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Integrierte Schaltungen (ICS) (2120)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Merkmale | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Spannung - Eingang (max) | Ausgangstyp | Anzahl der Schaltungen | Verhöltnis - Eingang: Ausgang | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Logikart | Anzahl der Elemente | Anzahl der Bits Pro Element | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Fungion | Spannung - Verrorane, Single/Dual (±) | Spannung - Eingangversatz (max) | Strom - Eingangsverzerrung (max) | Strom - Ausgang (Typ) | Strom - Ruhend (max) | CMRR, PSRR (Typ) | Ausbreitungsverzögerung (max) | Hysterer | Strom - Ausgabe / Kanal | ANZAHL DER EINGANGE | Spannung - Verorgung (VCC/VDD) | Schnittstelle | Anzahl der Ausgänge | Max -ausbreitungsverzögerung @ V, Max Cl cl cl | Strom - ruhe (IQ) | Strom - Verrorane (max) | Eingabelogikpegel - Niedrig | Eingabelogikpegel - Hoch | Interne Schalter (en) | Topologie | Frequenz - Schalten | Fehmlerschutz | Steuerfunktionen | Spannung - Verrorane (max) | AUSGABEKONfiguration | Synchroner Gleichrichter | Strom - Ausgabe | RDS AUF (Typ) | Spannung - zuletzt | Motortyp - Stepper | Motortyp - AC, DC | Schrittlösung | Dimm | Spannung - Verrorane (min) | Spannung - Ausgang | Schaltertyp | Strom - Ausgang (max) | Spannung - Ausgang (Min/Fest) | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Eingang (min) | Anzahl der Regulierungsbehörden | Spannungsabfall (max) | PSRR | SchutzmerkMale |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR2LN30, LF | 0,3500 |  | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ln | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | TCR2LN30 | 5,5 v | Uhben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 3v | - - - | 1 | 0,28 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74HC21D | 0,5700 | | 14 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 74HC | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) | - - - | 74HC21 | 2 | 2V ~ 6v | 14-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Und tor | 5,2 mA, 5,2 mA | 1 µA | 4 | 17ns @ 6v, 50pf | 0,5 V ~ 1,8 V. | 1,5 V ~ 4,2 V. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA48L033F (TE12L, F) | - - - | | 3844 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | To-243aa | TA48L033 | 16V | Uhben | PW-mini (SOT-89) | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 800 µA | 5 Ma | - - - | Positiv | 150 Ma | 3.3 v | - - - | 1 | 0,5 V @ 100 mA | 68 dB (120 Hz) | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TAR5S40 (TE85L, F) | 0,4200 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TAR5S40 | 15 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Ein/Aus | Positiv | 200 ma | 4V | - - - | 1 | 0,2 V @ 50 Ma | 70 dB (1 kHz) | Überstrom Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74LCX32FT | 0,4200 | | 524 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | - - - | 74LCX32 | 4 | 1,65 V ~ 3,6 V. | 14-tssopb | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | ODER TOR | 24 mA, 24 mA | 10 µA | 2 | 6,5ns @ 3,3V, 50pf | 0,7 V ~ 0,8 V. | 1,7 V ~ 2 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3UM2925A, LF (SE | 0,4600 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-udfn exponiert pad | 5,5 v | Uhben | 4-DFN (1x1) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 680 na | Aktuelle Grenze, Aktivieren | Positiv | 300 ma | 2,925 v | - - - | 1 | 0,327V @ 300 mA | - - - | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC75W58FK, LF | 0,2228 | | 7781 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-VFSOP (0,091 ", 2,30 mm Breit) | Allgemein Zweck | TC75W58 | Offene Abfluss | 8-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 | 1,8 V ~ 7 V, ± 0,9 V ~ 3,5 V | 7MV @ 5v | 1pa @ 5v | 25ma | 22 µA | - - - | 800 ns | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN31, LF (SE | 0,3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ln | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | 5,5 v | Uhben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 3.1V | - - - | 1 | 0,28 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S209ftg, El | 1.6644 | | 2320 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C. | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-WFQFN Exponiertes Pad | TB67S209 | NMOS, PMOS | 4,75 V ~ 5,25 V. | 48-wqfn (7x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 3a | 10V ~ 47V | Bipolar | Gebürstet DC | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP7830 (D4KWJTLE | - - - | | 9915 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Rohr | Veraltet | TLP7830 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 264-TLP7830 (D4KWJTLE | Veraltet | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DG35, LF | 0,1054 | | 8756 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr3dg | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR3DG35 | 5,5 v | Uhben | 4-WCSPE (0,65 x 0,65) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Aktivieren | Positiv | 300 ma | 3,5 v | - - - | 1 | 0,215 V @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Stromstrom Überstrom über die Temperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC62D748CFG, EL | 1.5800 | | 5947 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | LED -Beleiltung | Oberflächenhalterung | 0,236 ", 6,00 mm Breit) | Linear | TC62D748 | - - - | 24-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2.000 | 90 Ma | 16 | NEIN | Schichtregister | 5,5 v | NEIN | 3v | 17V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62215AHQ | - - - | | 6418 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Tablett | Veraltet | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | K. Loch | 25-SIP-Gebildete-Leads | TB62215 | Power MOSFET | 4,75 V ~ 5,25 V. | 25-hzip | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | TB62215AHQ (O) | Ear99 | 8542.39.0001 | 504 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 3a | 10 V ~ 38 V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCV7103AF (TE12L, Q) | - - - | | 5726 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | TCV71 | 5.6 v | Einstellbar | 8-fuß-äharsch (5x5) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Abfahre | 1 | Bock | 1MHz | Positiv | Ja | 6a | 0,8 v | 5.6 v | 2,7 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S215ftag, El | 2.7300 | | 7254 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 36-WFQFN Exponiertes Pad | TB67S215 | Power MOSFET | 4,75 V ~ 5,25 V. | 36-WQFN (6x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | PWM | Halbbrücke (4) | 2a | 10 V ~ 35 V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S549ftg, El | 1.9800 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 24-VFQFN Exponiertes Pad | TB67S549 | DMOs | 4,5 V ~ 33 V | 24-QFN (4x4) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | PWM | Halbbrücke (2) | 1.2a | 4,5 V ~ 33 V | Bipolar | Gebürstet DC | 1 ~ 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr2en115, lf (se | 0,3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | 5,5 v | Uhben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,15 V | - - - | 1 | 0,65 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L015AP, 6MURF (m | - - - | | 9977 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | TA78L015 | 35 V | Uhben | Lstm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - - - | Positiv | 150 Ma | 15 v | - - - | 1 | 1,7 V @ 40 mA (Typ) | 40 dB (120 Hz) | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S103AFTG, EL | 1.6439 | | 3309 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-WFQFN Exponiertes Pad | TB67S103 | Power MOSFET | 4,75 V ~ 5,25 V. | 48-wqfn (7x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Spi | Halbbrücke (4) | 3a | 10V ~ 47V | Bipolar | - - - | 1 ~ 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62308AFG, El | 1.6600 | | 5343 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-BSOP (0,252 ", 6,40 mm Breit) + 2 Wärmelaschen | - - - | TBD62308 | Invertieren | N-Kanal | 1: 1 | 16-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.500 | 4,5 V ~ 5,5 V. | Ein/Aus | 4 | - - - | Niedrige Site | 370Mohm | 50 V (max) | Allgemein Zweck | 1,5a | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62216FNG, C8, EL | 2.8000 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,240 ", 6,10 mm Breit Feiliegender-Pad | TB62216 | Power MOSFET | 4,75 V ~ 5,25 V. | 48-HTSSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | PWM | Halbbrücke (4) | 2a | 10 V ~ 38 V | - - - | Gebürstet DC | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 7ul1t125fu, lf | 0,4400 | | 7759 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 7ul | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 7ul1t125 | - - - | 3-staatn | 2,3 V ~ 3,6 V. | USV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Puffer, Nicht Invertierend | 1 | 1 | 8MA, 8ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6642ftg, 8, el | 2.3700 | | 2373 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 32-vfqfn exponiert pad | TB6642 | Bi-CMOs | 10 V ~ 45 V | 32-vqfn (5x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel, pwm | Halbbrücke (2) | 1,5a | 10 V ~ 45 V | - - - | Gebürstet DC | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62503AFNG, EL | 1.0600 | | 5309 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-LSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | - - - | TBD62503 | Invertieren | N-Kanal | 1: 1 | 16-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 7 | - - - | Niedrige Site | - - - | 50 V (max) | Allgemein Zweck | 300 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62304AFWG, El | 1.1500 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | - - - | TBD62304 | Invertieren | N-Kanal | 1: 1 | 16-so-sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 4,5 V ~ 5,5 V. | Ein/Aus | 7 | - - - | Niedrige Site | 1,5 Ohm | 50 V (max) | Allgemein Zweck | 400 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF14, LM (CT | 0,3300 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2ef | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF14 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,4 v | - - - | 1 | 0,42 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62747afnag, El | - - - | | 7768 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - - - | Oberflächenhalterung | 24-SSOP (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Linear | TB62747 | - - - | 24-SSOP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 45 ma | 16 | Ja | Schichtregister | 5,5 v | - - - | 3v | 26v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S512ftag, El | 2.7700 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 36-WFQFN Exponiertes Pad | TB67S512 | Power MOSFET | 2v ~ 5,5 V | 36-WQFN (6x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | PWM | Vorfahrer - Halbbrückke (4) | 2a | 10 V ~ 35 V | Bipolar | Gebürstet DC | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EEEE31, LM (CT | 0,0680 | | 4405 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ee | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-553 | TCR2EEEE31 | 5,5 v | Uhben | ESV | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 3.1V | - - - | 1 | 0,2 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC74LCX07FK (EL, K) | 0,4400 | | 2033 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 74lcx | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 14-VFSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | 74LCX07 | - - - | Offene Abfluss | 1,65 V ~ 5,5 V. | 14-VSSOP | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Puffer, Nicht Invertierend | 6 | 1 | -, 32 ma |
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