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Integrierte Schaltungen (ICS) (2120)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Typ Merkmale Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Strom - Verroriert Spannung - Eingang Spannung - Eingang (max) Ausgangstyp Richtung Temperaturkoeffizient Anzahl der Schaltungen Verhöltnis - Eingang: Ausgang SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Logikart Anzahl der Elemente Anzahl der Bits Pro Element Strom - Ausgang Hoch, Niedrig Fungion Strom - Ruhend (max) Schwindelrate -3db Bandbreite Strom - Ausgang / Kanal Verstärkerentyp Strom - Eingangsverzerrung Spannung - Eingangversatz Spannung - Verorgungsspanne (min) Spannung - Verorgungsspanne (max) ANZAHL DER EINGANGE Referenztyp ANZAHL von I/O Kernprozessor Kerngrö Geschwindigkeit KonneKtivität Peripheriegeraut Programmspeichergrö Programmspeichertyp Eeprom -grö RAM -GRÖCehe Spannung - Verorgung (VCC/VDD) DATENKONVERTER Oszillatortyp Protokoll ANZAHL DER TRIBER/EMPFANGER Duplex DatEnrate Schnittstelle Taktfrequenz Anzahl der Ausgänge Zurücksetze Timing Zählrate TriggerTyp Max -ausbreitungsverzögerung @ V, Max Cl cl cl Strom - ruhe (IQ) Strom - Verrorane (max) Eingabekapazität Eingabelogikpegel - Niedrig Eingabelogikpegel - Hoch Schaltung Unabhängige Schaltungen Verzögerungszeit - Ausbreitung Interne Schalter (en) Topologie Frequenz - Schalten Fehmlerschutz Steuerfunktionen Spannung - Verrorane (max) AUSGABEKONfiguration Synchroner Gleichrichter Strom - Ausgabe RDS AUF (Typ) Spannung - zuletzt Motortyp - Stepper Motortyp - AC, DC Schrittlösung Dimm Spannung - Verrorane (min) Spannung - Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (max) Spannung - Ausgang (Min/Fest) RAUschen - 0,1 Hz bis 10 Hz RAUschen - 10 Hz bis 10 kHz Spannung - Ausgang (max) Spannung - Eingang (min) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max) PSRR SchutzmerkMale
TC7SZ05F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ05F, LJ (CT 0,0680
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7SZ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 Offene Abfluss 7SZ05 1 1,8 V ~ 5,5 V. SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Wechselrichter -, 32 ma 2 µA 1 4,3ns @ 5v, 50pf - - - - - -
TA58L12S,LS1TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S, LS1TOKQ (j - - -
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58L12 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1,2 Ma 50 ma - - - Positiv 250 Ma 12V - - - 1 0,4 V @ 200 Ma - - - Überstrom Übertemperatur
74HC393D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC393d 0,5700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) 74HC393 R. R. 2 V ~ 6 V 14-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 Binärer Zähler 2 4 - - - - - - 32 MHz Negativer Kante
TC7SH02F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH02F, LJ (CT 0,0824
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7SH Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 - - - 7SH02 1 2v ~ 5,5 V SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Noch Tor 8MA, 8ma 2 µA 2 7,5ns @ 5v, 50pf 0,5 v 1,5 v
TA78L005AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP (Tori, fm - - -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA78L005 35 V Uhben Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 6 Ma - - - Positiv 150 Ma 5v - - - 1 1,7 V @ 40 mA (Typ) 49 dB (120 Hz) - - -
TC7SZ02FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ02FU, LJ (CT 0,3400
RFQ
 ECAD 6363 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7SZ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - - - 7SZ02 1 1,8 V ~ 5,5 V. 5-SSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Noch Tor 32ma, 32 ma 2 µA 2 4,3ns @ 5v, 50pf - - - - - -
TB9045FNG-125,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9045FNG-125, El 11.4387
RFQ
 ECAD 1424 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Stromversorgung, Automobilanwendungen Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,240 ", 6,10 mm Breit Feiliegender-Pad TB9045 - - - 48-HTSSOP Herunterladen 3 (168 Stunden) 264-TB9045FNG-125LTR Ear99 8542.39.0001 1.000 3 6v
TAR5SB33(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5SB33 (TE85L, F) 0,4600
RFQ
 ECAD 8980 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TAR5SB33 15 v Uhben SMV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 850 µA Aktivieren Positiv 200 ma 3.3 v - - - 1 0,2 V @ 50 Ma 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
TCR3UG33B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG33B, LF 0,4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3ug Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-XFBGA, WLCSP Tcr3ug33 5,5 v Uhben 4-WCSPF (0,65x0,65) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 680 na Aktivieren Positiv 300 ma 3.3 v - - - 1 0,273V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Stromstrom Überstrom über die Temperatur
TCK321G,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tck321g, lf 0,5973
RFQ
 ECAD 1420 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-UFBGA, CSPBGA SLW -RATE Kontrollierert, StatusFlagge TCK321 - - - N-Kanal 2: 1 16-WCSPC (1,9x1,9) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 Nicht Erforderlich Ein/Aus 1 Übertemperatur, über Spannung, Rückstrom, Uvlo HOHE SETE 98mo 2,3 V ~ 36 V Allgemein Zweck 2a
TCR2EE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EEE36, LM (CT - - -
RFQ
 ECAD 8242 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SOT-553 TCR2EEEE36 5,5 v Uhben ESV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 3.6 V - - - 1 - - - 73 dB (1 kHz) Über Strom
TCR3LM33A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM33A, RF 0,3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3lm Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xfdfn exponiert Pad 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 2,2 µA Aktuelle Grenze, Aktivieren Positiv 300 ma 3.3 v - - - 1 0,251V @ 200 mA - - - Überstrom Übertemperatur
74VHCT240AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHCT240AFT 0,5100
RFQ
 ECAD 5056 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74VHCT Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 20-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) 74VHCT240 - - - 3-staatn 4,5 V ~ 5,5 V. 20-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 Puffer, invertier 2 4 8MA, 8ma
TB62D787FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb62d787ftg, el 1.4124
RFQ
 ECAD 5174 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. - - - Oberflächenhalterung 40-VFQFN Exponiertes Pad Linear TB62D787 - - - 40-vqfn (6x6) - - - ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 4.000 40 ma 24 Ja - - - 28 v PWM 7v 0,5 V ~ 4 V.
TA76432S,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S, T6MURAF (j - - -
RFQ
 ECAD 8998 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet - - - -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA76432 - - - - - - - - - - - - Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 - - - - - - - - - - - -
TA58L05S,ASHIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage Ta58l05s, Ashiq (m - - -
RFQ
 ECAD 5236 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58L05 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 ma - - - Positiv 250 Ma 5v - - - 1 0,4 V @ 200 Ma - - - Überstrom Übertemperatur
TC7SZ00FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ00FE, LM 0,4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7SZ Klebeband (CT) Schneiden Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SOT-553 - - - 7SZ00 1 1,65 V ~ 5,5 V. ESV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 Nand -tor 32ma, 32 ma 2 µA 2 3,6ns @ 5v, 50pf - - - - - -
TC74VHC373FT(EL,M) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC373ft (El, M) - - -
RFQ
 ECAD 6109 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74VHC Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 20-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) 74VHC373 Tri-staat 2v ~ 5,5 V 20-tssop Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 D-Typ-Transparenter Verriegelung 8MA, 8ma 8: 8 1 5ns
TMPM067FWQG(EL,Z) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM067FWQG (EL, Z) 4.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TX00 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-VFQFN Exponiertes Pad Tmpm067 48-QFN (7x7) Herunterladen ROHS -KONFORM Ear99 8542.31.0001 2.000 32 ARM® Cortex®-M0 32-Bit-Einzelkern 24MHz I²C, SiO, SPI, UART/USAArt, USB DMA, LVD, POR, WDT 128 kb (128k x 8) Blitz - - - 16k x 8 1,8 V ~ 3,6 V. A/D 8x10b Extern
TLP7820(A,TL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp7820 (a, tl, e - - -
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet Aktuelle Erkelkennung, Stromverwaltung Oberflächenhalterung 8-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) Isolierung TLP7820 8-so - - - 1 (unbegrenzt) 264-TLP7820 (Atle Veraltet 50
TB7102F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7102F (TE85L, F) - - -
RFQ
 ECAD 7840 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei TB7102 5,5 v Einstellbar PS-8 (2,9x2,4) - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Abfahre 1 Bock 1MHz Positiv Ja 1a 0,8 v 4,5 v 2,7 v
TCR3DG45,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG45, LF 0,1054
RFQ
 ECAD 6507 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3dg Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-XFBGA, CSPBGA TCR3DG45 5,5 v Uhben 4-WCSPE (0,65 x 0,65) - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 125 µA Aktivieren Positiv 300 ma 4,5 v - - - 1 0,185 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Stromstrom Überstrom über die Temperatur
TB67S149FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149FG, El 3.6800
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 0,295 ", 7,50 mm Breit) + 2 Wärmelaschen TB67S149 Power MOSFET 4,75 V ~ 5,25 V. 28-HSSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (2) 3a 10 V ~ 40 V Unipolar - - - 1 ~ 1/32
TC7WH74FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH74FK, LJ (CT 0,3900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tc7wh Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VFSOP (0,091 ", 2,30 mm Breit) D-Typ 7WH74 Kopplementär 2v ~ 5,5 V 8-SSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 1 1 8MA, 8ma Set (voreingestellt) und Zurcksetzen 115 MHz Positiver Kante 9,3ns @ 5v, 50pf 2 µA 4 Pf
TD62083AFG,N Toshiba Semiconductor and Storage Td62083afg, n - - -
RFQ
 ECAD 9152 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 18-Soic (0,276 ", 7,00 mm Breit) Treiber TD62083 5v 18-Sop Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 40 - - - 8/0 - - - - - -
TLP7920(D4-B,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7920 (D4-B, f 7.2500
RFQ
 ECAD 3119 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) TLP7920 12 Ma Differential 1 8-DIP Herunterladen ROHS -KONFORM Nicht Anwendbar TLP7920 (D4-BF Ear99 8542.33.0001 50 - - - 230 kHz Isolierung 5.5 na 730 µV 4,5 v 5,5 v
74LCX240FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX240ft 0,1740
RFQ
 ECAD 1955 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74lcx Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 20-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) 74LCX240 - - - 3-staatn 1,65 V ~ 3,6 V. 20-tssopb Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2.500 Puffer, invertier 2 4 24 mA, 24 mA
TLP7820(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7820 (TP4, e 6.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. Oberflächenhalterung 8-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) TLP7820 12 Ma Differential 1 8-so Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 5A991B1 8542.33.0001 1.500 - - - 230 kHz Isolierung 5.5 na 900 µV 4,5 v 5,5 v
TC7PG34AFE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TC7PG34afe (TE85L, f - - -
RFQ
 ECAD 7342 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7PG Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 TC7PG34 - - - Push-Pull 0,9 V ~ 3,6 V. ES6 (1,6x1,6) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 Puffer, Nicht Invertierend 2 1 8MA, 8ma
TCK302G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK302G, LF 0,4658
RFQ
 ECAD 2363 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCK30 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 9-UFBGA, WLCSP SLW -RATE Kontrollierert, StatusFlagge TCK302 - - - N-Kanal 1: 1 9-WCSP (1,5x1,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 Nicht Erforderlich Ein/Aus 1 Übertemperatur, über Spannung, Rückstrom, Uvlo HOHE SETE 73mohm 2,3 V ~ 28 V Allgemein Zweck 3a
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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