SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
GD25Q64ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64Tigig 1.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25Q64 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 1970-GD25Q64Tigigrtr 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 7 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2,4 ms
GD5F4GM8UEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd5f4gm8Uewig 6.0398
RFQ
ECAD 8624 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen 1970-GD5F4GM8UEWIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 4Gbit 7 ns Blitz 512 MX 8 Spi - quad i/o, dtr 600 µs
GD25LE255EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE255EWIGR 2.2433
RFQ
ECAD 7791 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (5x6) Herunterladen 1970-GD25LE255EWIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 6 ns Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD25B256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EYIGR 2.3105
RFQ
ECAD 2302 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen 1970-GD25B256EYIGRTR 3.000 Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD9FU2G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd9fu2g8f2algi 4.5698
RFQ
ECAD 7867 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD9f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 63-FBGA (9x11) Herunterladen 1970-GD9FU2G8F2Algi 2.100 Nicht Flüchtig 2Gbit 18 ns Blitz 256 mx 8 Onfi 20ns
GD25LD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40COIG 0,3366
RFQ
ECAD 5737 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) GD25LD40 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 50 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - dual i/o 97 µs, 6 ms
GD25VE20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CTIGR - - -
RFQ
ECAD 1445 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25VE20 Flash - Nor 2,1 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25WD80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CTIG - - -
RFQ
ECAD 1432 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25WD80 Flash - Nor 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25VE40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CTIGR - - -
RFQ
ECAD 2992 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25VE40 Flash - Nor 2,1 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD5F4GM8UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8UEYIGR 5.9488
RFQ
ECAD 1163 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen 1970-GD5F4GM8UEYIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 4Gbit 7 ns Blitz 1g x 4 Spi - quad i/o, dtr 600 µs
GD25Q80EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80EWIGR 0,6700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD25Q80 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 8mbit 7 ns Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2 ms
GD25LQ32DQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DQIGR - - -
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XDFN Exponierte Pad GD25LQ32 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-uson (4x4) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 2,4 ms
GD25LD20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20CKIG 0,3318
RFQ
ECAD 5796 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (1,5x1,5) Herunterladen 1970-GD25LD20CKIGRTR 3.000 50 MHz Nicht Flüchtig 2mbit 12 ns Blitz 256k x 8 Spi - dual i/o 97 µs, 6 ms
GD55LB02GEBJRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB02GEBJRY 22.0514
RFQ
ECAD 5849 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) Herunterladen 1970-GD55LB02GEBJRY 4.800 133 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD25LE128DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128DLIGR - - -
RFQ
ECAD 7670 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 21-XFBGA, WLSCP GD25LE128 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 21-WLCSP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 2,4 ms
GD25Q16EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EWIGR 0,8700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD25Q16 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit 7 ns Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2 ms
GD25Q256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EFIRR 2.4170
RFQ
ECAD 6922 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 16-so-sop Herunterladen 1970-GD25Q256EFIRRTR 1.000 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25X512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25X512Mefirrrr 6.4724
RFQ
ECAD 5139 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25X Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 16-so-sop - - - 1970-GD25x512Mefirrtr 1.000 200 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - oktal i/o - - -
GD25B512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEB2RY 6.7830
RFQ
ECAD 1666 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD25B512MEB2RY 4.800 133 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD25B512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512Mebiry 4.0905
RFQ
ECAD 2065 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 24-TFBGA (6x8) Herunterladen 1970-GD25B512Mebiry 4.800 133 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD25Q80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CSIGR 0,6100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25Q80 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.000 120 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LQ128DY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DY2GY 2.1331
RFQ
ECAD 1815 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (6x8) - - - 1970-GD25LQ128DY2GY 4.800 104 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 6 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o, qpi 2,4 ms
GD25LD20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20TIGIG 0,2343
RFQ
ECAD 5339 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Sop Herunterladen 1970-GD25LD20ETIGRTRTER 3.000 50 MHz Nicht Flüchtig 2mbit 12 ns Blitz 256k x 8 Spi - dual i/o 100 µs, 6 ms
GD25VQ40CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ40CSIG 0,3366
RFQ
ECAD 6819 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25VQ40 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 9.500 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 3 ms
GD25VE20CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CSIGR - - -
RFQ
ECAD 6221 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25VE20 Flash - Nor 2,1 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25Q64CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSIG 1.2800
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25Q64 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 120 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25VE40CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CSIGR - - -
RFQ
ECAD 1356 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25VE40 Flash - Nor 2,1 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.000 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25LE64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64EWIGR 0,8863
RFQ
ECAD 6966 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (5x6) - - - 1970-GD25LE64EWIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 6 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD25B256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EYIGY 2.2236
RFQ
ECAD 9901 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen 1970-GD25B256EYIGY 4.800 Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25Q127CYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CYIGR 2.1900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD25Q127 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 12 µs, 2,4 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus