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Integrierte Schaltungen (ICS) (2120)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Typ Merkmale Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Spannung - Eingang (max) Ausgangstyp Anzahl der Schaltungen Verhöltnis - Eingang: Ausgang SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Logikart Anzahl der Elemente Anzahl der Bits Pro Element Strom - Ausgang Hoch, Niedrig Fungion Strom - Ruhend (max) ANZAHL DER EINGANGE Spannung - Verorgung (VCC/VDD) Schnittstelle Anzahl der Ausgänge Spannungsversorgungsquelle Max -ausbreitungsverzögerung @ V, Max Cl cl cl Strom - ruhe (IQ) Strom - Verrorane (max) Eingabelogikpegel - Niedrig Eingabelogikpegel - Hoch Schmitt Trigger -ingabe Schaltung Unabhängige Schaltungen Fehmlerschutz Steuerfunktionen AUSGABEKONfiguration Strom - Ausgabe RDS AUF (Typ) Spannung - zuletzt Motortyp - Stepper Motortyp - AC, DC Schrittlösung Schaltertyp Strom - Ausgang (max) Spannung - Ausgang (Min/Fest) Spannung - Ausgang (max) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max) PSRR SchutzmerkMale
TCR2LN15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN15, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ln Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-xfdfn exponiert Pad 5,5 v Uhben 4-SDFN (0,8 x 0,8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1,5 v - - - 1 1.11v @ 150 mA - - - Über Strom
TA78DS05CP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP, F (j - - -
RFQ
 ECAD 3579 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper Ta78ds 33V Uhben Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 1 Ma - - - Positiv 30 ma 5v - - - 1 0,3 V @ 10 mA - - - Überstrom, übertemperatur, überspannung, transiente spannung
TC7MBL3125CFK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MBL3125CFK (EL) 0,8000
RFQ
 ECAD 5456 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7MB Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 14-VFSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) Bussschalter TC7MBL3125 1,65 V ~ 3,6 V. 14-VSSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 - - - Einzelversorgung 4 x 1: 1 1
TCR3DM36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM36, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 Aktivieren Positiv 300 ma 3.6 V - - - 1 0,2 V @ 300 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TC74VHC86FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC86ftelm - - -
RFQ
 ECAD 3270 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC74VHC Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) - - - 74VHC86 4 2v ~ 5,5 V 14-tssop Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 XOR (exklusiv oder) 8MA, 8ma 2 µA 2 8,8ns @ 5v, 50pf 0,5 v 1,5 v
TC7SZ86F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ86F, LJ (CT 0,0721
RFQ
 ECAD 4542 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7SZ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 - - - 7SZ86 1 1,8 V ~ 5,5 V. SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 XOR (exklusiv oder) 32ma, 32 ma 2 µA 2 5.4ns @ 5v, 50pf - - - - - -
TC7SH14F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH14F, LJ (CT 0,3900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7SH Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 Schmitt Trigger 7SH14 1 2v ~ 5,5 V SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Wechselrichter 8MA, 8ma 2 µA 1 10.6ns @ 5v, 50pf 0,9 V ~ 1,65 V. 2,2 V ~ 3,85 V.
TCR3DM10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 Aktivieren Positiv 300 ma 1V - - - 1 0,75 V @ 300 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TCR3DM28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28, LF 0,0926
RFQ
 ECAD 9748 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3dm Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad TCR3DM28 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 65 µA 78 µA Aktivieren Positiv 300 ma 2,8 v - - - 1 0,25 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
TCR3DF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF15, LM (CT 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR3DF Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR3DF15 5,5 v Uhben SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 65 µA 78 µA Aktivieren Positiv 300 ma 1,5 v - - - 1 0,47 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
TA58M05S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S, Q (j - - -
RFQ
 ECAD 3007 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58M05 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - - - Positiv 500 ähm 5v - - - 1 0,65 V @ 500 mA - - - Überstrom, über Temperatur, Umgekehrte Polarität
TCR3RM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A, LF - - -
RFQ
 ECAD 2170 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3rm Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR3RM10 5,5 v Uhben 4-DFNC (1x1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 - - - Positiv 300 ma 1V - - - 1 0,13 V @ 300 mA 1 kHz (100 dB) Überstrom Übertemperatur
TA58M08S(LS2FJT,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S (LS2FJT, aq - - -
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58M08 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - - - Positiv 500 mA 8v - - - 1 0,65 V @ 500 mA - - - Überstrom, über Temperatur, Umgekehrte Polarität
TCR4DG125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG125, LF 0,5100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR4DG Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG125 5,5 v Uhben 4-WCSPE (0,65 x 0,65) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 Aktivieren Positiv 420 Ma 1,25 V. - - - 1 0,781V @ 420 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom, über Temperatur, Kurzschluss
TA78L15F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L15F (TE12L, F) - - -
