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Integrierte Schaltungen (ICS) (2120)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Merkmale | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Strom - Verroriert | Spannung - Eingang | Spannung - Eingang (max) | Ausgangstyp | Temperaturkoeffizient | Anzahl der Schaltungen | Verhöltnis - Eingang: Ausgang | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Logikart | Anzahl der Elemente | Anzahl der Bits Pro Element | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Fungion | Strom - Ruhend (max) | ANZAHL DER EINGANGE | Referenztyp | Spannung - Verorgung (VCC/VDD) | Protokoll | ANZAHL DER TRIBER/EMPFANGER | Duplex | DatEnrate | Schnittstelle | Taktfrequenz | Anzahl der Ausgänge | Spannungsversorgungsquelle | TriggerTyp | Max -ausbreitungsverzögerung @ V, Max Cl cl cl | Strom - ruhe (IQ) | Strom - Verrorane (max) | Eingabekapazität | Eingabelogikpegel - Niedrig | Eingabelogikpegel - Hoch | Schaltung | Unabhängige Schaltungen | Fehmlerschutz | Steuerfunktionen | AUSGABEKONfiguration | Strom - Ausgabe | RDS AUF (Typ) | Spannung - zuletzt | Motortyp - Stepper | Motortyp - AC, DC | Schrittlösung | Schaltertyp | Strom - Ausgang (max) | Spannung - Ausgang (Min/Fest) | RAUschen - 0,1 Hz bis 10 Hz | RAUschen - 10 Hz bis 10 kHz | Spannung - Ausgang (max) | Anzahl der Regulierungsbehörden | Spannungsabfall (max) | PSRR | SchutzmerkMale |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR3DF12, LM (CT | 0,4200 |  | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR3DF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF12 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 65 µA | 78 µA | Aktivieren | Positiv | 300 ma | 1,2 v | - - - | 1 | 0,62 V @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Überstrom Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb67h481ftg | 0,9817 | | 6624 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 264-TB67H481ftgtr | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 7ul1t02fu, lf | 0,4400 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 7ul | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | - - - | 7ul1t02 | 1 | 2,3 V ~ 3,6 V. | 5-SSOP | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Noch Tor | 8MA, 8ma | 1 µA | 2 | 4,4ns @ 3,3V, 15PF | 0,1 V ~ 0,4 V. | 2,2 V ~ 2,48 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC7SB3157CFU, LF (CT | 0,4100 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC7SB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Multiplexer/Demultiplexer | TC7SB3157 | 1,65 V ~ 5,5 V. | US6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - - - | Einzelversorgung | 1 x 2: 1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58L12S, WNLQ (j | - - - | | 8198 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TA58L12 | 29V | Uhben | To-220nis | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1,2 Ma | 50 ma | - - - | Positiv | 250 Ma | 12V | - - - | 1 | 0,4 V @ 200 Ma | - - - | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC7WB66CFK, LF | 0,1597 | | 6508 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC7WB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-VFSOP (0,091 ", 2,30 mm Breit) | Bussschalter | TC7WB66 | 1,65 V ~ 5,5 V. | 8-SSOP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - - - | Einzelversorgung | 2 x 1: 1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TD62084APG, n | - - - | | 5596 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | Treiber | TD62084 | 6v ~ 15V | 18-DIP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 20 | - - - | 8/0 | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC7WH241FUTE12LF | - - - | | 5043 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tc7wh | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,110 ", 2.80 mm Breit) | TC7WH241 | - - - | 3-staatn | 2v ~ 5,5 V | 8-SSOP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Puffer, Nicht Invertierend | 2 | 1 | 8MA, 8ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC74HC08APF | 0,4500 | | 6910 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 74HC | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 14 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | - - - | 74HC08 | 4 | 2V ~ 6v | 14-DIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | Und tor | 5,2 mA, 5,2 mA | 1 µA | 2 | 13ns @ 6v, 50pf | 0,5 V ~ 1,8 V. | 1,5 V ~ 4,2 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC74AC08ftel | 0,1377 | | 8198 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC74AC | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | - - - | 74AC08 | 4 | 2v ~ 5,5 V | 14-tssop | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Und tor | 24 mA, 24 mA | 4 µA | 2 | 7ns @ 5v, 50pf | 0,5 V ~ 1,65 V. | 1,5 V ~ 3,85 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tcr2en13, lf (se | 0,3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | 5,5 v | Uhben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,3 v | - - - | 1 | 0,45 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE12, LM (CT | 0,3300 | | 6687 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ee | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-553 | Tcr2ee12 | 5,5 v | Uhben | ESV | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,2 v | - - - | 1 | 0,57 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74LCX32FT (AJ) | 0,0906 | | 7873 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 74lcx | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | - - - | 74LCX32 | 4 | 1,65 V ~ 3,6 V. | 14-tssopb | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | ODER TOR | 24 mA, 24 mA | 10 µA | 2 | 6,5ns @ 3,3V, 50pf | 0,7 V ~ 0,8 V. | 1,7 V ~ 2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB6585fg, 8, El | 1.7304 | | 5910 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | TB6585 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | TB6585fg8el | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74LCX00FT (EL) | - - - | | 5819 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 74lcx | Digi-reel® | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | - - - | 74LCX00 | 4 | 2v ~ 3,6 V | 14-tssop | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Nand -tor | 24 mA, 24 mA | 10 µA | 2 | 5.2ns @ 3.3V, 50pf | 0,8 v | 2V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3UG50A, LF | 0,1261 | | 7779 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr3ug | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, WLCSP | TCR3UG50 | 5,5 v | Uhben | 4-WCSP-F (0,65 x 0,65) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 680 na | Aktivieren | Positiv | 300 ma | 5v | - - - | 1 | 0,195 V @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Stromstrom über Strom, Thermische Abschaltdown | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SZ02F, LJ (CT | 0,0721 | | 7018 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC7SZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | - - - | 7SZ02 | 1 | 1,8 V ~ 5,5 V. | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Noch Tor | 32ma, 32 ma | 2 µA | 2 | 4,3ns @ 5v, 50pf | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA76L431S, T6Q (m | - - - | | 9001 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | TA76L431 | - - - | - - - | - - - | - - - | Lstm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC74HC367APF | - - - | | 2114 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 74HC | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | 74HC367 | - - - | 3-staatn | 2V ~ 6v | 16-DIP | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | Puffer, Nicht Invertierend | 2 | 2, 4 (hex) | 7,8 mA, 7,8 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tcr3um175a, lf | 0,0878 | | 3614 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr3um | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-udfn exponiert pad | TCR3UM175 | 5,5 v | Uhben | 4-DFN (1x1) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 680 na | Aktuelle Grenze, Aktivieren | Positiv | 300 ma | 1,75 v | - - - | 1 | 0,273V @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6560aftg, 8, el | - - - | | 3195 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-VFQFN Exponiertes Pad | TB6560 | Power MOSFET | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-QFN (7x7) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 1,5a | 4,5 V ~ 34 V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LE13, LM (CT | 0,4000 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2LE | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-553 | TCR2LE13 | 5,5 v | Uhben | ESV | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,3 v | - - - | 1 | 1,13v @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SZ14FU, LJ (CT | 0,3400 | | 32 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC7SZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Schmitt Trigger | 7SZ14 | 1 | 1,65 V ~ 5,5 V. | 5-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Wechselrichter | 32ma, 32 ma | 1 µA | 1 | 5,9ns @ 5v, 50pf | 0,2 V ~ 1,2 V. | 1,4 V ~ 3,6 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L05S, Alpsaq (j | - - - | | 2040 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TA58L05 | 29V | Uhben | To-220nis | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 Ma | 50 ma | - - - | Positiv | 250 Ma | 5v | - - - | 1 | 0,4 V @ 200 Ma | - - - | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Td62783afng, s, el | - - - | | 1685 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 18-LSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | Treiber | TD62783 | 5v | 18-SSOP | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | - - - | 8/0 | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tck102g, lf | 0,2235 | | 6251 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 6-uFbga | Slw -rate kontrollierert | TCK102 | Nicht Invertierend | P-Kanal | 1: 1 | 6-bga | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 1 | Übertemperatur | HOHE SETE | 50mohm | 1,1 V ~ 5,5 V. | Allgemein Zweck | 1a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC74VHCT374aftel | - - - | | 6859 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC74VHCT | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 20-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | D-Typ | 74VHCT374 | Tri-State, Nicht Invertierert | 4,5 V ~ 5,5 V. | 20-tssop | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 1 | 8 | 8MA, 8ma | Standard | 130 MHz | Positiver Kante | 10.4ns @ 5v, 50pf | 4 µA | 4 Pf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SZ34FE, LM | 0,4500 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC7SZ | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOT-553 | TC7SZ34 | - - - | Push-Pull | 1,65 V ~ 5,5 V. | ESV | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Puffer, Nicht Invertierend | 1 | 1 | 32ma, 32 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S285ftg, El | 4.5900 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-VFQFN Exponiertes Pad | TB67S285 | Power MOSFET | 4,75 V ~ 5,25 V. | 48-vqfn (7x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel, Seriell | Halbbrücke (8) | 3a | 10V ~ 47V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LCX126ft | 0,4800 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 74lcx | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | 74LCX126 | - - - | 3-staatn | 1,65 V ~ 3,6 V. | 14-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Puffer, Nicht Invertierend | 4 | 1 | 24 mA, 24 mA |
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