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Integrierte Schaltkreise (ICs)(2120)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Betriebstemperatur	Anwendungen	Montageart	Paket/Koffer	Typ	Merkmale	Basisproduktnummer	Technologie	Strom – Versorgung	Spannung – Eingang	Spannung – Eingang (max.)	Ausgabetyp	Temperaturkoeffizient	Anzahl der Stromkreise	Spannung - Versorgung	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Logiktyp	Anzahl der Elemente	Anzahl der Bits pro Element	Strom – Ausgang hoch, niedrig	Funktion	Spannung – Versorgung, Single/Dual (±)	Spannung – Eingangsoffset (max.)	Strom – Eingangsvorspannung (max.)	Strom - Ausgang (Typ)	Aktuell – Ruhezustand (max.)	CMRR, PSRR (Typ)	Ausbreitungsverzögerung (max.)	Hysterese	Anzahl der Eingänge	Referenztyp	Anzahl der E/A	Kernprozessor	Kerngröße	Geschwindigkeit	Konnektivität	Peripheriegeräte	Programmspeichergröße	Programmspeichertyp	EEPROM-Größe	RAM-Größe	Spannung – Versorgung (Vcc/Vdd)	Datenkonverter	Oszillatortyp	Protokoll	Anzahl der Treiber/Empfänger	Duplex	Datenrate	Schnittstelle	Taktfrequenz	Triggertyp	Max. Ausbreitungsverzögerung bei V, max. CL	Strom – Ruhezustand (Iq)	Strom – Versorgung (max.)	Eingangskapazität	Eingangslogikpegel – Niedrig	Eingangslogikpegel – Hoch	Steuerfunktionen	Ausgabekonfiguration	Erfassungsmethode	Genauigkeit	Strom – Ausgang	Spannung – Zuletzt	Motortyp: Schrittmotor	Motortyp – Wechselstrom, Gleichstrom	Schrittauflösung	Spannung – Ausgang (Min./Fest)	Rauschen – 0,1 Hz bis 10 Hz	Rauschen – 10 Hz bis 10 kHz	Spannung – Ausgang (max.)	Anzahl der Regulierungsbehörden	Spannungsabfall (max.)	PSRR	Schutzfunktionen
TC7SET04FU,LJ(CT	0,3300	Anfrage	28	Toshiba Semiconductor und Storage	TC7SET	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		-	7SET04							1	4,5 V ~ 5,5 V	5-SSOP	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	3.000	Wechselrichter			8mA, 8mA						2 µA				1																						10,5 ns bei 5 V, 50 pF				0,8V	2V
74HC574D	0,7600	Anfrage	3	Toshiba Semiconductor und Storage	74HC	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C (TA)		Oberflächenmontage	20-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite)	D-Typ		74HC574					Tri-State, nicht invertiert			2V ~ 6V	20-SOIC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	2.000		1	8	7,8mA, 7,8mA	Standard																													59 MHz	Positive Kante	33 ns bei 6 V, 150 pF	4 µA		5 pF
TA76432AS,T6F(J	-	Anfrage	3225	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet	-	-40°C ~ 85°C		Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 Langkörper			TA76432		-	-		-	-			LSTM	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	1															-																																				-	-	-
TA78L005AP,T6WNF(J	-	Anfrage	9553	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet		-30°C ~ 85°C		Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 Langkörper			TA78L005				35V	Behoben				LSTM	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	1																																					6mA					-	Positiv			150mA					5V			-	1	1,7 V bei 40 mA (typisch)	49 dB (120 Hz)	-
TCR3UF28A,LM(CT	0,4100	Anfrage	5	Toshiba Semiconductor und Storage	TCR3UF	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	SC-74A, SOT-753			TCR3UF28				5,5V	Behoben				SMV	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	3.000																																					680 nA					Aktivieren	Positiv			300mA					2,8V			-	1	0,342 V bei 300 mA	70 dB (1 kHz)	Überstrom, Übertemperatur
TC75W59FU,LF	0,5800	Anfrage	330	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	8-TSSOP, 8-MSOP (0,110", 2,80 mm Breite)	Allgemeiner Zweck		TC75W59					Abfluss öffnen				8-SSOP	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	3.000		2				1,8 V ~ 7 V, ±0,9 V ~ 3,5 V	7 mV bei 5 V	1 pA bei 5 V	25mA	220µA	-	200ns	-
TCR3DF335,LM(CT	0,4900	Anfrage	2885	Toshiba Semiconductor und Storage	TCR3DF	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	SC-74A, SOT-753			TCR3DF335				5,5V	Behoben				SMV	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	3.000																																										Aktivieren	Positiv			300mA					3,35 V			-	1	0,25 V bei 300 mA	70 dB (1 kHz)	Einschaltstrom, Überstrom, Übertemperatur
TA78L008AP,F(J	-	Anfrage	2729	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet		-30°C ~ 85°C		Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 Langkörper			TA78L008				35V	Behoben				LSTM	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	1																																					6,5mA					-	Positiv			150mA					8V			-	1	1,7 V bei 40 mA (typisch)	45 dB (120 Hz)	Überstrom
