SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Toleranz Betriebstemperatur Anwendungen Montageart Paket/Koffer Typ Merkmale Basisproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Strom - Versorgung Spannung – Eingang Spannung – Eingang (max.) Ausgabetyp Temperaturkoeffizient Anzahl der Stromkreise Verhältnis - Eingabe:Ausgabe Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Logiktyp Anzahl der Elemente Anzahl der Bits pro Element Strom – Ausgang hoch, niedrig Funktion Spannung – Versorgung, Single/Dual (±) Spannung – Eingangsoffset (max.) Strom – Eingangsvorspannung (max.) Strom - Ausgang (Typ) Aktuell – Ruhezustand (max.) CMRR, PSRR (Typ) Ausbreitungsverzögerung (max.) Hysterese Strom – Ausgang/Kanal Anzahl der Eingänge Referenztyp Anzahl der E/A Kernprozessor Kerngröße Geschwindigkeit Konnektivität Peripheriegeräte Programmspeichergröße Programmspeichertyp EEPROM-Größe RAM-Größe Spannung – Versorgung (Vcc/Vdd) Datenkonverter Oszillatortyp Schnittstelle Taktfrequenz Anzahl der Ausgänge Triggertyp Max. Ausbreitungsverzögerung bei V, max. CL Strom – Ruhezustand (Iq) Strom – Versorgung (max.) Eingangskapazität Eingangslogikpegel – Niedrig Eingangslogikpegel – Hoch Schaltung Unabhängige Schaltkreise Verzögerungszeit – Ausbreitung Interner Schalter Topologie Fehlerschutz Steuerfunktionen Spannung – Versorgung (max.) Ausgabekonfiguration Strom – Ausgang Rds On (Typ) Spannung – Zuletzt Motortyp: Schrittmotor Motortyp – Wechselstrom, Gleichstrom Schrittauflösung Dimmen Spannung – Versorgung (Min.) Spannung – Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (Max) Spannung – Ausgang (Min./Fest) Rauschen – 0,1 Hz bis 10 Hz Rauschen – 10 Hz bis 10 kHz Spannung – Ausgang (max.) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max.) PSRR Schutzfunktionen
TB62215AHQ Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AHQ -
Anfrage
ECAD 6418 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tablett Veraltet -20°C ~ 150°C (TJ) Allgemeiner Zweck Durchgangsloch 25-SIP-geformte Leitungen TB62215 Leistungs-MOSFET 4,75 V ~ 5,25 V 25-HZIP herunterladen 1 (Unbegrenzt) TB62215AHQ(O) EAR99 8542.39.0001 504 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 3A 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
74HC164D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC164D 0,4500
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ECAD 1 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage 74HC Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Oberflächenmontage 14-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) 74HC164 Push-Pull 2V ~ 6V 14-SOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.500 Schieberegister 1 8 Seriell zu parallel
TC74AC573FW-ELP Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC573FW-ELP -
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ECAD 7931 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TC74AC Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 20-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) 74AC573 Dreistaat 2V ~ 5,5V 20-SOL herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1.000 Transparenter D-Typ-Verschluss 75mA, 75mA 8:8 1 6,2 ns
TC75W56FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W56FU,LF 0,5100
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ECAD 6044 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 8-TSSOP, 8-MSOP (0,110", 2,80 mm Breite) Allgemeiner Zweck TC75W56 Push-Pull 8-SSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 1,8 V ~ 7 V, ±0,9 V ~ 3,5 V 7 mV bei 5 V 1 pA bei 5 V 25mA 40µA - 680ns -
TC78H651FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG,EL 1.5300
Anfrage
ECAD 6457 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 105 °C Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 16-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) TC78H651 DMOS 1,8 V ~ 6 V 16-TSSOP herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 4.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe - Halbbrücke (4) 1,5A 1,8 V ~ 6 V Bipolar Gebürsteter DC -
TCR3RM28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM28A,LF 0,4600
Anfrage
ECAD 214 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3RM Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XDFN freiliegendes Pad TCR3RM28 5,5V Behoben 4-DFNC (1x1) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 - Positiv 300mA 2,8V - 1 0,13 V bei 300 mA 100 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCK22971G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22971G,LF 0,5500
Anfrage
ECAD 6777 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 6-UFBGA, WLCSP Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK22971 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 6-WCSPE (0,80 x 1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 Rückstrom Hohe Seite 25mOhm 1,1 V ~ 5,5 V Allgemeiner Zweck 2A
TB62747AFNAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFNAG,EL -
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ECAD 7768 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TA) - Oberflächenmontage 24-SSOP (0,154", 3,90 mm Breite) Linear TB62747 - 24-SSOP herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 45mA 16 Ja Schieberegister 5,5V - 3V 26V
TA58M05S(YNS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S(YNS,AQ) -
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ECAD 2248 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 105 °C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TA58M05 29V Behoben TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 1mA 80mA - Positiv 500µA 5V - 1 0,65 V bei 500 mA - Überstrom, Übertemperatur, Verpolung
TA78L015AP,6MURF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP,6MURF(M -
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ECAD 9977 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -30°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA78L015 35V Behoben LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 6,5mA - Positiv 150mA 15V - 1 1,7 V bei 40 mA (typisch) 40 dB (120 Hz) Überstrom, Übertemperatur
TCR2EE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE32,LM(CT 0,3500
Anfrage
ECAD 6 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2EE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-553 TCR2EE32 5,5V Behoben ESV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 3,2V - 1 0,2 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TCR15AG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG30,LF 0,2294
Anfrage
ECAD 8000 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR15AG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 6-XFBGA, WLCSP TCR15AG30 6V Behoben 6-WCSP (1,2x0,80) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 40 µA Aktivieren Positiv 1,5A 3V - 1 0,648 V bei 1,5 A 95 dB ~ 60 dB (1 kHz) Strombegrenzung, thermische Abschaltung, UVLO
TCR3UG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG12A,LF 0,4700
Anfrage
ECAD 5 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3UG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG12 5,5V Behoben 4-WCSP-F (0,65x0,65) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 580 nA Aktivieren Positiv 300mA 1,2V - 1 0,857 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Einschaltstrom, Überstrom, thermische Abschaltung
TCK22921G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G,LF 0,1675
Anfrage
ECAD 7646 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 6-UFBGA, WLCSP Lastentladung, Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK22921 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 6-WCSPE (0,80 x 1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 Rückstrom Hohe Seite 25mOhm 1,1 V ~ 5,5 V Allgemeiner Zweck 2A
TA76L431S(T6SOY,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S(T6SOY,AQ -
Anfrage
ECAD 2963 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet - -40°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA76L431 - - - - LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TC4S69F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC4S69F(TE85L,F) -
Anfrage
ECAD 9435 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TC4S Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 - TC4S69 1 3V ~ 18V SMV - 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 Wechselrichter 3,4mA, 3,4mA 1 µA 1 80 ns bei 15 V, 50 pF 1,5 V ~ 4 V 3,5 V ~ 11 V
TCR3DF185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF185,LM(CT 0,0906
Anfrage
ECAD 4999 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3DF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR3DF185 5,5V Behoben SMV herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 Aktivieren Positiv 300mA 1,85 V - 1 0,4 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Einschaltstrom, Überstrom, Übertemperatur
TCK108G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108G,LF -
Anfrage
ECAD 4705 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 4-UFBGA Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK108 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 4-WCSP (0,79 x 0,79) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 - Hohe Seite 49mOhm 1,1 V ~ 5,5 V Allgemeiner Zweck 1A
TCR2EE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE11,LM(CT 0,3700
