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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Merkmale | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Strom - Verroriert | Spannung - Eingang | Spannung - Eingang (max) | Ausgangstyp | Temperaturkoeffizient | Anzahl der Schaltungen | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Logikart | Anzahl der Elemente | Anzahl der Bits Pro Element | Strom - Ausgang Hoch, Niedrig | Fungion | Strom - Ruhend (max) | -3db Bandbreite | Strom - Ausgang / Kanal | ANZAHL DER EINGANGE | Referenztyp | ANZAHL von I/O | Kernprozessor | Kerngrö | Geschwindigkeit | KonneKtivität | Peripheriegeraut | Programmspeichergrö | Programmspeichertyp | Eeprom -grö | RAM -GRÖCehe | Spannung - Verorgung (VCC/VDD) | DATENKONVERTER | Oszillatortyp | Schaltkreis Schalten | Multiplexer/Demultiplexer -schaltung | Ausfluss auf ouf der Staat (max) | Kanal-kanal-matching (Δron) | Spannung - Verorgung, Single (V+) | Spannung - Verrorany, Dual (V ±) | Zeitschalter (Tonne, Toff) (max) | Ladungsinjektion | Kanalkapazität (CS (AUS), CD (AUS)) | Strom - Leckage (ist (Off)) (max) | Überpranten | Schnittstelle | Anzahl der Ausgänge | Spannungsversorgungsquelle | Max -ausbreitungsverzögerung @ V, Max Cl cl cl | Strom - ruhe (IQ) | Strom - Verrorane (max) | Eingabelogikpegel - Niedrig | Eingabelogikpegel - Hoch | Schaltung | Unabhängige Schaltungen | Interne Schalter (en) | Topologie | Steuerfunktionen | Spannung - Verrorane (max) | AUSGABEKONfiguration | Strom - Ausgabe | Spannung - zuletzt | Motortyp - Stepper | Motortyp - AC, DC | Schrittlösung | Dimm | Spannung - Verrorane (min) | Spannung - Ausgang | Spannung - Ausgang (Min/Fest) | RAUschen - 0,1 Hz bis 10 Hz | RAUschen - 10 Hz bis 10 kHz | Spannung - Ausgang (max) | Anzahl der Regulierungsbehörden | Spannungsabfall (max) | PSRR | SchutzmerkMale |
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![]() | TB62771ftg, 8, El | 1.5500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Hintergrundbeleuchtung | Oberflächenhalterung | 20-WFQFN Exposed Pad | DC DC -Regler | TB62771 | 200kHz ~ 2MHz | 20-WQFN (4x4) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 150 Ma | 4 | Ja | Strop-up (Boost) | 40V | PWM | 4,75 v | 45 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA48L025F (TE12L, F) | - - - | ![]() | 4325 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | To-243aa | TA48L025 | 16V | Uhben | PW-mini (SOT-89) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 800 µA | 5 Ma | - - - | Positiv | 150 Ma | 2,5 v | - - - | 1 | 0,5 V @ 100 mA | 70 dB (120 Hz) | Überstrom Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF18, LM (CT | 0,3900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2LF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF18 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,8 v | - - - | 1 | 0,62 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC7S02F, LF | 0,4500 | ![]() | 8090 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tc7s | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | - - - | 7S02 | 1 | 2V ~ 6v | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Noch Tor | 2,6 mA, 2,6 mA | 1 µA | 2 | 17ns @ 6v, 50pf | 0,5 V ~ 1,8 V. | 1,5 V ~ 4,2 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L06S, HY-ATQ (m | - - - | ![]() | 8673 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TA58L06 | 29V | Uhben | To-220nis | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 Ma | 50 ma | - - - | Positiv | 250 Ma | 6v | - - - | 1 | 0,4 V @ 200 Ma | - - - | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC7SH34FE, LM | - - - | ![]() | 2526 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC7SH | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOT-553 | TC7SH34 | - - - | Push-Pull | 2v ~ 5,5 V | ESV | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Puffer, Nicht Invertierend | 1 | 1 | 8MA, 8ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC7SH04FUT5LJFT | - - - | ![]() | 6870 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC7SH | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | - - - | 7SH04 | 1 | 2v ~ 5,5 V | 5-SSOP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Wechselrichter | 8MA, 8ma | 2 µA | 1 | 7,5ns @ 5v, 50pf | 0,5 v | 1,5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC7SH34F, LJ (CT | 0,0721 | ![]() | 4597 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC7SH | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TC7SH34 | - - - | Push-Pull | 2v ~ 5,5 V | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Puffer, Nicht Invertierend | 1 | 1 | 8MA, 8ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 7ul1g34fs, lf | 0,4600 | ![]() | 5413 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 7ul | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-953 | 7ul1g34 | - - - | - - - | 0,9 V ~ 3,6 V. | FSV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | Puffer, Nicht Invertierend | 1 | 1 | 8MA, 8ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC74LCX16244FL | 1.5800 | ![]() | 6404 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 74lcx | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,240 ", 6,10 mm Breit) | 74LCX16244 | - - - | 3-staatn | 2v ~ 3,6 V | 48-tssop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Puffer, Nicht Invertierend | 4 | 4 | 24 mA, 24 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC7WB66CFK, LF (CT | 0,3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC7WB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-VFSOP (0,091 ", 2,30 mm Breit) | Bussschalter | TC7WB66 | 1,65 V ~ 5,5 V. | 8-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - - - | Einzelversorgung | 2 x 1: 1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74VHC126ft | 0,0990 | ![]() | 3251 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC74VHC | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | 74VHC126 | - - - | 3-staatn | 2v ~ 5,5 V | 14-tssopb | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Puffer, Nicht Invertierend | 4 | 1 | 8MA, 8ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62214AFNG, C8, EL | 2.