 v - - - 1 0,23 V @ 300 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TCR2EE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE27, LM (CT 0,0680
RFQ
 ECAD 1161 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ee Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SOT-553 Tcr2ee27 5,5 v Uhben ESV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2,7 v - - - 1 0,23 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TCR3DF335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF335, LM (CT 0,4900
RFQ
 ECAD 2885 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR3DF Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR3DF335 5,5 v Uhben SMV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Aktivieren Positiv 300 ma 3.35 V - - - 1 0,25 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Stromstrom Überstrom über die Temperatur
TC7PZ05FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7PZ05FU, LJ (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tc7pz Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Offene Abfluss 7pz05 2 1,65 V ~ 5,5 V. US6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Wechselrichter -, 32 ma 1 µA 2 3,5ns @ 5v, 50pf - - - - - -
TC62D748CFNAG,C,EB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG, C, EB - - -
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - Oberflächenhalterung 24-SSOP (0,154 ", 3,90 mm Breit) Linear TC62D748 - - - 24-SSOP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 90 Ma 16 Ja Schichtregister 5,5 v - - - 3v 17V
TA48S033AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S033AF (T6L1, Q) - - -
RFQ
 ECAD 6410 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-252-6, dpak (5 Leads + Tab) TA48S033 16V Uhben 5-HSIP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 1,7 Ma 20 ma Aktivieren Positiv 1a 3.3 v - - - 1 0,68 V @ 1a (Typ) 63 dB (120 Hz) Überstrom Übertemperatur
74VHC9152FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC9152ft 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automotive, AEC-Q100, 74VHC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 20-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) 74VHC9152 9 2v ~ 5,5 V 20-tssopb Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 Wechselrichter 8MA, 8ma 4 µA 9 13ns @ 5v, 50pf
TCR5AM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM10A, LF 0,1357
RFQ
 ECAD 7913 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr5am Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 5.000 55 µA Aktuelle Grenze, Aktivieren Positiv 500 mA 1V - - - 1 0,25 V @ 500 mA 90 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur Einer -Spannungssperrung (UVLO)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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