SIC
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Integrierte Schaltungen (ICS) (2120)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Typ Merkmale Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Spannung - Eingang (max) Ausgangstyp Richtung Anzahl der Schaltungen Verhöltnis - Eingang: Ausgang SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Logikart Anzahl der Elemente Anzahl der Bits Pro Element Strom - Ausgang Hoch, Niedrig Fungion Strom - Ruhend (max) Strom - Ausgang / Kanal ANZAHL DER EINGANGE ANZAHL von I/O Kernprozessor Kerngrö Geschwindigkeit KonneKtivität Peripheriegeraut Programmspeichergrö Programmspeichertyp Eeprom -grö RAM -GRÖCehe Spannung - Verorgung (VCC/VDD) DATENKONVERTER Oszillatortyp Schnittstelle Taktfrequenz Anzahl der Ausgänge Zurücksetze Timing Zählrate TriggerTyp Max -ausbreitungsverzögerung @ V, Max Cl cl cl Strom - ruhe (IQ) Strom - Verrorane (max) Eingabekapazität Eingabelogikpegel - Niedrig Eingabelogikpegel - Hoch Interne Schalter (en) Topologie Fehmlerschutz Steuerfunktionen Spannung - Verrorane (max) AUSGABEKONfiguration Strom - Ausgabe RDS AUF (Typ) Spannung - zuletzt Motortyp - Stepper Motortyp - AC, DC Schrittlösung Dimm Spannung - Verrorane (min) Spannung - Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (max) Spannung - Ausgang (Min/Fest) Spannung - Ausgang (max) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max) PSRR SchutzmerkMale
TB62747AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG, C8, El 1.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) LED -Beleiltung Oberflächenhalterung 0,236 ", 6,00 mm Breit) Linear TB62747 - - - 24-SSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2.000 45 ma 16 Ja Schichtregister 5,5 v - - - 3v 26v
TCR1HF18B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF18B, LM (CT 0,4800
RFQ
 ECAD 6805 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 3.000
74VHC27FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC27ft 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74VHC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) - - - 74VHC27 3 2v ~ 5,5 V 14-tssopb Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 Noch Tor 8MA, 8ma 2 µA 3 7,9ns @ 5v, 50pf 0,1 V ~ 36 V 2v ~ 4,5 V
TC74VHC541FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC541FK (El, K) 0,6600
RFQ
 ECAD 4361 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC74VHC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 20-VFSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) 74VHC541 - - - 3-staatn 2v ~ 5,5 V 20-VSSOP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 Puffer, Nicht Invertierend 1 8 8MA, 8ma
TCR2EF29,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF29, LM (CT 0,3200
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2ef Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR2EF29 5,5 v Uhben SMV Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2,9 v - - - 1 0,23 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
74HC74D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC74D 0,5700
RFQ
 ECAD 9491 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) D-Typ 74HC74 Kopplementär 2V ~ 6v 14-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 2 1 5,2 mA, 5,2 mA Set (voreingestellt) und Zurcksetzen 67 MHz Positiver Kante 26ns @ 6v, 50pf 2 µA 5 Pf
74HC540D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC540D 0,7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 20-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) 74HC540 - - - 3-staatn 2V ~ 6v 20-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Puffer, invertier 1 8 7,8 mA, 7,8 mA
TC74HC541AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC541AF (EL, F) 0,3286
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 20-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) 74HC541 - - - 3-staatn 2V ~ 6v 20-so-sop - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Puffer, Nicht Invertierend 1 8 7,8 mA, 7,8 mA
74LCX14FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX14ft 0,1360
RFQ
 ECAD 6426 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74lcx Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) Schmitt Trigger 74LCX14 6 1,65 V ~ 3,6 V. 14-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 Wechselrichter 24 mA, 24 mA 10 µA 1 6,5ns @ 3,3V, 50pf 0,3 V ~ 0,6 V. 1,35 V ~ 2,2 V.
7UL1T08FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1t08fu, lf 0,4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 7ul Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - - - 7ul1t08 1 2,3 V ~ 3,6 V. 5-SSOP - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Und tor 8MA, 8ma 1 µA 2 4,4ns @ 3,3V, 15PF 0,1 V ~ 0,4 V. 2,2 V ~ 2,48 V.
TA58L05S,APNQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, APNQ (m - - -
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58L05 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 ma - - - Positiv 250 Ma 5v - - - 1 0,4 V @ 200 Ma - - - Überstrom Übertemperatur
TCR2EE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE28, LM (CT 0,3700
RFQ
 ECAD 5527 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ee Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SOT-553 Tcr2ee28 5,5 v Uhben ESV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2,8 v - - - 1 0,23 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TBD62783AFNG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFNG - - -
RFQ
 ECAD 3817 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 18-LSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) - - - TBD62783 Nicht Invertierend P-Kanal 1: 1 18-SSOP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Nicht Erforderlich Ein/Aus 8 - - - HOHE SETE - - - 50 V (max) Allgemein Zweck 500 mA
TC74VHC245FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC245FK (EL, K) 0,6200
RFQ
 ECAD 7577 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC74VHC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 20-VFSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) 74VHC245 - - - 3-staatn 2v ~ 5,5 V 20-VSSOP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 Transceiver, Nicht Invertierend 1 8 8MA, 8ma
TC74VHC08F(EL,K,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC08F (El, K, F) 0,1581
RFQ
 ECAD 5332 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC74VHC Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 14-soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) - - - 74VHC08 4 2v ~ 5,5 V 14-so-sop - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Und tor 8MA, 8ma 2 µA 2 7,9ns @ 5v, 50pf - - - - - -
TB67S249FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S249ftg, El 5.4600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 48-VFQFN Exponiertes Pad TB67S249 Power MOSFET 4,75 V ~ 5,25 V. 48-vqfn (7x7) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (8) 4,5a 10V ~ 47V Bipolar - - - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TB67H410NG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H410NG 3.8200
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Allgemein Zweck K. Loch 24-sdip (0,300 ", 7,62 mm) TB67H410 Bicdmos 4,75 V ~ 5,25 V. 24-sdip Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar Tb67h410ng (o) Ear99 8542.39.0001 20 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe Parallel, pwm Halbbrücke (4) 5a 10V ~ 47V - - - Gebürstet DC - - -
TC74VCX125FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX125ftel 0,1326
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC74VCX Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 14-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) 74vcx125 - - - 3-staatn 1,2 V ~ 3,6 V. 14-tssop - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Puffer, Nicht Invertierend 4 1 24 mA, 24 mA
TMPM362F10FG(C) Toshiba Semiconductor and Storage Tmpm362f10fg (c) 8.6152
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TX03 Tablett Nicht für Designs -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-Fqfp TMPM362 144-LQFP (20x20) Herunterladen ROHS -KONFORM 3 (168 Stunden) 3A991A2 8542.31.0001 200 104 ARM® Cortex®-M3 32-Bit-Einzelkern 64 MHz EBI/EMI, I²C, Mikrowire, SiO, SPI, SSP, UART/USAArt DMA, WDT 1 MB (1m x 8) Blitz - - - 64k x 8 2,7 V ~ 3,6 V. A/D 16x10b Extern
TCR3DM25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM25, LF 0,4600
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad TCR3DM25 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 65 µA 78 µA Aktivieren Positiv 300 ma 2,5 v - - - 1 0,29 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
TCR15AG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG18, LF 0,6400
RFQ
 ECAD 2510 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR15AG Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-XFBGA, WLCSP TCR15AG18 6v Uhben 6-WCSP (1,2x0,80) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 40 µA Aktivieren Positiv 1,5a 1,8 v - - - 1 0,648 V @ 1,5a 95 dB ~ 60 dB (1 kHz) Strombegrenzung, Thermische Abschaltung, Uvlo
TCR5AM065,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM065, LF 0,1344
RFQ
 ECAD 4827 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr5am Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR5AM065 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 55 µA 68 µA Aktivieren Positiv 500 mA 0,65 v - - - 1 0,2 V @ 500 mA 70 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 10 Hz) Überstrom Übertemperatur Einer -Spannungssperrung (UVLO)
TBD62785APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62785APG 1.9800
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch 0,300 ", 7,62 mm) - - - TBD62785 Invertieren P-Kanal 1: 1 18-DIP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 20 2v ~ 50 V Ein/Aus 8 - - - HOHE SETE 1,6ohm 0V ~ 50 V Allgemein Zweck 400 ma
TA78L018AP,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP, T6F (m - - -
RFQ
 ECAD 1498 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA78L018 40V Uhben Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - - - Positiv 150 Ma 18V - - - 1 1,7 V @ 40 mA (Typ) 38 dB (120 Hz) Über Strom
TC74HC592APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC592APF - - -
RFQ
 ECAD 8519 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch 0,300 ", 7,62 mm) 74HC592 Hoch 2 V ~ 6 V 16-DIP - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 25 Binärer Zähler 1 8 Asynchron - - - 35 MHz Positiver Kante
TCR3UM30A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM30A, LF (SE 0,4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 680 na Aktuelle Grenze, Aktivieren Positiv 300 ma 3v - - - 1 0,273V @ 300 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TCR2LF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF11, LM (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2LF Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR2LF11 5,5 v Uhben SMV Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 2 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1.1V - - - 1 1,3 V @ 150 mA - - - Über Strom
TB67S279FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S279ftg, El 3.8200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 48-VFQFN Exponiertes Pad TB67S279 Power MOSFET 4,75 V ~ 5,25 V. 48-vqfn (7x7) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.39.0001 4.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 2a 10V ~ 47V Bipolar - - - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
74HC86D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC86d 0,4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) - - - 74HC86 4 2V ~ 6v 14-so-sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 XOR (exklusiv oder) 5,2 mA, 5,2 mA 1 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0,5 V ~ 1,8 V. 1,5 V ~ 4,2 V.
74VHC9541FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC9541ft 0,5100
RFQ
 ECAD 8153 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74VHC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 20-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) 74VHC9541 Schmitt Trigger 3-staatn 2v ~ 5,5 V 20-tssopb Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 Puffer, Nicht Invertierend 1 8 8MA, 8ma
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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