TCR2EF20,LM(CT	0,3300	Anfrage	8680	Toshiba Semiconductor und Storage	TCR2EF	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	SC-74A, SOT-753			TCR2EF20				5,5V	Behoben				SMV	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	3.000																																					60 µA					Aktivieren	Positiv			200mA					2V			-	1	0,31 V bei 150 mA	73 dB (1 kHz)	Überstrom
TD62083AFNG,N	-	Anfrage	6864	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Rohr	Veraltet		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	18-LSSOP (0,173", 4,40 mm Breite)	Treiber		TD62083								5V	18-SSOP	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	60																													-	8/0	-	-
TB9120AFTG(EL)	4.0100	Anfrage	1	Toshiba Semiconductor und Storage	Automobil, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 125°C (TA)	Automobil	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke	28-VQFN freiliegendes Pad			TB9120	NMOS, PMOS							4,5 V ~ 7 V, 7 V ~ 18 V	28-VQFN (6x6)	-		3 (168 Stunden)		EAR99	8542.39.0001	2.000					Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe																												Parallel, PWM										Vortreiber – Halbbrücke (4)			2,5A	-	Bipolar	Gebürsteter DC	1, 1/2, 1/8, 1/16, 1/32
TCR2DG14,LF	0,1394	Anfrage	7900	Toshiba Semiconductor und Storage	TCR2DG	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	4-UFBGA, WLCSP							5,5V	Behoben				4-WCSP (0,79 x 0,79)	herunterladen	ROHS3-konform			EAR99	8542.39.0001	3.000																																					70 µA					Aktivieren	Positiv			200mA					1,4V			-	1	0,6 V bei 100 mA	-	Überstrom, Übertemperatur
TCKE805NL,RF	1.5200	Anfrage	8	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C (TA)		Oberflächenmontage	10-WFDFN freiliegendes Pad			TCKE805			4,4 V ~ 18 V						10-WSONB (3x3)	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	4.000					Elektronische Sicherung																																							-	-	5A
TCR3UM33A,LF(SE	0,4700	Anfrage	21	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	4-UDFN freiliegendes Pad							5,5V	Behoben				4-DFN (1x1)	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	10.000																																					680 nA					Strombegrenzung, Aktivieren	Positiv			300mA					3,3 V			-	1	0,273 V bei 300 mA	-	Überstrom, Übertemperatur
TCR2LN18,LSF(SE	0,3800	Anfrage	4	Toshiba Semiconductor und Storage	TCR2LN	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C (TJ)		Oberflächenmontage	4-XFDFN freiliegendes Pad							5,5V	Behoben				4-SDFN (0,8 x 0,8)	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	264-TCR2LN18LSF(SETR	EAR99	8542.39.0001	10.000																																					2 µA					Aktivieren	Positiv			200mA					1,8V			-	1	0,6 V bei 150 mA	-	Überstrom
TC7SH08F,LJ	0,2300	Anfrage	2	Toshiba Semiconductor und Storage	TC7SH	Tape & Reel (TR)	Veraltet		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	SC-74A, SOT-753		-	7SH08							1	2V ~ 5,5V	SMV	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	3.000	UND Tor			8mA, 8mA						2 µA				2																						7,9 ns bei 5 V, 50 pF				0,5V	1,5V
TCR2EF13,LM(CT	0,4200	Anfrage	60	Toshiba Semiconductor und Storage	TCR2EF	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	SC-74A, SOT-753			TCR2EF13				5,5V	Behoben				SMV	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	3.000																																					60 µA					Aktivieren	Positiv			200mA					1,3V			-	1	0,47 V bei 150 mA	73 dB (1 kHz)	Überstrom
TMP19A43FDXBG	13.5910	Anfrage	7080	Toshiba Semiconductor und Storage	TX19	Tablett	Nicht für neue Designs		-20°C ~ 85°C (TA)		Oberflächenmontage	193-FBGA			TMP19										-	RoHS-konform	3 (168 Stunden)		3A991A2	8542.31.0001	168																143	TX19A	16/32-Bit	40 MHz	EBI/EMI, I²C, UART/USART	DMA, WDT	512 KB (512 KB x 8)	BLITZ	-	24K x 8	1,35 V ~ 3,6 V	A/D 16x10b; D/A 2x8b	Extern
TCR2DG28,LF	0,5000	Anfrage	9976	Toshiba Semiconductor und Storage	TCR2DG	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	4-UFBGA, WLCSP			TCR2DG28				5,5V	Behoben				4-WCSP (0,79 x 0,79)	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	3.000																																					70 µA					-	Positiv			200mA					2,8V			-	1	0,12 V bei 100 mA	-	Einschaltstrom, Überstrom, thermische Abschaltung
