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Integrierte Schaltungen (ICS) (2120)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Typ Merkmale Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Strom - Verroriert Spannung - Eingang (max) Ausgangstyp Richtung Anzahl der Schaltungen Verhöltnis - Eingang: Ausgang SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Eccn Htsus Standardpaket Logikart Anzahl der Elemente Anzahl der Bits Pro Element Strom - Ausgang Hoch, Niedrig Fungion Strom - Ruhend (max) Schwindelrate Strom - Ausgang / Kanal Verstärkerentyp Strom - Eingangsverzerrung Spannung - Eingangversatz Spannung - Verorgungsspanne (min) Spannung - Verorgungsspanne (max) ANZAHL DER EINGANGE ANZAHL von I/O Kernprozessor Kerngrö Geschwindigkeit KonneKtivität Peripheriegeraut Programmspeichergrö Programmspeichertyp Eeprom -grö RAM -GRÖCehe Spannung - Verorgung (VCC/VDD) DATENKONVERTER Oszillatortyp Protokoll ANZAHL DER TRIBER/EMPFANGER Duplex DatEnrate Schnittstelle Taktfrequenz Anzahl der Ausgänge Zurücksetze Timing Zählrate TriggerTyp Max -ausbreitungsverzögerung @ V, Max Cl cl cl Strom - ruhe (IQ) Strom - Verrorane (max) Eingabekapazität Eingabelogikpegel - Niedrig Eingabelogikpegel - Hoch Interne Schalter (en) Topologie Fehmlerschutz Steuerfunktionen Spannung - Verrorane (max) AUSGABEKONfiguration Strom - Ausgabe RDS AUF (Typ) Spannung - zuletzt Motortyp - Stepper Motortyp - AC, DC Schrittlösung Dimm Spannung - Verrorane (min) Spannung - Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (max) Spannung - Ausgang (Min/Fest) Spannung - Ausgang (max) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max) PSRR SchutzmerkMale
TC7PZ17FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage Tc7pz17fu, LJ (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tc7pz Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TC7PZ17 Schmitt Trigger Push-Pull 1,65 V ~ 5,5 V. US6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Puffer, Nicht Invertierend 2 1 32ma, 32 ma
TCR3DM36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM36, LF 0,0926
RFQ
 ECAD 8010 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3dm Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad TCR3DM36 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 65 µA 78 µA Aktivieren Positiv 300 ma 3.6 V - - - 1 0,2 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
TC74HC592APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC592APF - - -
RFQ
 ECAD 8519 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch 0,300 ", 7,62 mm) 74HC592 Hoch 2 V ~ 6 V 16-DIP - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 25 Binärer Zähler 1 8 Asynchron - - - 35 MHz Positiver Kante
TB67S279FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S279ftg, El 3.8200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 48-VFQFN Exponiertes Pad TB67S279 Power MOSFET 4,75 V ~ 5,25 V. 48-vqfn (7x7) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.39.0001 4.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 2a 10V ~ 47V Bipolar - - - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TCR3UM30A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM30A, LF (SE 0,4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 680 na Aktuelle Grenze, Aktivieren Positiv 300 ma 3v - - - 1 0,273V @ 300 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TCR2LF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF11, LM (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2LF Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR2LF11 5,5 v Uhben SMV Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 2 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1.1V - - - 1 1,3 V @ 150 mA - - - Über Strom
TA78L018AP,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP, T6F (m - - -
RFQ
 ECAD 1498 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA78L018 40V Uhben Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - - - Positiv 150 Ma 18V - - - 1 1,7 V @ 40 mA (Typ) 38 dB (120 Hz) Über Strom
TCR15AG09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG09, LF 0,2294
RFQ
 ECAD 7309 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR15AG Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-XFBGA, WLCSP TCR15AG09 6v Uhben 6-WCSP (1,2x0,80) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 40 µA Aktivieren Positiv 1,5a 0,9 v - - - 1 0,216 V @ 1,5a 95 dB ~ 60 dB (1 kHz) Strombegrenzung, Thermische Abschaltung, Uvlo
TD62064AFG,S,EL Toshiba Semiconductor and Storage TD62064AFG, S, El - - -
RFQ
 ECAD 6102 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 16-BSOP (0,252 ", 6,40 mm Breit) + 2 Wärmelaschen Treiber TD62064 5v 16-hsop Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1.500 - - - 4/0 - - - - - -
TC7SZ08F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ08F, LJ (CT 0,3700
RFQ
 ECAD 4844 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TC7SZ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 - - - 7SZ08 1 1,8 V ~ 5,5 V. SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Und tor 32ma, 32 ma 2 µA 2 4,5ns @ 5v, 50pf - - - - - -
TB62747AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG, C8, El 1.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) LED -Beleiltung Oberflächenhalterung 0,236 ", 6,00 mm Breit) Linear TB62747 - - - 24-SSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 2.000 45 ma 16 Ja Schichtregister 5,5 v - - - 3v 26v
TCR5BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM12A, L3F 0,4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR5BM Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR5BM12 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 36 µA Aktuelle Grenze, Aktivieren Positiv 500 mA 1,2 v - - - 1 0,15 V @ 500 mA 98 dB (1KHz) Überstrom Übertemperatur
74HC540D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC540D 0,7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 20-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) 74HC540 - - - 3-staatn 2V ~ 6v 20-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Puffer, invertier 1 8 7,8 mA, 7,8 mA
74HC74D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC74D 0,5700
RFQ
 ECAD 9491 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) D-Typ 74HC74 Kopplementär 2V ~ 6v 14-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 2 1 5,2 mA, 5,2 mA Set (voreingestellt) und Zurcksetzen 67 MHz Positiver Kante 26ns @ 6v, 50pf 2 µA 5 Pf
7UL1T08FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1t08fu, lf 0,4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 7ul Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - - - 7ul1t08 1 2,3 V ~ 3,6 V. 5-SSOP - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Und tor 8MA, 8ma 1 µA 2 4,4ns @ 3,3V, 15PF 0,1 V ~ 0,4 V. 2,2 V ~ 2,48 V.