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,240 ", 6,10 mm Breit Feiliegender-Pad | TB62214 | DMOs | 4,75 V ~ 5,25 V. | 48-HTSSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 2a | 10 V ~ 38 V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC7SZ125FU, LJ (CT | 0,3400 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC7SZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TC7SZ125 | - - - | 3-staatn | 1,8 V ~ 5,5 V. | 5-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Puffer, Nicht Invertierend | 1 | 1 | 32ma, 32 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DG18, LF | 0,3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr3dg | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR3DG18 | 5,5 v | Uhben | 4-WCSPE (0,65 x 0,65) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Aktivieren | Positiv | 300 ma | 1,8 v | - - - | 1 | 0,365 V @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Stromstrom Überstrom über die Temperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2EE135, LM (CT | 0,3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ee | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-553 | Tcr2eee135 | 5,5 v | Uhben | ESV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,35 v | - - - | 1 | 0,47 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62218AFTG, C8, EL | 1.3710 | ![]() | 2927 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-VFQFN Exponiertes Pad | TB62218 | DMOs | 4,75 V ~ 5,25 V. | 48-QFN (7x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 2a | 10 V ~ 38 V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC74AC00ftel | 0,1377 | ![]() | 1005 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC74AC | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | - - - | 74AC00 | 4 | 2v ~ 5,5 V | 14-tssop | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Nand -tor | 24 mA, 24 mA | 4 µA | 2 | 7ns @ 5v, 50pf | 0,5 V ~ 1,65 V. | 1,5 V ~ 3,85 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA76432S, T6WNLF (j | - - - | ![]() | 3650 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | TA76432 | - - - | - - - | - - - | - - - | Lstm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC7WZ08FK, LJ (CT | 0,3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | 7WZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-VFSOP (0,091 ", 2,30 mm Breit) | - - - | 7WZ08 | 2 | 1,65 V ~ 5,5 V. | 8-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Und tor | 32ma, 32 ma | 1 µA | 4 | 3,7ns @ 5v, 50pf | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC7SH126FU, LJ (CT | 0,3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TC7SH | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TC7SH126 | - - - | 3-staatn | 2v ~ 5,5 V | 5-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Puffer, Nicht Invertierend | 1 | 1 | 8MA, 8ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3UG18A, LF | 0,4700 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr3ug | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, WLCSP | TCR3UG18 | 5,5 v | Uhben | 4-WCSP-F (0,65 x 0,65) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 680 na | Aktivieren | Positiv | 300 ma | 1,8 v | - - - | 1 | 0,457 V @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Stromstrom über Strom, Thermische Abschaltdown | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67H400AHG | 6.4000 | ![]() | 510 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | K. Loch | 25-SIP-Gebildete-Leads | TB67H400 | Power MOSFET | 4,75 V ~ 5,25 V. | 25-hzip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 510 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel, pwm | Halbbrücke (4) | 6a | 10V ~ 47V | - - - | Gebürstet DC | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62216FG, C, 8, EL | 1.5069 | ![]() | 7667 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 28-BSOP (0,346 ", 8,80 mm Breit) + 2 Wärmelaschen | TB62216 | Power MOSFET | 4,75 V ~ 5,25 V. | 28-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | PWM | Halbbrücke (4) | 2a | 10 V ~ 38 V | - - - | Gebürstet DC | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tcr2en105, lf | - - - | ![]() | 3845 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2en | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | TCR2en105 | 5,5 v | Uhben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,05 v | - - - | 1 | 0,75 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB9044AFNG, EL | 11.2332 | ![]() | 6472 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Stromversorgung, Automobilanwendungen | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,240 ", 6,10 mm Breit Feiliegender-Pad | TB9044 | - - - | 48-HTSSOP | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | 264-TB9044afngeltr | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 2 | 6v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC7SBL66CFU, LF | 0,4400 | ![]() | 524 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TC7SBL66 | 1 | 5-SSOP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - - - | Spst - nc | 1: 1 | 18ohm | - - - | 1,65 V ~ 3,6 V. | - - - | 6ns, 6ns | - - - | 3.5Pf | 1 µA | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB6600HG | 6.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Tablett | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | K. Loch | 25-SIP-Gebildete-Leads | TB6600 | Power MOSFET | 8v ~ 42V | 25-hzip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TB6600HG (O) | Ear99 | 8542.39.0001 | 510 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 4,5a | 8v ~ 42V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58M05S (LBS2PP, aq | - - - | ![]() | 6287 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TA58M05 | 29V | Uhben | To-220nis | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 Ma | 80 Ma | - - - | Positiv | 500 ähm | 5v | - - - | 1 | 0,65 V @ 500 mA | - - - | Überstrom, über Temperatur, Umgekehrte Polarität | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TMPM036FWFG (KY, JZ) | 4.3700 | ![]() | 7270 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TX00 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | Tmpm036 | 100-LQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Tmpm036fwfg (kyjz) | Ear99 | 8542.31.0001 | 90 | 85 | ARM® Cortex®-M0 | 32-Bit-Einzelkern | 20MHz | I²C, SiO, UART/USAArt | DMA, LVD, POR, WDT | 128 kb (128k x 8) | Blitz | - - - | 16k x 8 | 2,7 V ~ 3,6 V. | A/D 8x12b | Extern |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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