TC7S04FU,LF	0,4400	Anfrage	992	Toshiba Semiconductor und Storage	TC7S	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		-	7S04							1	2V ~ 6V	5-SSOP	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	3.000	Wechselrichter			2,6mA, 2,6mA						1 µA				1																						17 ns bei 6 V, 50 pF				0,5 V ~ 1,8 V	1,5 V ~ 4,2 V
TMPM3HNFDADFG	7.1800	Anfrage	6936	Toshiba Semiconductor und Storage	TXZ+	Tablett	Aktiv		-40 °C ~ 105 °C		Oberflächenmontage	100-BQFP												100-QFP (14x20)	-	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	264-TMPM3HNFDADFG			90																93	ARM® Cortex®-M3	32-Bit	120 MHz	I²C, SPI, UART/USART	DMA, LVD, Motorsteuerung PWM, POR, WDT	512 KB (512 KB x 8)	BLITZ	32K x 8	64K x 8	2,7 V ~ 5,5 V	A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b	Extern, Praktikant
TCR2LE115,LM(CT	0,0742	Anfrage	6644	Toshiba Semiconductor und Storage	TCR2LE	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C (TJ)		Oberflächenmontage	SOT-553							5,5V	Behoben				ESV	herunterladen	ROHS3-konform			EAR99	8542.39.0001	4.000																																					2 µA					Aktivieren	Positiv			200mA					1,15 V			-	1	1,3 V bei 150 mA	-	Überstrom
TCR2EN285,LF(SE	0,3800	Anfrage	9	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	4-XFDFN freiliegendes Pad							5,5V	Behoben				4-SDFN (0,8 x 0,8)	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	10.000																																					60 µA					Aktivieren	Positiv			200mA					2,85 V			-	1	0,21 V bei 150 mA	-	Überstrom
TCR8BM095A,L3F	0,4600	Anfrage	10	Toshiba Semiconductor und Storage	TCR8BM	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	4-XDFN freiliegendes Pad							5,5V	Behoben				5-DFNB (1,2x1,2)	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	5.000																																					36 µA					Strombegrenzung, Aktivieren	Positiv			800mA					0,95 V			-	1	0,225 V bei 800 mA	-	Überstrom-, Übertemperatur- und Unterspannungssperre (UVLO)
TCR2LN285,LF	-	Anfrage	5637	Toshiba Semiconductor und Storage	TCR2LN	Tape & Reel (TR)	Veraltet		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	4-XFDFN freiliegendes Pad			TCR2LN285				5,5V	Behoben				4-SDFN (0,8 x 0,8)	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	10.000																																					2 µA					Aktivieren	Positiv			200mA					2,85 V			-	1	0,36 V bei 150 mA	-	Überstrom
TC4001BFTEL	0,1309	Anfrage	8549	Toshiba Semiconductor und Storage	4000B	Tape & Reel (TR)	Nicht für neue Designs		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	14-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite)		-	TC4001							4	3V ~ 18V	14-SOP	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	2.000	NOR-Tor			3,4mA, 3,4mA						1 µA				2																						80 ns bei 15 V, 50 pF				1,5 V ~ 4 V	3,5 V ~ 11 V
TCR2LN25,LF(SE	0,3800	Anfrage	10	Toshiba Semiconductor und Storage	TCR2LN	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C (TJ)		Oberflächenmontage	4-XFDFN freiliegendes Pad							5,5V	Behoben				4-SDFN (0,8 x 0,8)	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	10.000																																					2 µA					Aktivieren	Positiv			200mA					2,5V			-	1	0,36 V bei 150 mA	-	Überstrom
TC7WH00FK,LJ(CT	0,0871	Anfrage	7043	Toshiba Semiconductor und Storage	TC7WH	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40 °C ~ 125 °C		Oberflächenmontage	8-VFSOP (0,091", 2,30 mm Breite)		-	7WH00							2	2V ~ 5,5V	8-SSOP	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	TC7WH00FKLJ(CT	EAR99	8542.39.0001	3.000	NAND-Gate			8mA, 8mA						2 µA				4																						7,5 ns bei 5 V, 50 pF				-	-
TAR5S33UTE85LF	0,5000	Anfrage	27	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv		-40°C ~ 85°C		Oberflächenmontage	6-SMD (5 Anschlüsse), Flachanschluss			TAR5S33				15V	Behoben				UFV	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	3.000																																					850 µA					Aktivieren	Positiv			200mA					3,3 V			-	1	0,2 V bei 50 mA	70 dB (1 kHz)	Überstrom, Übertemperatur
TA58L06S,Q(J	-	Anfrage	5930	Toshiba Semiconductor und Storage	-	Schüttgut	Veraltet		-40 °C ~ 105 °C		Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket			TA58L06				29V	Behoben				TO-220NIS	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8542.39.0001	1																																					1mA	50mA				-	Positiv			250mA					6V			-	1	0,4 V bei 200 mA	-	Überstrom, Übertemperatur