SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
AS7C316096C-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C316096C-10BIN 18.7500
RFQ
ECAD 2499 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-lfbga AS7C316096 SRAM - Asynchron 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1134 3a991b2a 8542.32.0041 480 Flüchtig 16mbit 10 ns Sram 2m x 8 Parallel 10ns
AS7C316096C-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C316096C-10Tin 19.4097
RFQ
ECAD 2818 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS7C316096 SRAM - Asynchron 2,7 V ~ 3,6 V. 44-tsop2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1135-5 3a991b2a 8542.32.0041 156 Flüchtig 16mbit 10 ns Sram 2m x 8 Parallel 10ns
AS4C256M8D2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D2-25BCN 12.4067
RFQ
ECAD 2697 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga AS4C256 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 136 400 MHz Flüchtig 2Gbit 57,5 ns Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
AS4C256M8D3-15BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3-15BCN - - -
RFQ
ECAD 9509 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 90 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga AS4C256 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 78-FBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 242 800 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
AS4C32M32MD1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD1-5BINTR - - -
RFQ
ECAD 2565 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 90-VFBGA AS4C2M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,9 V. 90-FBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 200 MHz Flüchtig 1Gbit 5 ns Dram 32m x 32 Parallel 15ns
AS4C64M8D1-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5Tin 4.4414
RFQ
ECAD 8738 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS4C64 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 108 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
AS4C4M16SA-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-6BIN 3.5400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga AS4C4M16 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1257 Ear99 8542.32.0002 348 166 MHz Flüchtig 64Mbit 5.4 ns Dram 4m x 16 Parallel 2ns
AS4C8M16SA-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6TCN 3.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS4C8M16 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1266 Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz Flüchtig 128mbit 5 ns Dram 8m x 16 Parallel 12ns
AS4C512M16D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3L-12BIN - - -
RFQ
ECAD 5328 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga AS4C512 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (9x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 170 800 MHz Flüchtig 8gbit 13.75 ns Dram 512 mx 16 Parallel 15ns
AS4C16M16D2-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D2-25BIN 4.8100
RFQ
ECAD 79 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga AS4C16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-TFBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-2374 Ear99 8542.32.0032 209 400 MHz Flüchtig 256mbit 400 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
MT48LC32M16A2TG-75:C Alliance Memory, Inc. MT48LC32M16A2TG-75: c - - -
RFQ
ECAD 5172 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC32M16A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen Rohs Nick Konform 4 (72 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 108 133 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT48LC64M8A2P-75:IT:CTR Alliance Memory, Inc. MT48LC64M8A2P-75: IT: Ctr - - -
RFQ
ECAD 5988 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC64M8A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 133 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 64m x 8 Parallel 15ns
AS4C16M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1A-5Tin 3.7162
RFQ
ECAD 5875 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS4C16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1282 3a991b2a 8542.32.0024 108 200 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
AS4C2M32SA-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32SA-7TCN 3.1724
RFQ
ECAD 9977 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS4C2M32 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1285 3a991b2a 8542.32.0002 108 143 MHz Flüchtig 64Mbit 5.5 ns Dram 2m x 32 Parallel 2ns
AS4C4M32SA-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32SA-6TCN 3.9882
RFQ
ECAD 3312 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS4C4M32 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1292 3a991b2a 8542.32.0002 108 166 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel 2ns
AS4C4M32SA-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32SA-6Tin 6.4000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS4C4M32 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1293 3a991b2a 8542.32.0002 108 166 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel 2ns
AS4C8M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1A-5TCN 3.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS4C8M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1295 3a991b2a 8542.32.0002 108 200 MHz Flüchtig 128mbit 700 ps Dram 8m x 16 Parallel 15ns
AS4C32M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1A-5TINTR 3.9325
RFQ
ECAD 4894 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS4C32 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0024 1.000 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
AS4C4M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16D1A-5TinTR 2.7298
RFQ
ECAD 8875 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS4C4M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0002 1.000 200 MHz Flüchtig 64Mbit 700 ps Dram 4m x 16 Parallel 15ns
AS4C4M32SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M32SA-7TCNTR 3.7224
RFQ
ECAD 3093 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS4C4M32 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0002 1.000 143 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel 2ns
AS4C8M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1A-5TinTR 3.0606
RFQ
ECAD 9823 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS4C8M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0002 1.000 200 MHz Flüchtig 128mbit 700 ps Dram 8m x 16 Parallel 15ns
MT48LC32M16A2P-75:C TR Alliance Memory, Inc. MT48LC32M16A2P-75: C Tr - - -
RFQ
ECAD 6580 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC32M16A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 4 (72 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 133 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 32m x 16 Parallel 15ns
AS4C128M16D3L-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BAN 6.6800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga AS4C128 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-BGA (13x9) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1306 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
AS4C128M16D2A-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2A-25BCN 12.5200
RFQ
ECAD 283 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga AS4C128 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (10,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1312 Ear99 8542.32.0036 209 400 MHz Flüchtig 2Gbit Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
AS4C4M16D1A-5TAN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16D1A-5TAN - - -
RFQ
ECAD 4330 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS4C4M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 4 (72 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1316 Ear99 8542.32.0002 108 200 MHz Flüchtig 64Mbit 700 ps Dram 4m x 16 Parallel 15ns
AS4C2M32D1-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1-5TCN - - -
RFQ
ECAD 3543 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - AS4C2M32 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1317 Ear99 8542.32.0002 108 200 MHz Flüchtig 64Mbit 700 ps Dram 2m x 32 Parallel 15ns
AS4C2M32D1-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1-5Tin - - -
RFQ
ECAD 7507 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - AS4C2M32 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1318 Ear99 8542.32.0002 108 200 MHz Flüchtig 64Mbit 700 ps Dram 2m x 32 Parallel 15ns
AS4C2M32D1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1-5BIN - - -
RFQ
ECAD 7288 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - AS4C2M32 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 144-Bga - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1320 Ear99 8542.32.0002 189 200 MHz Flüchtig 64Mbit 700 ps Dram 2m x 32 Parallel 15ns
AS4C4M32D1-5BCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32D1-5BCN - - -
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - AS4C4M32 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 144-Bga - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1323 Ear99 8542.32.0002 189 200 MHz Flüchtig 128mbit 700 ps Dram 4m x 32 Parallel 12ns
AS4C64M8D1-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5TCN 3.8975
RFQ
ECAD 2293 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) AS4C64 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1450-1328 Ear99 8542.32.0028 108 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus