SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
GD25LE32EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32EEEG 1.0109
RFQ
ECAD 5482 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (3x2) Herunterladen 1970-GD25LE32EEEGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit 6 ns Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o, qpi 100 µs, 4 ms
GD25UF64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25UF64SIGY 0,9547
RFQ
ECAD 4911 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25UF Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,14 V ~ 1,26 V. 8-Sop - - - 1970-GD25UF64SIGY 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o, dtr - - -
GD25Q80EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80EWIGR 0,6700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD25Q80 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 8mbit 7 ns Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2 ms
GD25LQ128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EYIGR 1.3900
RFQ
ECAD 3788 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (6x8) Herunterladen 1970-GD25LQ128EYIGRTR 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 6 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 60 µs, 2,4 ms
GD25LE128E3IRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128E3IRR 1.4524
RFQ
ECAD 5134 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 26-XFBGA, WLCSP Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 26-WLCSP - - - 1970-GD25LE128E3IRRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 6 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD5F4GM5RFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM5RFYIGY 6.2620
RFQ
ECAD 1854 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Aktiv - - - 1970-GD5F4GM5RFYIGY 4.800
GD25Q64EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EQegr 1.1653
RFQ
ECAD 4464 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XDFN Exponierte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (4x4) Herunterladen 1970-GD25Q64EQegrtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 7 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 140 µs, 4 ms
GD5F2GQ5REYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f2gq5reyihr 4.1912
RFQ
ECAD 7021 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nand (SLC) 1,7 V ~ 2 V 8-Wson (6x8) - - - 1970-GD5F2GQ5REYIHRTR 3.000 80 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit 11 ns Blitz 512 mx 4 Spi - quad i/o, qpi, dtr 600 µs
GD25B256EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EWIGY 2.3163
RFQ
ECAD 5527 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen 1970-GD25B256EWIGY 5.700 Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD5F1GQ5UEBJGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEBJGY 2.7537
RFQ
ECAD 7495 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 24-TFBGA (6x8) Herunterladen 1970-GD5F1GQ5UEBJGY 4.800 133 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit 7 ns Blitz 256 mx 4 Spi - quad i/o, dtr 600 µs
GD9FU2G6F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd9fu2g6f3algi 4.5692
RFQ
ECAD 7620 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD9f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 63-FBGA (9x11) Herunterladen 1970-GD9FU2G6F3Algi 2.100 Nicht Flüchtig 2Gbit 18 ns Blitz 128 MX 16 Parallel 20ns
GD55LB01GEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEYIGY 8.5414
RFQ
ECAD 9648 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (6x8) Herunterladen 1970-GD55LB01GEYIGY 4.800 166 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit 6 ns Blitz 128 MX 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 70 µs, 1,2 ms
GD25LE128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128EWIGR 1.4109
RFQ
ECAD 2739 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (5x6) Herunterladen 1970-GD25LE128EWIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 6 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD25B64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B64Enigr 0,8564
RFQ
ECAD 3834 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-udfn Exponierte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (3x4) Herunterladen 1970-GD25B64Enigrtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 7 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2,4 ms
GD25WD10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10CTIGR 0,2725
RFQ
ECAD 4507 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25WD10 Flash - Nor 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 Nicht Flüchtig 1Mbit Blitz 128k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25LQ32EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32eeer 0,9828
RFQ
ECAD 3824 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (3x2) Herunterladen 1970-GD25LQ32EEEGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit 6 ns Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o, qpi 100 µs, 4 ms
GD25LQ128EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EBIRY 1.3845
RFQ
ECAD 5925 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) Herunterladen 1970-GD25LQ128ebiry 4.800 120 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 6 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 60 µs, 2,4 ms
GD25LQ80EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80Agr 0,7363
RFQ
ECAD 7204 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (3x2) - - - 1970-GD25LQ80EEAGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 8mbit 6 ns Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o, qpi 100 µs, 4 ms
GD5F1GQ4RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4RF9IGY - - -
RFQ
ECAD 5707 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VLGA Exposed Pad GD5F1GQ4 Flash - Nand 1,7 V ~ 2 V 8-lga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.800 120 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi - quad i/o 700 µs
GD25LD20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20CKIG 0,3318
RFQ
ECAD 5796 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (1,5x1,5) Herunterladen 1970-GD25LD20CKIGRTR 3.000 50 MHz Nicht Flüchtig 2mbit 12 ns Blitz 256k x 8 Spi - dual i/o 97 µs, 6 ms
GD25B128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128EYIGR 1.3198
RFQ
ECAD 8685 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen 1970-GD25B128EYIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 7 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2,4 ms
GD25WD40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40EEIGR 0,3619
RFQ
ECAD 8680 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-uson (3x2) Herunterladen 1970-GD25WD40EEIGRTR 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit 6 ns Blitz 512k x 8 Spi - dual i/o 100 µs, 6 ms
GD25VE20CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CSIGR - - -
RFQ
ECAD 6221 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25VE20 Flash - Nor 2,1 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25B128ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128SIGY 1.1590
RFQ
ECAD 1482 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen 1970-GD25B128SIGY 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 7 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2,4 ms
GD25D05CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05CTIG - - -
RFQ
ECAD 4008 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25D05 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 100 MHz Nicht Flüchtig 512Kbit Blitz 64k x 8 Spi - dual i/o 50 µs, 4 ms
GD25VQ20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CSIG 0,2885
RFQ
ECAD 8614 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25VQ20 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 9.500 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 3 ms
GD25VE40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CTIGR - - -
RFQ
ECAD 2992 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25VE40 Flash - Nor 2,1 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25Q256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EYIGY 2.2630
RFQ
ECAD 6652 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen 1970-GD25Q256EYIGY 4.800 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25Q16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSigr 0,8200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25Q16 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.000 120 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q20CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20CSIGR - - -
RFQ
ECAD 7895 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25Q20 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.000 120 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus