SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
GD25T512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEF2RR 8.3545
RFQ
ECAD 5535 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25T Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 16-so-sop - - - 1970-GD25T512MEF2RRTR 1.000 200 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - quad i/o, dtr - - -
GD5F2GQ5UEBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEBIGY 3.9138
RFQ
ECAD 3108 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 24-TFBGA (6x8) Herunterladen 1970-GD5F2GQ5Uebigy 4.800 104 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit 9 ns Blitz 256 mx 8 Spi - quad i/o 600 µs
GD25WQ80EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ80EEIGR 0,4950
RFQ
ECAD 1827 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-uson (3x2) Herunterladen 1970-GD25WQ80EEIGRTR 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 8mbit 12 ns Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 120 µs, 4 ms
GD9FU4G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU4G8F2AMGI 7.0543
RFQ
ECAD 7078 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD9f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i Herunterladen 1970-GD9FU4G8F2AMGI 960 Nicht Flüchtig 4Gbit 18 ns Blitz 512 MX 8 Onfi 20ns
GD5F2GM7UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7UEWIGY 3.5910
RFQ
ECAD 4818 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen 1970-GD5F2GM7UEWIGY 5.700 133 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit 7 ns Blitz 256 mx 8 Spi - quad i/o, dtr 600 µs
GD25Q64EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EWIGY 0,8112
RFQ
ECAD 4020 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen 1970-GD25Q64Ewigy 5.700 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 7 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2,4 ms
GD25LT256EB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EB2RY 4.4422
RFQ
ECAD 7979 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD25LT256EB2RY 4.800 200 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 6 ns Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 140 µs, 2 ms
GD25D80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CEIGR 0,3368
RFQ
ECAD 4688 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25d Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (3x2) Herunterladen 1970-GD25D80CEIGRTR 3.000 100 MHz Nicht Flüchtig 8mbit 6 ns Blitz 1m x 8 Spi - dual i/o 50 µs, 4 ms
GD25Q64EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EYIGR 0,8424
RFQ
ECAD 6746 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 7 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2,4 ms
GD5F4GQ4UBYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4UBYIGY - - -
RFQ
ECAD 3566 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD5F4GQ4 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.800 120 MHz Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Spi - quad i/o
GD25D10CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10CTIG - - -
RFQ
ECAD 9276 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25D10 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 100 MHz Nicht Flüchtig 1Mbit Blitz 128k x 8 Spi - dual i/o 50 µs, 4 ms
GD5F2GQ4UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UEYIGR - - -
RFQ
ECAD 9158 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD5F2GQ4 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Spi - quad i/o 700 µs
GD5F1GQ4UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UEYIGR - - -
RFQ
ECAD 8047 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD5F1GQ4 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi - quad i/o 700 µs
GD25LQ10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ10CEIGR - - -
RFQ
ECAD 2790 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25LQ10 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 1Mbit Blitz 128k x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25VQ32CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ32CTIGR - - -
RFQ
ECAD 6010 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25VQ32 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 9.000 104 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q16CTJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CTJG - - -
RFQ
ECAD 7744 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25Q16 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 120 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q256DFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256DFIG 3.8200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) GD25Q256 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16-so-sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 104 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25WQ20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ20Tigig 0,3515
RFQ
ECAD 4882 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen 1970-GD25WQ20ETIGRTRTRTER 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit 7 ns Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 120 µs, 4 ms
GD25VE40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CTIGR - - -
RFQ
ECAD 2992 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25VE40 Flash - Nor 2,1 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25LD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40COIG 0,3366
RFQ
ECAD 5737 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) GD25LD40 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 50 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - dual i/o 97 µs, 6 ms
GD25VE20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CTIG 0,3045
RFQ
ECAD 7104 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25VE20 Flash - Nor 2,1 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25Q16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CTIG 0,3366
RFQ
ECAD 5701 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25Q16 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 120 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LQ20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CTIG 0,2725
RFQ
ECAD 1815 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25LQ20 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LR256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256EYIGR 2.8079
RFQ
ECAD 5271 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (6x8) - - - 1970-GD25LR256EYIGRTR 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 9 ns Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 70 µs, 1,2 ms
GD25WD20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CTIGR 0,2885
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25WD20 Flash - Nor 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25LQ32DQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DQIGR - - -
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XDFN Exponierte Pad GD25LQ32 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-uson (4x4) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 2,4 ms
GD25LD80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CSIGR 0,3549
RFQ
ECAD 8832 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25LD80 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.000 50 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - dual i/o 60 µs, 6 ms
GD25LD10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD10CTIGR 0,2564
RFQ
ECAD 6212 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25LD10 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 50 MHz Nicht Flüchtig 1Mbit Blitz 128k x 8 Spi - dual i/o 55 µs, 6 ms
GD25LD40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CTIGR 0,3205
RFQ
ECAD 1092 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25LD40 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 50 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - dual i/o 97 µs, 6 ms
GD25VE20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CTIGR - - -
RFQ
ECAD 1445 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25VE20 Flash - Nor 2,1 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus