SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
GD25WD05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CTIGR - - -
RFQ
ECAD 9512 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25WD05 Flash - Nor 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 100 MHz Nicht Flüchtig 512Kbit Blitz 64k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25WD10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10CEIGR 0,3045
RFQ
ECAD 6299 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25WD10 Flash - Nor 1,65 V ~ 3,6 V. 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 Nicht Flüchtig 1Mbit Blitz 128k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25WD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CEIGR 0,7100
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25WD80 Flash - Nor 1,65 V ~ 3,6 V. 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25S512MDYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYIGR 6.6100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD25S512 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD5F1GQ4UFYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UFYIGR 4.8400
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD5F1GQ4 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi - quad i/o 700 µs
GD5F2GQ4UF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UF9IGR - - -
RFQ
ECAD 4326 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VLGA Exposed Pad GD5F2GQ4 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 8-lga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Spi - quad i/o 700 µs
GD9FU1G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU1G8F2AMGI 4.3100
RFQ
ECAD 8723 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Aktiv Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) GD9FU1G8 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1970-1084 3a991b1a 8542.32.0071 960 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8
GD25Q20COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20COIG - - -
RFQ
ECAD 7018 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) GD25Q20 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q40CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CSIG - - -
RFQ
ECAD 4223 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25Q40 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 9.500 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q80CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CNIGR - - -
RFQ
ECAD 3847 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-udfn Exponierte Pad GD25Q80 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (4x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q32CTJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTJGR - - -
RFQ
ECAD 4890 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q32CTJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTJG - - -
RFQ
ECAD 4714 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 20.000 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q64CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CBIGY - - -
RFQ
ECAD 6626 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga GD25Q64 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-TFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.800 120 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LD05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD05CEIGR 0,2725
RFQ
ECAD 3135 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25LD05 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 50 MHz Nicht Flüchtig 512Kbit Blitz 64k x 8 Spi - dual i/o 55 µs, 6 ms
GD25LD05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD05CTIGIGIGR 0,2404
RFQ
ECAD 1201 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25LD05 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 50 MHz Nicht Flüchtig 512Kbit Blitz 64k x 8 Spi - dual i/o 55 µs, 6 ms
GD25LD10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD10CEIGR 0,2885
RFQ
ECAD 3687 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25LD10 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 50 MHz Nicht Flüchtig 1Mbit Blitz 128k x 8 Spi - dual i/o 55 µs, 6 ms
GD25LD20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20CEIGR 0,3205
RFQ
ECAD 4961 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25LD20 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 50 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - dual i/o 97 µs, 6 ms
GD25LQ20CUIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CUIGR - - -
RFQ
ECAD 2134 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-UFDFN Exposed Pad GD25LQ20 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-uson (3x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LQ40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CTIG 0,3366
RFQ
ECAD 2162 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25LQ40 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LQ80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CSIG 0,3752
RFQ
ECAD 2893 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25LQ80 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 9.500 104 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LQ80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CTIG 0,3686
RFQ
ECAD 6654 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25LQ80 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 104 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LQ16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CSIG 0,4195
RFQ
ECAD 7089 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25LQ16 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 9.500 104 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CTIG 0,4057
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25LQ16 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 104 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LQ16C8IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16C8IGR - - -
RFQ
ECAD 5487 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Xflga Exposed Pad GD25LQ16 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-lga Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LE16CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16CLIGIGIGR - - -
RFQ
ECAD 2519 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 21-XFBGA, WLSCP GD25LE16 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 21-WLCSP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LE32DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32DLIGR - - -
RFQ
ECAD 4768 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 21-XFBGA, WLSCP GD25LE32 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 21-WLCSP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 2,4 ms
GD25LQ128DSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DSIG 1.4585
RFQ
ECAD 1215 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25LQ128 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 9.500 120 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 2,4 ms
GD25LQ128DVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DVIGR - - -
RFQ
ECAD 9911 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25LQ128 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-VSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 120 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 2,4 ms
GD25VQ20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CTIG 0,2885
RFQ
ECAD 6283 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25VQ20 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 3 ms
GD25VQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CEIGR - - -
RFQ
ECAD 3916 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25VQ20 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 3 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus