SIC
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Integrierte Schaltungen (ICS) (2120)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Typ Merkmale Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Strom - Verroriert Spannung - Eingang Spannung - Eingang (max) Ausgangstyp Temperaturkoeffizient Anzahl der Schaltungen SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Logikart Anzahl der Elemente Anzahl der Bits Pro Element Strom - Ausgang Hoch, Niedrig Fungion Strom - Ruhend (max) Strom - Ausgang / Kanal ANZAHL DER EINGANGE Referenztyp ANZAHL von I/O Kernprozessor Kerngrö Geschwindigkeit KonneKtivität Peripheriegeraut Programmspeichergrö Programmspeichertyp Eeprom -grö RAM -GRÖCehe Spannung - Verorgung (VCC/VDD) DATENKONVERTER Oszillatortyp Protokoll ANZAHL DER TRIBER/EMPFANGER Duplex DatEnrate Schnittstelle Taktfrequenz Anzahl der Ausgänge Spannungsversorgungsquelle TriggerTyp Max -ausbreitungsverzögerung @ V, Max Cl cl cl Strom - ruhe (IQ) Strom - Verrorane (max) Eingabekapazität Eingabelogikpegel - Niedrig Eingabelogikpegel - Hoch Schaltung Unabhängige Schaltungen Interne Schalter (en) Topologie Frequenz - Schalten Steuerfunktionen Spannung - Verrorane (max) AUSGABEKONfiguration Synchroner Gleichrichter Strom - Ausgabe Spannung - zuletzt Motortyp - Stepper Motortyp - AC, DC Schrittlösung Dimm Spannung - Verrorane (min) Spannung - Ausgang Spannung - Ausgang (Min/Fest) RAUschen - 0,1 Hz bis 10 Hz RAUschen - 10 Hz bis 10 kHz Spannung - Ausgang (max) Spannung - Eingang (min) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max) PSRR SchutzmerkMale
TCR2LF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF19, LM (CT 0,0700
RFQ
 ECAD 9139 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2LF Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR2LF19 5,5 v Uhben SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 2 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1,9 v - - - 1 0,62 V @ 150 mA - - - Über Strom
TC358860XBG(GOH) Toshiba Semiconductor and Storage TC358860XBG (GOH) 4.1715
RFQ
 ECAD 7064 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv DisplayPort Oberflächenhalterung 65-tfbga 1,04 V ~ 1,16 V, 1,1 V ~ 1,25 V, 1,71 V ~ 1,89 V. 65-TFBGA (5x5) Herunterladen 3 (168 Stunden) 264-TC358860XBG (goh) tr 1.000 I²c
TC4S11FT5LFT Toshiba Semiconductor and Storage TC4S11ft5Lft - - -
RFQ
 ECAD 9881 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC4S Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 - - - TC4S11 1 3v ~ 18V SMV Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Nand -tor 3,4 mA, 3,4 mA 1 µA 2 80ns @ 15v, 50pf 1,5 V ~ 4V 3,5 V ~ 11 V
TA58L05S(LS2DNS,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S (LS2DNS, AQ - - -
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58L05 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 ma - - - Positiv 250 Ma 5v - - - 1 0,4 V @ 200 Ma - - - Überstrom Übertemperatur
TLE4274V50 Toshiba Semiconductor and Storage TLE4274V50 - - -
RFQ
 ECAD 4781 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Rohr Aktiv TLE4274 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) TLE4274V50TS Ear99 8542.39.0001 50
TC74HC273AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC273AF (EL, F) 0,3286
RFQ
 ECAD 2363 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 20-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) D-Typ 74HC273 Nicht Invertiert 2V ~ 6v 20-so-sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 1 8 5,2 mA, 5,2 mA Zurücksetze 66 MHz Positiver Kante 25ns @ 6v, 50pf 4 µA 5 Pf
TMPM4G6F10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G6F10FG (DBB) 11.7800
RFQ
 ECAD 8616 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TX04 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP Tmpm4g6 100-LQFP (14x14) Herunterladen ROHS -KONFORM 3 (168 Stunden) 3A991A2 8542.31.0001 90 86 ARM® Cortex®-M4f 32-Bit-Einzelkern 160 MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USAArt DMA, LVD, POR, WDT 1 MB (1m x 8) Blitz 32k x 8 192k x 8 2,7 V ~ 3,6 V. A/D 16x12b; D/A 2x8b Praktikum
TA58L08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S (FJTN, AQ) - - -
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58L08 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 ma - - - Positiv 250 Ma 8v - - - 1 0,4 V @ 200 Ma - - - Überstrom Übertemperatur
TB62754AFNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB62754AFNG (O, EL) - - -
RFQ
 ECAD 6503 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TA) Hintergrundbeleuchtung Oberflächenhalterung 20-LSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) DC DC Controller TB62754 1,6 MHz 20-SSOP Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 48 Ma 6 Ja Strop-up (Boost) 5,5 v PWM 4,5 v - - -
TC4584BF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC4584BF (El, N, F) 0,7600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 4000b Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 14-soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) Schmitt Trigger TC4584 6 3v ~ 18V 14-so-sop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Wechselrichter 3,4 mA, 3,4 mA 4 µA 1 120ns @ 15v, 50pf 1,25 V ~ 3,4 V. 3,75 V ~ 11,6 V.
TC7W241FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W241Fute12LF 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7W Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-TSSOP, 8-MSOP (0,110 ", 2.80 mm Breit) TC7W241 - - - 3-staatn 2V ~ 6v 8-SSOP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Puffer, Nicht Invertierend 2 1 7,8 mA, 7,8 mA
TB7101AF(T5L1.5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF (T5L1.5, F) - - -
RFQ
 ECAD 1113 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei TB7101 5,5 v Uhben PS-8 (2,9x2,4) - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Abfahre 1 Bock 1MHz Positiv Ja 1a 1,5 v - - - 2,7 v
TMPM330FDFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage Tmpm330fdfg (c) 5.0908
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TX03 Tablett Aktiv -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP TMPM330 100-LQFP (14x14) Herunterladen ROHS -KONFORM 3 (168 Stunden) 3A991A2 8542.31.0001 200 79 ARM® Cortex®-M3 32-Bit-Einzelkern 40 MHz I²C, SiO, UART/USAArt Por, wdt 512KB (512K x 8) Blitz - - - 32k x 8 2,7 V ~ 3,6 V. A/D 12x10b Extern
TA76432S(T6MURATFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S (T6MURATFM - - -
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet - - - -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA76432 - - - - - - - - - - - - Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) TA76432ST6MURATFM Ear99 8542.39.0001 1 - - - - - - - - - - - -
TCR2EN10,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2en10, lf 0,0798
RFQ
 ECAD 5878 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2en Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xfdfn exponiert Pad Tcr2en10 5,5 v Uhben 4-SDFN (0,8 x 0,8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1V - - - 1 0,75 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TB62D612FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb62d612ftg, el 4.6400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - Oberflächenhalterung 36-WFQFN Exponiertes Pad Linear TB62D612 - - - 36-WQFN (6x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.39.0001 4.000 40 ma 24 Ja - - - 5,5 v Analog, I²C, PWM 3v 4V
TCV7113F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7113F (TE12L, Q) - - -
RFQ
 ECAD 4470 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn TCV71 5.6 v Einstellbar 8-fuß-äharsch (5x5) - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Abfahre 1 Bock 1MHz Positiv Ja 6a 0,8 v 5.6 v 2,7 v
TCR2EE115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE115, LM (CT 0,0618
RFQ
 ECAD 7361 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ee Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SOT-553 Tcr2ee115 5,5 v Uhben ESV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1,15 V - - - 1 0,67 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TA58L12S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S, Q (j - - -
RFQ
 ECAD 8687 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58L12 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1,2 Ma 50 ma - - - Positiv 250 Ma 12V - - - 1 0,4 V @ 200 Ma - - - Überstrom Übertemperatur
TCR3UG30A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG30A, LF 0,4700
RFQ
 ECAD 4472 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3ug Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-XFBGA, WLCSP TCR3ug30 5,5 v Uhben 4-WCSP-F (0,65 x 0,65) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 680 na Aktivieren Positiv 300 ma 3v - - - 1 0,273V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Stromstrom über Strom, Thermische Abschaltdown
TB62212FTAG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62212ftag, C8, El 2.9200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 48-VFQFN Exponiertes Pad TB62212 Power MOSFET 4,5 V ~ 5,5 V. 48-QFN (7x7) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.39.0001 2.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (8) 2a 10 V ~ 38 V Bipolar Gebürstet DC - - -
TCR2EN35,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2en35, LF (se 0,3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xfdfn exponiert Pad 5,5 v Uhben 4-SDFN (0,8 x 0,8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 3,5 v - - - 1 0,18 V @ 150 mA - - - Über Strom
TA58M08S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S (FJTN, QM) - - -
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58M08 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - - - Positiv 500 mA 8v - - - 1 0,65 V @ 500 mA - - - Überstrom, über Temperatur, Umgekehrte Polarität
TC7WBD125AFKT5LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WBD125AFKT5LF - - -
RFQ
 ECAD 6276 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7WB Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-VFSOP (0,091 ", 2,30 mm Breit) Bussschalter TC7WBD125 4,5 V ~ 5,5 V. 8-SSOP Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 - - - Einzelversorgung 1 x 1: 1 2
TA58L06S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S, SUMISQ (m - - -
RFQ
 ECAD 2351 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58L06 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 ma - - - Positiv 250 Ma 6v - - - 1 0,4 V @ 200 Ma - - - Überstrom Übertemperatur
TC7SZ38F(T5L,JF,T) Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ38F (T5L, JF, T) - - -
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7SZ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 Offene Abfluss 7SZ38 1 1,65 V ~ 5,5 V. SMV Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Nand -tor -, 32 ma 2 µA 2 4,3ns @ 5v, 50pf - - - - - -
TCR2EE33,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EEEE33, LM - - -
RFQ
 ECAD 7137 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ee Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SOT-553 Tcr2eeee33 5,5 v Uhben ESV Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 3.3 v - - - 1 0,2 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TCR2EN28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2en28, lf (se 0,3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xfdfn exponiert Pad 5,5 v Uhben 4-SDFN (0,8 x 0,8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2,8 v - - - 1 0,21 V @ 150 mA - - - Über Strom
TC74LCX157FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX157ftelm - - -
RFQ
 ECAD 6081 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74lcx Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 16-tssop (0,173 ", 4,40 mm Breit) Multiplexer 74LCX157 1,65 V ~ 3,6 V. 16-tssop - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 24 mA, 24 mA Einzelversorgung 4 x 2: 1 1
TD62783AFG,S,EL Toshiba Semiconductor and Storage Td62783afg, s, el - - -
RFQ
 ECAD 1031 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 18-Soic (0,276 ", 7,00 mm Breit) Treiber TD62783 5v 18-Sop Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 40 - - - 8/0 - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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