TA58L05S,APNQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, APNQ (m - - -
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58L05 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 ma - - - Positiv 250 Ma 5v - - - 1 0,4 V @ 200 Ma - - - Überstrom Übertemperatur
TC74HC541AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC541AF (EL, F) 0,3286
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 20-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) 74HC541 - - - 3-staatn 2V ~ 6v 20-so-sop - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Puffer, Nicht Invertierend 1 8 7,8 mA, 7,8 mA
TCR2EE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE28, LM (CT 0,3700
RFQ
 ECAD 5527 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ee Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SOT-553 Tcr2ee28 5,5 v Uhben ESV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2,8 v - - - 1 0,23 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TMPM4G8FDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G8FDFG (DBB) 11.7800
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TX04 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP Tmpm4g8 100-LQFP (14x14) Herunterladen ROHS -KONFORM 3 (168 Stunden) 3A991A2 8542.31.0001 60 122 ARM® Cortex®-M4f 32-Bit-Einzelkern 160 MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USAArt DMA, LVD, POR, WDT 512KB (512K x 8) Blitz 32k x 8 128k x 8 2,7 V ~ 3,6 V. A/D 24x12b; D/A 2x8b Praktikum
TCR3DF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF36, LM (CT 0,0906
RFQ
 ECAD 5767 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR3DF Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 5,5 v Uhben SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 3.000 Aktivieren Positiv 300 ma 3.6 V - - - 1 0,22 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
74HC86D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC86d 0,4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HC Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) - - - 74HC86 4 2V ~ 6v 14-so-sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 XOR (exklusiv oder) 5,2 mA, 5,2 mA 1 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0,5 V ~ 1,8 V. 1,5 V ~ 4,2 V.
TCR3UM12A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM12A, LF (SE 0,4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 580 na Aktuelle Grenze, Aktivieren Positiv 300 ma 1,2 v - - - 1 0,857 V @ 300 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TCR4S15WBG,LF(S Toshiba Semiconductor and Storage TCR4S15WBG, LF (s - - -
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR4S Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-Ufbga, WLCSP TCR4S15 6v Uhben 4-WCSP (0,79 x 0,79) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 75 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1,5 v - - - 1 0,35 V @ 50 Ma 80 dB (1 kHz) Über Strom
TCK2065G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK2065G, LF 0,4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 6-UFBGA, WLCSP Letztes TCK2065 Nicht Invertierend P-Kanal 1: 1 6-WCSPE (0,80 x 1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 Nicht Erforderlich Ein/Aus 1 Strombegrenzung (Fest), Übertemperatur, Rückstrom, UVLO HOHE SETE 31mohm 1,4 V ~ 5,5 V. Allgemein Zweck 1.11a
TCR2DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG285, LF 0,1394
RFQ
 ECAD 7114 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2DG Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-Ufbga, WLCSP 5,5 v Uhben 4-WCSP (0,79 x 0,79) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 3.000 70 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2,85 v - - - 1 0,12 V @ 100 mA - - - Überstrom Übertemperatur
74HCT00D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT00D - - -
RFQ
 ECAD 3307 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung 74HCT Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm Breit) - - - 74HCT00 4 4,5 V ~ 5,5 V. 14-soic - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 Nand -tor 4ma, 4ma 1 µA 2 17ns @ 5,5V, 50pf 0,8 v 2V
TC75S55FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S55FU (TE85L, F) 0,4600
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 TC75S55 10 µA - - - 1 5-SSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.33.0001 3.000 0,7 V/µs 700 µA Allgemein Zweck 1 pa 2 mv 1,8 v 7 v
TB6549FG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage Tb6549fg (o, el) - - -
RFQ
 ECAD 1126 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 0,346 ", 8,80 mm Breit) + 2 Wärmelaschen TB6549 Bi-CMOs 10V ~ 27V 20-hsop Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe PWM, Serie Halbbrücke (2) 3.5a 10V ~ 27V - - - Gebürstet DC - - -
TCR2LN30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN30, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ln Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-xfdfn exponiert Pad 5,5 v Uhben 4-SDFN (0,8 x 0,8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200 ma 3v - - - 1 0,28 V @ 150 mA - - - Über Strom
TCR3RM285A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM285A, LF - - -
RFQ
 ECAD 9125 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3rm Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR3RM285 5,5 v Uhben 4-DFNC (1x1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 - - - Positiv 300 ma 2,85 v - - - 1 0,13 V @ 300 mA 1 kHz (100 dB) Überstrom Übertemperatur
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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