RFQ
 ECAD 7159 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung To-243aa TA78L15 35 V Uhben PW-mini (SOT-89) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1.000 6 Ma 6.5 Ma - - - Positiv 150 Ma 15 v - - - 1 - - - 40 dB (120 Hz) Überstrom Übertemperatur
TBD62003AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003AFG, El 0,8900
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) - - - TBD62003 Invertieren N-Kanal 1: 1 16-so-sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Nicht Erforderlich Ein/Aus 7 - - - Niedrige Site - - - 50 V (max) Allgemein Zweck 500 mA
TC7MBL3257CFK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MBL3257CFK (EL) 0,3136
RFQ
 ECAD 3882 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7MB Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 16-VFSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) Multiplexer/Demultiplexer TC7MBL3257 1,65 V ~ 3,6 V. 16-VSSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 - - - Einzelversorgung 4 x 2: 1 1
TC74VHC221AFK(EL,K Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC221AFK (El, K. 0,6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74VHC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 16-VFSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) TC74VHC221 2 V ~ 5,5 V. 16-VSSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 Monostabil 8MA, 8ma Ja 2
74HC238D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC238D 0,4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) Decoder/Demultiplexer 74HC238 2V ~ 6v 16-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 5,2 mA, 5,2 mA Einzelversorgung 1 x 3: 8 1
TC74HC86APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC86APF - - -
RFQ
 ECAD 3899 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch 14 DIP (0,300 ", 7,62 mm) - - - 74HC86 4 2V ~ 6v 14-DIP - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 25 XOR (exklusiv oder) 5,2 mA, 5,2 mA 1 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0,5 V ~ 1,8 V. 1,5 V ~ 4,2 V.
TA58M15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M15s, Q (j - - -
RFQ
 ECAD 7560 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58M15 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1,4 Ma 80 Ma - - - Positiv 500 mA 15 v - - - 1 0,65 V @ 500 mA - - - Überstrom, über Temperatur, Umgekehrte Polarität
TA78L09F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L09F (TE12L, F) - - -
RFQ
 ECAD 6344 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung To-243aa TA78L09 35 V Uhben PW-mini (SOT-89) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1.000 6 Ma 6.5 Ma - - - Positiv 150 Ma 9V - - - 1 - - - 44 dB (120 Hz) Überstrom Übertemperatur
TC78H651FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG (O, EL) 1.5300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 16-tssop (0,173 ", 4,40 mm Breit) TC78H651 DMOs - - - 16-tssop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe - - - Halbbrücke (4) 1,5a 1,8 V ~ 6 V - - - Gebürstet DC - - -
74LCX00FT Toshiba Semiconductor and Storage 74lcx00ft 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74lcx Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) - - - 74LCX00 4 1,65 V ~ 3,6 V. 14-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 Nand -tor 24 mA, 24 mA 10 µA 2 5.2ns @ 3.3V, 50pf 0,7 V ~ 0,8 V. 1,7 V ~ 2 V
TC7WHU04FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WHU04FU, LJ (CT 0,0871
RFQ
 ECAD 3442 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tc7whu Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-TSSOP, 8-MSOP (0,110 ", 2.80 mm Breit) - - - 7WHU04 3 2v ~ 5,5 V 8-SSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Tc7whu04fulj (ct Ear99 8542.39.0001 3.000 Wechselrichter 8MA, 8ma 2 µA 3 7ns @ 5v, 50pf 0,3 v 1,7 v
TCR5AM055,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM055, LF 0,1344
RFQ
 ECAD 2188 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr5am Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR5AM055 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 55 µA 68 µA Aktivieren Positiv 500 mA 0,55 v - - - 1 0,2 V @ 500 mA 70 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 10 Hz) Überstrom Übertemperatur Einer -Spannungssperrung (UVLO)
TCR2LF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF25, LM (CT 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2LF Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR2LF25 5,5 v Uhben SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 2 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2,5 v - - - 1 0,38 V @ 150 mA - - - Über Strom
74HCT14D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT14D 0,4500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HCT Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) Schmitt Trigger 74HCT14 6 4,5 V ~ 5,5 V. 14-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 Wechselrichter 4ma, 4ma 1 µA 1 31ns @ 5,5V, 50pf - - - - - -
TB6586BFG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6586BFG, El, Trocken - - -
RFQ
 ECAD 6909 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 0,236 ", 6,00 mm Breit) TB6586 Bi-CMOs 6,5 V ~ 16,5 V. 24-SSOP Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Controller - Kommutierung, Richtungsmanagement Parallel Vorfahrer - Halbbrücke (3) - - - - - - - - - Bürstenloser DC (Bldc) - - -
TC74HC125AFELF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC125afelf 0,1932
RFQ
 ECAD 1906 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 14-soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) 74HC125 - - - 3-staatn 2V ~ 6v 14-so-sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Puffer, Nicht Invertierend 4 1 7,8 mA, 7,8 mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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