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2EE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-553 TCR2EE11 5,5V Behoben ESV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,1 V - 1 0,67 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TCK126BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK126BG,LF 0,4800
Anfrage
ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 4-XFBGA, CSPBGA Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK126 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 4-WCSPG (0,65 x 0,65) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 - Hohe Seite 343mOhm 1V ~ 5,5V Allgemeiner Zweck 1A
TCR2LF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF13,LM(CT 0,3800
Anfrage
ECAD 15 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR2LF13 5,5V Behoben SMV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,3V - 1 1,13 V bei 150 mA - Überstrom
TMPM361F10FG(C,J) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM361F10FG(C,J) 8.2236
Anfrage
ECAD 4325 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TX03 Tablett Aktiv -20°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 100-LQFP TMPM361 100-LQFP (14x14) herunterladen RoHS-konform 3 (168 Stunden) TMPM361F10FG(CJ) 3A991A2 8542.31.0001 200 68 ARM® Cortex®-M3 32-Bit-Single-Core 64 MHz I²C, SIO, UART/USART DMA, PWM, WDT 1 MB (1 MB x 8) BLITZ - 64K x 8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 8x10b Praktikant
TCR2DG26,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG26,LF 0,1394
Anfrage
ECAD 4130 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2DG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UFBGA, WLCSP 5,5V Behoben 4-WCSP (0,79 x 0,79) herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Aktivieren Positiv 200mA 2,6V - 1 0,13 V bei 100 mA - Überstrom, Übertemperatur
TMP86FS49BFG(CZHZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FS49BFG(CZHZ) 5.0980
Anfrage
ECAD 7443 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TLCS-870/C Tablett Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 64-BQFP TMP86 64-QFP (14x14) herunterladen RoHS-konform 3 (168 Stunden) 3A991A2 8542.31.0001 450 56 870/C 8-Bit 16 MHz I²C, SIO, UART/USART LED, PWM, WDT 60 KB (60 KB x 8) BLITZ - 2K x 8 2,7 V ~ 5,5 V A/D 16x10b Praktikant
TC74VHC574FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC574FTELM -
Anfrage
ECAD 9457 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TC74VHC Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 20-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) D-Typ 74VHC574 Tri-State, nicht invertiert 2V ~ 5,5V 20-TSSOP herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 1 8 8mA, 8mA Standard 115 MHz Positive Kante 10,6 ns bei 5 V, 50 pF 40 µA 4 pF
TC74HC126AP(F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC126AP(F) 0,5156
Anfrage
ECAD 3834 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage 74HC Rohr Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Durchgangsloch 14-DIP (0,300", 7,62 mm) 74HC126 - 3-Staaten 2V ~ 6V 14-DIP herunterladen RoHS-konform Nicht anwendbar EAR99 8542.39.0001 1 Puffer, nicht invertierend 4 1 7,8mA, 7,8mA
TCR2EN125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125,LF 0,0896
Anfrage
ECAD 6671 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2EN Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad TCR2EN125 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,25 V - 1 0,55 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TCR3LM08A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM08A,RF 0,3700
Anfrage
ECAD 10 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3LM Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 4-DFN (1x1) - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) 5.000 2,2 µA Strombegrenzung, Aktivieren Positiv 300mA 0,8V - 1 - 74 dB ~ 43 dB (100 Hz ~ 100 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TC7SH04FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH04FU,LJ -
Anfrage
ECAD 6045 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TC7SH Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7SH04 1 2V ~ 5,5V 5-SSOP herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 Wechselrichter 8mA, 8mA 2 µA 1 7,5 ns bei 5 V, 50 pF 0,5V 1,5V
TA58M10F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M10F(TE16L1,NQ -
Anfrage
ECAD 2343 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40 °C ~ 105 °C Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 TA58M10 29V Behoben PW-FORM - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 1,2mA 80mA - Positiv 500mA 10V - 1 0,65 V bei 500 mA - Überstrom, Übertemperatur, Verpolung
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lager vorrätig