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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | Andere Namen | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25Q40EKIGR | 0,3676 |  | 5568 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (1,5x1,5) | Herunterladen | 1970-GD25Q40EKIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 7 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 70 µs, 2 ms | |
| GD25LQ32ES2GR | 0,9272 | | 7348 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | - - - | 1970-GD25LQ32ES2Grtr | 2.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | |
| GD9FS1G8F2Algi | 2.6557 | | 7455 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9f | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-FBGA (9x11) | - - - | 1970-GD9FS1G8F2Algi | 2.100 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 30 ns | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | 45ns | ||
| Gd9fu1g8f2algi | 2.4985 | | 8902 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9f | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-FBGA (9x11) | Herunterladen | 1970-Gd9fu1g8f2algi | 2.100 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | 25ns | ||
| GD55LT01GEBIRY | 10.8794 | | 5698 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LT | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | - - - | 1970-GD55LT01GEBIRY | 4.800 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | - - - | |||
| GD9FS8G8E3Algi | 14.8694 | | 1833 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Tablett | Aktiv | Herunterladen | 1970-GD9FS8G8E3Algi | 2.100 | |||||||||||||||
| GD25D20EEIGR | 0,2865 | | 1849 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25d | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (3x2) | Herunterladen | 1970-GD25d20eeigrtr | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | 6 ns | Blitz | 256k x 8 | Spi - dual i/o | 50 µs, 4 ms | |
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| GD25D20EKIGR | 0,2865 | | 1629 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25d | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (1,5x1,5) | Herunterladen | 1970-GD25D20EKIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | 6 ns | Blitz | 256k x 8 | Spi - dual i/o | 50 µs, 4 ms | |
| GD25LF255ESIGR | 2.1993 | | 5473 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | - - - | 1970-GD25LF255Sigrtr | 2.000 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | - - - | ||
| GD25F256FYIGR | 2.3791 | | 6103 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | - - - | 1970-GD25F256FYIGRTR | 3.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||
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| GD25Q80EAVR | 0,7134 | | 9852 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (3x2) | - - - | 1970-GD25Q80EEAGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 7 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 140 µs, 4 ms | |
| GD25B32ET2GR | 0,9266 | | 8095 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | - - - | 1970-GD25B32ET2Grtr | 3.000 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | |||
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| GD25LB512ME3IRR | 4.8056 | | 4077 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-uson (3x2) | Herunterladen | 1970-GD25LB512ME3IRRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | - - - | ||
| GD5F4GM8REYIGY | 5.9850 | | 2866 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5f | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 2 V | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | 1970-GD5F4GM8REYIGY | 4.800 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4Gbit | 9 ns | Blitz | 512 MX 8 | Spi - quad i/o, dtr | 600 µs | |
| GD25D40EEIGR | 0,3016 | | 6462 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25d | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (3x2) | Herunterladen | 1970-GD25D40eeigrtr | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 6 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - dual i/o | 50 µs, 4 ms | |
| GD25Q64Ezigy | 0,8923 | | 9870 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | 1970-GD25Q64ezigy | 4.800 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 7 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 70 µs, 2,4 ms | |
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| GD25LE32EEEG | 1.0109 | | 5482 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-uson (3x2) | Herunterladen | 1970-GD25LE32EEEGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 100 µs, 4 ms | |
| GD25X512Mefirrrr | 6.4724 | | 5139 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25X | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-so-sop | - - - | 1970-GD25x512Mefirrtr | 1.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - oktal i/o | - - - | ||
| GD25B128SIGY | 1.1590 | | 1482 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | 1970-GD25B128SIGY | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 7 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 70 µs, 2,4 ms | |
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| GD25WD05CK6IGR | 0,3318 | | 2665 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-uson (1,5x1,5) | Herunterladen | 1970-GD25WD05CK6IGRTR | 3.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 512Kbit | 12 ns | Blitz | 64k x 8 | Spi - dual i/o | 55 µs, 6 ms | |
| GD25Q40EEIGR | 0,3619 | | 9407 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (3x2) | Herunterladen | 1970-GD25Q40eeigrtr | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 7 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 70 µs, 2 ms | |
| GD25LR64ESIGR | 1.2215 | | 1157 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LR | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | - - - | 1970-GD25LR64Sigrtr | 2.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||
| GD25LQ128DY2GY | 2.1331 | | 1815 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Wson (6x8) | - - - | 1970-GD25LQ128DY2GY | 4.800 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 6 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi | 2,4 ms |
2000+
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