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Integrierte Schaltkreise (ICs)(2120)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Toleranz Betriebstemperatur Anwendungen Montageart Paket/Koffer Typ Merkmale Basisproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Strom – Versorgung Spannung – Eingang Spannung – Eingang (max.) Ausgabetyp Temperaturkoeffizient Anzahl der Stromkreise Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Logiktyp Anzahl der Elemente Anzahl der Bits pro Element Strom – Ausgang hoch, niedrig Funktion Aktuell – Ruhezustand (max.) Strom – Ausgang/Kanal Anzahl der Eingänge Referenztyp Schnittstelle Anzahl der Ausgänge Spannungsversorgungsquelle Max. Ausbreitungsverzögerung bei V, max. CL Strom – Ruhezustand (Iq) Strom – Versorgung (max.) Eingangslogikpegel – Niedrig Eingangslogikpegel – Hoch Schaltung Unabhängige Schaltkreise Verzögerungszeit – Ausbreitung Interner Schalter Topologie Steuerfunktionen Spannung – Versorgung (max.) Ausgabekonfiguration Erfassungsmethode Genauigkeit Strom – Ausgang Spannung – Zuletzt Motortyp: Schrittmotor Motortyp – Wechselstrom, Gleichstrom Schrittauflösung Dimmen Spannung – Versorgung (Min.) Spannung – Ausgang Spannung – Ausgang (Min./Fest) Rauschen – 0,1 Hz bis 10 Hz Rauschen – 10 Hz bis 10 kHz Spannung – Ausgang (max.) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max.) PSRR Schutzfunktionen
TCR2LN32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32,LF 0,0896
Anfrage
 ECAD 9032 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LN Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad TCR2LN32 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 3,2V - 1 0,28 V bei 150 mA - Überstrom
TCR2LE19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE19,LM(CT 0,4000
Anfrage
 ECAD 9367 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-553 TCR2LE19 5,5V Behoben ESV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,9V - 1 0,62 V bei 150 mA - Überstrom
TCR2LN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN105,LF(SE 0,3800
Anfrage
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LN Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,05 V - 1 1,38 V bei 150 mA - Überstrom
KIA78DL05PI Toshiba Semiconductor and Storage KIA78DL05PI -
Anfrage
 ECAD 3058 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Rohr Aktiv KIA78 - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 50
TCR3DF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF10,LM(CT 0,0906
Anfrage
 ECAD 6534 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3DF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR3DF10 5,5V Behoben SMV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 65 µA 78 µA Aktivieren Positiv 300mA 1V - 1 0,77 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TA58M06S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S,Q(J -
Anfrage
 ECAD 2343 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 105 °C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TA58M06 29V Behoben TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 1mA 80mA - Positiv 500mA 6V - 1 0,65 V bei 500 mA - Überstrom, Übertemperatur, Verpolung
TB6575FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6575FNG,C,8,EL 2.9800
Anfrage
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -30°C ~ 105°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 24-LSSOP (0,220", 5,60 mm Breite) TB6575 CMOS 4,5 V ~ 5,5 V 24-SSOP herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.31.0001 2.000 Controller – Kommutierung, Richtungsmanagement Parallel Vortreiber – Halbbrücke (3) - - - Bürstenloser Gleichstrom (BLDC) -
TC74HC573AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC573AF(EL,F) 0,3286
Anfrage
 ECAD 2868 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage 74HC Tape & Reel (TR) Nicht für neue Designs -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 20-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) 74HC573 Dreistaat 2V ~ 6V 20-SOP - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 D-Typ-Verriegelung 7,8mA, 7,8mA 8:8 1 17ns
TC78H610FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H610FNG,EL 0,7509
Anfrage
 ECAD 6522 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 16-LSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) TC78H610 DMOS 2,7 V ~ 5,5 V 16-SSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (2) 800mA 2,5 V ~ 15 V - Gebürsteter DC -
TA76431S,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S,T6MURAF(J -
Anfrage
 ECAD 3381 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA76431 - Einstellbar LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 - Positiv - 2.495 V 36V 1 - - -
TCR2EE19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE19,LM(CT 0,0680
Anfrage
 ECAD 4290 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2EE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-553 5,5V Behoben ESV herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,9V - 1 0,31 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TB67H451AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451AFNG,EL 1.5300
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite) freiliegendes Pad TB67H451 BiCDMOS - 8-HSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) 264-TB67H451AFNGELCT EAR99 8542.39.0001 3.500 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe PWM Vortreiber – Halbbrücke 3,5A 4,5 V ~ 44 V Bipolar Gebürsteter DC -
TCR5AM105A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM105A,LF 0,1344
Anfrage
 ECAD 5403 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR5AM Tape & Reel (TR) Nicht für neue Designs -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XDFN freiliegendes Pad TCR5AM105 5,5V Behoben 5-DFNB (1,2x1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 55 µA Aktivieren Positiv 500mA 1,05 V - 1 0,25 V bei 500 mA 70 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 10 Hz) Überstrom-, Übertemperatur- und Unterspannungssperre
TCA62724FMG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TCA62724FMG,EL -
Anfrage
 ECAD 7458 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schnittband (CT) Veraltet -40°C ~ 85°C (TA) Hintergrundbeleuchtung Oberflächenmontage 10-SMD, Flachanschluss Linear TCA62724 - 10-SÖHNE (3x3) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 150mA 3 Ja - 5,5V PWM 2,8V -
TCR8BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM105A,L3F 0,4600
Anfrage
 ECAD 6505 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR8BM Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XDFN freiliegendes Pad TCR8BM105 5,5V Behoben 5-DFNB (1,2x1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 36 µA Aktivieren Positiv 800mA 1,05 V - 1 0,24 V bei 800 mA 98 dB (1 kHz) Überstrom-, Übertemperatur- und Unterspannungssperre
TA58M06S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S,SUMISQ(M -
Anfrage
 ECAD 6473 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 105 °C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TA58M06 29V Behoben TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 1mA 80mA - Positiv 500mA 6V - 1 0,65 V bei 500 mA - Überstrom, Übertemperatur, Verpolung
TA76L431S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S,Q(J -
Anfrage
 ECAD 9072 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet - -40°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA76L431 - - - - LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
74VHC238FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC238FT 0,1094
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 125°C (TA) Oberflächenmontage 16-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) Decoder 74VHC238 2V ~ 5,5V 16-TSSOPB herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) 264-74VHC238FTTR 2.500 8mA, 8mA Einzelversorgung 1 x 3:8 1
TC7SHU04FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage TC7SHU04FE,LM -
Anfrage
 ECAD 8952 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TC7SHU Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-553 - 7SHU04 1 2V ~ 5,5V ESV - 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 Wechselrichter 8mA, 8mA 2 µA 1 7 ns bei 5 V, 50 pF 0,3V 1,7V
TCR5BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10,L3F 0,4900
Anfrage
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR5BM Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XDFN freiliegendes Pad TCR5BM10 5,5V Behoben 5-DFNB (1,2x1,2) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 36 µA Aktivieren Positiv 500mA 1V - 1 0,135 V bei 500 mA 98 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCR3DG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG11,LF 0,3900
Anfrage
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3DG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFBGA, CSPBGA TCR3DG11 5,5V Behoben 4-WCSPE (0,65 x 0,65) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Aktivieren Positiv 300mA 1,1 V - 1 0,65 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Einschaltstrom, Überstrom, Übertemperatur
TC7MPB9327FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MPB9327FT(EL) 0,2076
Anfrage
 ECAD 4376 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TC7MP Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 14-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) Busschalter TC7MPB9327 1,65 V ~ 5 V, 2,3 V ~ 5,5 V 14-TSSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 - Doppelte Versorgung 2 x 1:2 1
TA78L009AP,APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP,APNF(M -
Anfrage
 ECAD 9174 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -30°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA78L009 35V Behoben LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 6,5mA - Positiv 150mA 9V - 1 1,7 V bei 40 mA (typisch) 44 dB (120 Hz) Überstrom
TC7SH00FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH00FSTPL3 -
Anfrage
 ECAD 4249 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TC7SH Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-953 - 7SH00 1 2V ~ 5,5V fSV herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 NAND-Gate 8mA, 8mA 2 µA 2 7,5 ns bei 5 V, 50 pF 0,5V 1,5V
TC7SZ34AFS,L3J(T Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ34AFS,L3J(T 0,0593
Anfrage
 ECAD 7671 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TC7SZ Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage SOT-953 TC7SZ34 - Push-Pull 1,65 V ~ 5,5 V fSV herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 Puffer, nicht invertierend 1 1 32mA, 32mA
TCKE805NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NA,RF 1.5200
Anfrage
 ECAD 15 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 10-WFDFN freiliegendes Pad TCKE805 4,4 V ~ 18 V 10-WSONB (3x3) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 Elektronische Sicherung - - 5A
TC7W04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W04FU,LF 0,4000
Anfrage
 ECAD 5635 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TC7W Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 8-TSSOP, 8-MSOP (0,110", 2,80 mm Breite) - 7W04 3 2V ~ 6V 8-SSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 Wechselrichter 5,2mA, 5,2mA 1 µA 3 13 ns bei 6 V, 50 pF 0,5 V ~ 1,8 V 1,5 V ~ 4,2 V
TB62214AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFTG,8,EL -
Anfrage
 ECAD 9704 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -20°C ~ 150°C (TJ) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-VFQFN freiliegendes Pad TB62214 DMOS 4,75 V ~ 5,25 V 48-QFN (7x7) herunterladen 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 2.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 2A 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TCR2LN28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN28,LF 0,3500
Anfrage
 ECAD 129 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LN Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad TCR2LN28 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 2,8V - 1 0,36 V bei 150 mA - Überstrom
TC7SH125FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH125FSTPL3 -
Anfrage
 ECAD 6140 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TC7SH Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage SOT-953 TC7SH125 - 3-Staaten 2V ~ 5,5V fSV - 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 Puffer, nicht invertierend 1 1 8mA, 8mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Freiliegendes Pad

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